多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。MCM是实现电子装备小型化、轻量化、高速度、高可靠、低成本电路集成不可缺少的关键技术,它与传统的混合IC主要区别在于MCM是采用“多块裸芯片”与“多层布线基板”,并实现“高密度互连”。     

氮化铝共烧基板金属化及其薄膜金属化特性研究

大规模集成电路的发展,对芯片之间的互连提出了更高的要求,高端电子系统中高密度封装技术逐渐成为发展的主流。多芯片组件(MCM)是微电子封装的高级形式,它是把裸芯片与微型元件组装在同一个高密度布线基板上,组成能够完成一定的功能的模块甚至子系统。MCM还能够实现电子系统的小型化、高密度化,是实现系统集成的重要途径,在MCM中高密度布线的多层基板技术是实现高密度封装的关键。     

一种LTCC基板上薄膜多层布线技术

LTCC基板上薄膜多层布线工艺是MCM—C／D多芯片组件的关键技术,它可以充分利用LTCC布线层数多、可实现无源元件埋置于基板内层、薄膜细线条精确等优点,从而使芯片等元器件能够在基板上更加有效地实现高密度的组装互连。本文介绍了在LTCC基板上薄膜多层布线工艺技术,通过对导带形成技术、通孔柱形成技术和聚酰亚胺介质膜技术的研究,解决了在LTCC基板上薄膜多层布线的工艺难题。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

MCM(MCP)封装测试技术及产品

1、简介南通富士通的MCM封装测试技术是利用陶瓷基板或硅基板作为芯片间的互连,将二片以上的超大规模集成电路芯片安装在多层互连基板上,再用金丝与金属框架相连通,而后由树脂包封外壳的多芯片半导     

高速多功能信号处理MCM的设计与制作

以一款T/R组件中的实用控制电路为对象,研究了基于多层陶瓷电路基板的MCM结构设计.针对高速信号的MCM多层基板布线技术及多层陶瓷基板的制作技术,研制出具有高速电路性能的实用化MCM组件,其体积和重量大幅度减少,基板层数达到12层,最小线宽/线间距0.2mm,组装密度57%.     

超高密度、超大规模集成组件

VLSI(超大规模集成)逻辑电路和存储器都建立在半导体器件技术的基础上,这种技术具有固有的快速性,但对负载亦是非常敏感的。因此,高性能的 VLSI 系统的设计就取决于可以采用的能清除绝大多数互连电容的总体封装概念。本文提出了这样一种 VLSI 封装概念。它有如下的特点:1.用于 VLSI 和其它 IC 芯片的混合电路封装方法,是用一块抛光的蓝宝石基板实现的,借助典型的单元电路互连金属化技术,在该基板上实现高密度多层互连。目前的光刻法容许使用的线宽和间距为6微米。这意味着,互连线和交叉点的寄生电容,与一般的薄膜或厚膜混合电路相比,可降低近2个量级。2.将 VLSI 器件和高密度混合电路互连技术结合起来使用,以便在单片监宝石基板上达到主计算机功能的集成度。这些功能,典型地讲,是一部完整的处理机,一部主存储器或一部信号处理机。因为这些主要的功能只需通过母线来相互联系,所以,所有更高一级的互连实际上已统统被取消了。3.蓝宝石基板的叠加以及它们之间的互连是借助于压力下的弹性接触实现的,这些接点只起电源、地线、母线和某些输入/输出互连等作用。4.这种由基板叠加而成的可拆卸的组装件,放在一个密封的容器中,可保证全部元件浸入气态(氦)或液态的冷却剂中。这种组装方法为 VLSI 提供一种理想的信号环境,并把简易性和可靠性、性能和极高的组装密度结合在一起。     

“十一五”混合集成电路行业发展趋势

目前，随着电子装备的小型化、轻量化、高速率、多功能、高可靠的要求，HIC在技术工艺水平方面发展到了一个更高集成的阶段．即多芯片组装技术（MCM）．这是第四代电子组装技术SMT的发展和延伸．是多层布线基板技术、多层布线互联技术、表面安装技术、微型元器件封装技术及相关裸芯片制造技术的综合和发展。MCM技术与VLSI芯片制造技术的有机结合，成为未来微电子技术的主流。带动了整个电子组装技术、印刷电路板技术和电子器件封装技术的发展。     

基于LTCC微波多层基板的双面微组装技术研究

传统的微波组件通常在低温共烧陶瓷(LTCC)微波多层基板上单面组装裸芯片和片式元器件,组装密度难以进一步提高.文中采用了LTCC微波多层基板双面微组装技术以提高组装密度,重点研究了高精度芯片贴装技术和芯片金丝键合技术,实现了LTCC微波多层基板双面高精度芯片贴装和金丝键合,大大提高了微波组件组装密度.实验结果表明:裸芯片的双面贴装精度均达到了±20 μm;双面金丝键合强度(破坏性拉力)均大于5 g,满足国军标要求.     

