微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变徽间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Nc等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响.对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨.     

微间隙击穿性能的研究

本文对微米量级微间隙的电击穿性能进行了研究,在制作出微间隙试样的基础上,改变微间隙所处环境气氛以及间隙距离,测试了不同条件下的击穿电压V相对于气体压强P关系曲线,系统研究了N_2、O_2、Ar、He、Ne等环境气氛以及间隙距离对微间隙击穿性能的影响。对微间隙的静电击穿机制也进行了一些有益的探讨。     

微机械加工技术

微机械加工技术是发展微型固态集成传感器,微执行器和微机械构件的一种关键技术,它以硅作为基本材料,集合了精密腐蚀、薄膜生长、硅—绝缘体和硅—硅的键合技术、层间连接技术以及其它集成电路的典型工艺去制造各种三维以硅为基础的微机械和微型器件。本文重点介绍微机械加工的几种关键技术和我们的主要研究结果。     

新的用于微系统的硅微机械加工技术（上）

微机械加工按传统习惯可分为两种类型,即块体的微机械加工和表面物微机械加工。新近对块体微机械加工技术的一个改进已经引起人们密切的关注,这个改进方法就是在衬底材料顶部的几个微米内进行微机械加工。许多人也把这类技术叫做外延微机械加工。因为这种微机械加工的器件常常是在外延层上形成的,这类技术具有块体和表面两种微机械加工技术的许多优点而没有什么缺点。使用这类新技术所制造的器件结构,不仅在水平方向可以加工成所     

真空间隙中经臭氧化水处理的铜电极的表面状况及电击穿特性

氧化水处理有一优点，即可除去有机污染，从而在表面上产生一钝化氧化膜，且经处理的表面状况可在空气中保持。这一技术已被应用在无氧铜电极的表面处理中。实验结果表明：在无任何防护下，首次电压施加时，击穿场并不总是提高的，但在击穿处得到显著的老炼效应。此外，在经臭氧水处理的表面上附加的溅射净化提高了首次击穿场，表面分析证明，在经臭氧化水处理后，电极表面覆盖了一层氧化膜（CuO)，经过由脉冲电压产生的500次重复击穿的老炼后，这一薄膜被去除，暴露出大部分铜，这些结果是根据处理后的表面能在空气中保持的特点得出的。     

微间隙气体放电击穿过程分析

为了对微米尺度气体间隙下放电击穿过程进一步研究,在大气压空气环境下进行了电极间距为1μｍ~ 100μｍ 的直流击穿实验,绘制了击穿电压曲线与Paschen曲线对比,针对1μｍ~ 10μｍ击穿电压偏离Paschen曲线进行分析,通过推导计算,得出在1μｍ~ 10μｍ时随着外加电压的增加,阴极较高的离子数密度将会产生较高的附加电场,附加电场随着电极间距的增加而减小,从而在微间距下存在较强的离子增强效应,最后,结合离子增强效应二次系数γ′与Townsen二次系数 γ的比值,γ′/γ随电极间距d的变化曲线得出,1μｍ~ 5μｍ 时,放电过程是由离子增强效应场发射主导发生,且随着间距增大离子增强效应逐渐减弱,在10μｍ~ 100μｍ时,击穿电压的变化基本符合Paschen曲线,其放电过程可以用汤森雪崩理论解释。     

表面微机械加工推动社会前进

微电子机械系统（ＭＥＭＳ）是当今热门的研究课题，其整个制造工艺范畴十分引人注目。本文将简要介绍由多晶硅表面微机械加工制造的微型执行元件，如微型马达、微型发动机的开发应用，揭示了未来的广阔前景     

硅基传感器的微机械加工

叙述了硅基传感器微机械加工的特点和要求，简要说明了硅衬底微细加工的常用方法。并以高过载双向压力传感器和悬空结构热释电传感器的硅衬底微细加工为例，作了进一步说明。传感器性能的测试结果表明了微机械加工对提高传感器性能的重要性。     

适合于本体微机械加工的改进的MOS IC工艺

介绍标准ＩＣ工艺与使用ＫＯＨ或ＥＤＰ进行本体微机械加工的集成方法。钼被用作最终金属化材料是因为它具有耐ＫＯＨ或ＥＤＰ腐蚀的本领。采用真空退火为的是增强钼对氮化物层的粘附性。这对ＫＯＨ腐蚀是非常重要的。实验表明这些特殊工艺步骤对ＭＯＳ器件特性毫无影响。     

