首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
熔融石英的石英陶瓷研究   总被引:12,自引:0,他引:12  
李玉书 《中国陶瓷》1994,(1):6-11,60
研究了用熔融石英代替石英玻璃生产石英陶瓷的基本工艺。分析了注浆和烧结的工艺原理,工艺参数与材料性能之间的关系。用熔融石英也能制备性能良好的石英陶瓷材料。  相似文献   

2.
研究了氮化硅加入物对石英陶瓷性能的影响。结果表明,氮化硅有助于石英陶瓷的烧结,而对烧结温度无影响。在1150℃ ̄1200℃的温度范围内,添加0.5 ̄1.5%的氮化硅不会引导石英玻璃的析晶。烧成在1150℃ ̄1200℃温度范围内,石英陶瓷的强度、体积密度随氮化硅的添加量增大和烧结温度提高而增大,而石英陶瓷的显气孔率随氮化硅添加量的增大和烧结温度的升高而减小。  相似文献   

3.
熔融石英陶瓷烧结工艺中的影响因素分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
郝洪顺  巩丽  王树海  董峰  崔文亮 《陶瓷》2007,(1):28-30,34
主要介绍了熔融石英陶瓷制备过程中烧结工序对制品可能产生的影响,以及在烧结石英陶瓷中通常会出现的问题与相应的解决方法。  相似文献   

4.
氮化硅对石英陶瓷性能的影响   总被引:5,自引:0,他引:5  
研究了氮化硅加入物对石英陶瓷性能的影响。结果表明,氮化硅有助于石英陶瓷的烧结,而对烧结温度无影响。在1150-1200℃的温度范围内,添加0.5-1.5%的氮化硅不会引导石英玻璃的析晶。烧成在1150-1200℃温度范围内,石英陶瓷的强度、体积密度随氮化硅的添加量增大和烧结温度提高而增大,而石英陶瓷的显气孔率随氮化硅添加量的增大和烧结温度的升高而减小。  相似文献   

5.
茅力佐 《玻璃》2011,38(10):18-20
阐述了与陶瓷石英闸板砖有关的熔融石英玻璃的制备原理和工艺条件,以及石英陶瓷的特性和闸板砖的侵蚀原理。  相似文献   

6.
外加剂对熔融石英陶瓷烧结性能的影响   总被引:6,自引:1,他引:6  
李友胜  韩志强  李楠 《耐火材料》2004,38(5):334-335
为改善熔融石英陶瓷材料的低温烧结性能 ,选用石英玻璃粉为主要原料 ,研究了H3 BO3 、B4C、Si、SiC、CeO2 和Y2 O3 六种外加剂对熔融石英陶瓷烧结性能的影响。结果表明 :添加Si、SiC、CeO2和Y2 O3 时对熔融石英陶瓷的低温烧结的促进作用较小 ;H3 BO3 和B4C能有效地促进熔融石英陶瓷的烧结 ,加入相同量的H3 BO3 和B4C外加剂时 ,B4C对材料烧结性能的影响明显强于H3 BO3 。H3 BO3 的高温分解产物和B4C的氧化产物均为B2 O3 ,高温下B2 O3 能增加材料中的液相生成量 ,加快材料的扩散传质 ,从而促进材料的烧结。  相似文献   

7.
以熔融石英粉末为主要原料,氮化硅为烧结助剂,采用微波烧结工艺对熔融石英陶瓷生坯制品进行烧结,采用常温抗折强度测试、体积密度测试、XRD射线衍射,研究了微波参数对生坯制品的物理力学性能及生坯微观组织的影响。结果表明:当微波升温速率为10℃/min,烧结温度为1150℃,保温时间为2 h时,熔融石英陶瓷生坯制品的常温抗折强度可达到31.6 MPa,体积密度达到1.87 g/cm3,对比常规烧结工艺,在相同的烧结工艺参数下,提升了陶瓷生坯的性能。  相似文献   

8.
熔融石英陶瓷的开发及应用   总被引:11,自引:1,他引:10  
袁向东  崔文亮 《玻璃》1999,26(3):44-46
概述了熔融石英陶瓷的制造工艺及性能特点,对比分析了其国内外发展概况,介绍了石英陶瓷辊,闸板砖,空心辊,旋转等几种高档熔融石英陶瓷制品的开发进展及应用情况。  相似文献   

9.
田福录  王志忠 《玻璃》1999,26(6):42-43
石英陶瓷是以石英玻璃的碎块为原料,以陶瓷生产工艺为方法而制得的。所以在宏观上看它基本保持了石英玻璃的特性,如膨胀系数低;耐火度高;耐热冲刷能力强等。因此,石英陶瓷的使用领域从一开始便受到了重视,很快成功地用于钢铁工业的连铸工艺;玻璃工业的浮法生产线及电收尘?..  相似文献   