MCM—L基板的动向和制造安装技术——随着高性能化、低价格化迅速发展

随着电子设备的高速化、小型化、低价格化的发展,正在开发着新的组装方法,其中,多芯片模块(MCM)技术对完成计算机、通讯机的变革是必不可少的器件。 MCM就是在一个模块中装入数个LSI芯片和部件的产品。由于RISC芯片等高速运算处理、IC、LSI更加复合化和复合运算处理等的必要性,所以MCM的需要急骤增长。随着专用压模、基材、基板加工、检验和组装技术等的配备,从军用大型计算机到工作站、微型计算机、通讯机等正在扩大它的用途。MCM的组装方式也从过去的QFP扩展到BGA等新的组装方式,并极力追求低价格、高可靠     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

高密度微电子封装技术

多芯片组件(MCM)是从混合集成电路(HIC)发展而来的。HIC的发展已经有三十多年的历史了,它是把IC芯片与微型元件组装在用某种工艺制作布线的同一个基板上,封装起来,从而实现一定的功能。这种方式在系统的小型化和提高系统可靠性方面发挥了积极的作用。但是,人们在应用中也发现,无论采用何种封装技术后的裸芯片,无论是金丝球焊还是BGA,在封装后裸芯片的性能总是比未封装时要差一些。进入八     

半导体器件

介绍了微波器件 MPT(微电子组装)技术的发展过程和芯片互连技术、多层基板技术、三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

AIN多层基板的研制

MCM技术推动了现代微电子技术迅猛发展，已广泛应用于各种通讯系统的收发组件之中。AIN基板作为MCM技术多层基板主流之一，由于其高热导率、与硅片匹配的热膨胀系数、高介电常数、兼容各种芯片组装工艺的优点，在各个领域均获得了广泛的应用。文章结合一个微波组件AIN基板的研制，阐述了在AIN基板研制过程中解决的工艺难点，如粉料配制、流延、层压、烧结等，对研制的AIN基板进行了物理性能与电性能测试，结果表明AIN基板完全可以满足大功率毫米波／微波组件的实用化要求。     

SiP技术现状与发展趋势

SiP是近些年盛行的词汇，它的定义较多，这里是指把多个半导体芯片组装在一个封装体中的半导体回路，统称SiP，即系统级封装。过去所说的MCM是指在一块基板上组装多个半导体芯片和元器件的作法。而且，它们大多数是从半导体制造商手中购买裸芯片，并根据用户的需求进行制作的。但是，裸芯片的购买受到限制，而且芯片的测试有困难。所以不能说MCM已经普及了。相对来说，近几年半导体制造商开始供应组装了多个芯片的存储器，以半导体制造商的视角，开始供给组装有多个芯片的SiP。     

微波器件MPT的发展与关键技术

介绍了微波器件ＭＰＴ（微电子组装）技术的发展过程和芯片互连技术,多层基板技术,三维垂直互连技术和管壳及散热技术等主要关键技术。     

高密度集成技术与电子装备小型化

小型化和一体化是未来电子装备的主流发展方向。电子装备的小型化和一体化离不开高密度集成技术,三维芯片堆叠、芯片倒装焊接、高密度多层布线基板和SIP封装等高密度集成技术在国内的研究正在兴起。未来的电子装备不仅仅是由一个个元器件组装而成,而是电路和封装密不可分的一个3D互连系统。     

超大规模集成电路和微组装技术

本文研究了在多层陶瓷基板上利用硅作为衬底的硅-硅包装技术。这种硅-硅和多层陶瓷基板的微组装技术,可以消除IC芯片与衬底之间的热失配。同时可充分利用硅IC技术进一步细线化。随着ASIC、BiCMOS、VLSIC的迅速发展,将使今后的封装及微组装向多腿及小问距方向发展。     

多芯片组件将铸就世界辉煌

自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分析近年来国内外专家对MCM较普遍的看法,对MCM作如下定义比较妥当:MCM是将2个以上的大规模集成电路裸芯片和其它微型元器件互连组装在同一块高密度、高层基板上,并封装在同一管壳内构成功能齐全、质量可靠的电子组件。