0.18μm以下低k介质材料上的低离子等离子体去胶工艺

本文论述了下游式等离子体在多种Cu／低k材料上去胶及去残留物的工艺应用，主要有3类低k材料的实验数据——有机类、掺氮氧化物和多孔性低k材料，同时论述了在这些对应低k材料上新的等离子体气氛：(1)中性等离子体；(2)无氧和还原性等离子体；(3)无氧和无氮等离子体。     

非均匀介质的光学常数

提出了一种计算非均匀介质光学常数的新方法,该方法仔细地考虑了光在非均匀介质中的吸收和散射.研究了非均匀介质层的厚度、介质中颗粒粒径、衬底反射性能等对介质光学常数的影响.这种研究将有利于同有关的测量实验结合和比较.     

VLSI介质材料的研究动态和发展方向

本文阐述了当前在ＣＭＯＳ和ＤＲＡＭ中，栅氧化层、ＩＭＤ、ＤＲＡＭ电容器三个方面所用的低介质常数和高介质常数材料的研究动态以及发展方向。     

低介电常数(low-k)介质在ULSI中的应用前景

本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在ULSI中应用的前景.     

干涉法测量压电材料复压电常数e31

简要介绍了采用Ｍｉｃｈｅｌｓｏｎ干涉仪测量压电材料复压电常数ｅ３１的新方法，给出了ＰＺＴ系列ＰＸＥ５型电压陶瓷ｅ’３１，ｅ″３１与温度，频率关系的测量结果，温度的范围为－６０℃～＋９０℃，频率的范围为２．５Ｈｚ～２．５ｋＨｚ。     

低k层间介质研究进展

介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。     

名词释义——低k介电材料

通常把介质常数k〈3的材料称为低后材料。     

用非接触式电极测量薄膜介质材料的特性参数

本文在分析了采用接触式电极测量薄膜介质材料特性参数所存在问题的基础上,介绍了一种非接触式电极的测量原理和方法,并讨论了减小该方法测量误差的途径。     

薄膜介质材料特性参数的测试技术

在分析采用接触式电极测量薄膜介质材料特性参数所存在问题的基础上，介绍了一种非接触式电极的测量原理和方法，并提出水银探针电极的测试技术。     

MCM用的介质材料及其成膜技术

本文介绍MCM对介质材料的一般要求，不同MCM使用的介质及其成膜技术，重点介绍以聚酰亚胺为代表的有机介质材料的性能及其相关制造技术。     

碱性抛光液在CMP过程中对低k介质的影响

以p型111硅片为衬底,经过旋涂固化制备低介电常数(低k)材料聚酰亚胺。经过化学机械抛光(CMP)过程,考察实验前后低k材料介电性能的变化。实验中分别使用阻挡层抛光液、Cu抛光液以及新型抛光液对低k材料进行抛光后,利用电参数仪对低k材料进行电性能测试。结果显示,低k材料介电常数经pH值为7.09新型抛光液抛光后,k值由2.8变为2.895,漏电流在3.35 pA以下,去除速率为59 nm/min。经新型抛光液抛光后的低k材料,在电学性能等方面均优于阻挡层抛光液和Cu抛光液,抛光后的低k材料的性能能够满足应用要求。     

毫米波低副瓣赋形介质透镜天线设计

通过对介质透镜赋形,把初级馈源方向图转变为透镜口径面上所需的场分布函数,便可获得所需要的各种波束。本文给出了一种基于几何光学的简单而实用的透镜赋形方法,通过赋形能实现介质透镜天线低副瓣的要求。     

新型MCM介质材料——光敏BCB

优良的介质材料是推动多芯片组件（MCM）发展的关键因素之一，因为在多层布线之间的绝缘层的介电常数越低，MCM的信号传输速度和封装密度就会越高。本介绍一种应用于MCM的新型介质材料－－光敏苯并环丁烯即Photo-BCB，对该材料的特性与工艺及其应用进行了详细说明。     

微波介质材料与器件的发展

详细论述了微波介质材料与器件国内外现状和技术发展趋势, 分析了应用前景和国内市场需求,对我国“十一·五”发展方向和重点研究课题提出了建议。     

轻型材料的开发及应用动向

目前,高强度的轻型材料的开发颇为引人注目,而且已取得若干实质性的进展。 首先是镁合金材料,其密度为1.74mg/m~3,是结构用金属材料中最小的。这种材料200℃以上的加工性良好,不亚于铝合金。但低于200℃时,镁的晶体结构为最致密的六面体结构,加工性差,若在室温下进行塑性加工,会全面开裂。因此镁合金制品主要通过铸造成形。今后为满足构件轻型化和安全性的需要,开发延展用镁合金是当务之急。