辉光放电电子束瞬态退火研究

辉光放电电子束已成功用于半导体浅结掺杂和离子注入后的退火处理。本文介绍了用自制的辉光放电电子束机分别对硅中注硼、注砷的损伤进行退火的研究,并与热退火和白光退火结果进行了比较。     

GaAs／AlGaAs异质结中二维电子气的回旋共振研究

采用栅压比谱的方法，研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ异质结中二维电子气（２ＤＥＧ）的回旋共振。观察到由于子能带－朗道能级耦合所引起的回旋共振峰强度随磁场的振荡行为．由回旋共振频率ωｃ确定了子能带电子的回旋共振有效质量ｍ＊，通过对共振峰线形的拟合，获得二维电子气浓度Ｎｓ、电子散射时间τ和迁移率μ．由子能带－朗道能级的共振耦合测量了不同栅压下的多个子能带间的能量间距．讨论了导带非线抛物性对电子回旋共振有效质量的影响     

交流无声放电暂态过程的理论分析

根据交流无声放电机理的物理模型,提出分析其暂态过程的数学模型。然后由其解析解计算这种无声放电的着火特性和放电电流密度对时间的依赖关系,并与实验结果相比较。最后简要地讨论了计算结果与实验结果间的差距。     

保护膜材料对AC PDP放电特性的影响

利用所研制的模拟AC PDP放电特性测量装置，对（CaSr)O,(MgSr)O等不同材料形成的保护膜对AC PDP放电特性的影响进行了研究，确定了新颖膜材料的选择方向，探索了使用高发射性能保护膜材料所必须解决的问题，研究结果表明，用（CaSr)O等混合氧化物制成的保护膜的AC PDP具有比单一氧化物低的工作电压和好的老化特性，但工作电压稳态范围却较窄。研究结果还表明氧化物混合的比例不同，ACPDP的工作电压和稳态范围不同，大约在CaO(或MgO)与SrO的重量比达到1：3时，器件的工作电压最低。     

民用煤炉烟气净化催化剂研究

以三氧化二铝(Al_2O_3)为载体,以钯、铜及锰等为活性组分,用浸渍法制备了Pd-Al_2O_3、CuO-Al_2O_3及CuO-MnO-Al_2O_3催化剂,在民用煤炉上评价了催化剂对烟气中一氧化碳及有机物的催化氧化性能。结果表明,燃烧方式对烟气组成有较大的影响,采用上燃方式可减少烟气中CO及各类有机物的排放量。无论采取何种燃烧方式,在火炉的烟道上加催化剂后,不仅使烟气中CO的排放量明显减少,同时也使其中低碳烃、酚类及多环芳烃的量减少。催化氧化性能由大到小的顺序为:Pd-Al_2O_3>CuO-MnO-Al_2O_3>CuO-Al_2O_3。     

气敏传感器集成化的研究

本文回顾了气敏传感器的发展史,针对限制气敏传感器发展的诸因素,提出了解决问题的思路;指出了集成化的关键在于敏感膜的设计和制备,最后讨论了几种有前途的集成气敏传感器单元。     

二维正方形复式晶胞光子晶体的光子特性研究

用FDTD方法计算了二维正方形复式晶胞光子晶体的光子特性．通过光子能带结构、光子态密度的分布以及沿ГX方向透射谱的计算,发现透射谱光子带隙的位置与能带结构符合得很好．光子态密度的分布也表明存在全带隙的光子频率范围,进一步研究给出这种结构光子晶体全带隙存在的物理起源．     

高迁移率GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气的微波回旋共振研究

掌握微波辐照下的电子态性质是理解高迁移率二维电子气在低磁场区的纵向电阻振荡和零电阻态等新奇物理现象的关键.基于反射率测量的微波回旋共振技术(RODCR),研究了高迁移率、低浓度GaAs/Al0.35Ga0.65As二维电子气在Ka波段微波辐照下的电子态性质.通过在不同条件下的RODCR测量,具体讨论了微波交变电场方向、入射激光波长和温度等因素对RODCR测量结果的影响规律.研究结果表明,RODCR测量技术为研究二维电子系统的电子态性质提供了简便而有力的手段.     

加压热煤气脱硫技术研究初步结果

新建成了一套热煤气脱硫剂试验台架系统,加压流化床操作,已成功地投入运行。进行了钛酸锌脱硫剂的初步试验,并取得了4个循环试验的结果。