10.
由山东工业陶瓷研究设计院控股的淄博石英陶瓷技术有限责任公司扩建的世界先进水平、国内独家生产熔融石英陶瓷辊的生产线于11月1日点火正式投产运行。 熔融石英陶瓷又称石英玻璃陶瓷或熔融石英耐火材料,习惯上也称石英陶瓷。六十年代在美国开发成功并批量生产。由于它具有热膨胀系数小、热稳定性好、电绝缘性好、耐化学侵蚀性好以及在1100C以下其强度随着温度的升高而增加等优良特性。产品自问世以来,迅速在美国、日本、前苏联、法国等国家的航空航天、电子、冶金、有色金属、玻璃等工业领域得到了应用。  相似文献   

11.
熔融石英陶瓷的注凝成型是以熔融石英陶瓷粉末为原料,丙烯酰胺(AM)为有机单体、N-N'亚基丙烯酰胺(MBAM)为交联剂,引发剂为过硫酸胺(APS),pH调节剂为乳酸,制备成熔融石英陶瓷的一种新型胶态成型工艺。注凝成型工艺受到各种因素的影响,如固相含量、单体含量和单体与引发剂的比率、料浆的pH的值、烧结温度、是否添加助剂等。为了制备出性能优越的石英陶瓷,需经过不断探索和改进注凝成型工艺,综合考虑各种影响因素,制备具有更好性能的石英陶瓷。  相似文献   

12.
粘土-熔融石英材质的陶瓷窑具,它以良好的抗热震性和高温荷重,已被陶瓷行业用户所公认,但由于冷态强度差,易于析晶,导致高温性能的变化,仍是窑具的研究工业者所要克服和改进的一项课题。本文论述选用细颗粒熔融石英作骨料,与超细锆莫来石结合,制成熔融石英-锆莫来石复合材质,来弥补粘土-熔融石英材质的-冷态强度低,易析晶等缺点,从而起到良好效果。  相似文献   

13.
以高纯熔融石英粉为原料,分别加入相对于熔融石英粉质量1%、2%和3%的纳米ZnO或纳米Y2O3,经50 MPa压力成型后,在还原气氛中,于1 300、1 350和1 400℃保温1 h煅烧后,测定试样的显气孔率和常温抗折强度,并采用SEM分析试样的断口形貌。结果表明:引入纳米ZnO或纳米Y2O3可以明显地促进熔融石英陶瓷的烧结,纳米ZnO可大大提高熔融石英陶瓷材料的抗折强度并显著降低其显气孔率,纳米Y2O3作为熔融石英陶瓷助烧结剂的最佳加入量(w)为2%。  相似文献   

14.
致密石英陶瓷的配方研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
本项目利用形成玻璃的添加物和浸渍工艺研制出了致密的石英陶瓷。分析了添加剂在坯体烧结中的作用和浸渍过程对烧结后试样性能的影响,得到了吸水率低于0.5%的致密石英陶瓷。  相似文献   

15.
石英陶瓷的性能   总被引:1,自引:0,他引:1  
(一)成形工艺石英陶瓷以透明石英玻璃废料或熔融石英砂(SiO_2含量99.5~99.2%)为原料制成,它是一种新型无机非金属材料,具有一系列独特的性能。它不仅可用来生产陶瓷制品,也可用来生产耐火材料制品,在许多工业部门得到了广泛的应用,已引起了人们的极大兴趣。  相似文献   

16.
放电等离子烧结技术制备熔融石英陶瓷   总被引:1,自引:0,他引:1  
闫法强  陈斐  沈强  张联盟 《硅酸盐通报》2007,26(2):362-365,381
以熔融石英陶瓷粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了熔融石英陶瓷材料。文章讨论了SPS方法制备熔融石英陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,计算了熔融石英陶瓷的析晶温度并与实际测试结果进行了比较。结果表明:利用SPS方法,在短时间内其析晶温度在1150℃以上,且烧结温度为1150℃时,材料的致密度达到了99.7%,熔融石英的烧结是表层熔融烧结机制,烧结过程中压力对致密度的提高贡献很大。  相似文献   

17.
颜汉军 《山东陶瓷》2007,30(1):19-20
本文研究了氮化硅加入物对石英陶瓷性能的影响。结果表明,氮化硅有助于石英陶瓷的烧结,而对烧结温度无影响。烧成在1150℃~1200℃温度范围内,石英陶瓷的强度、体积密度随氮化硅的添加量增大和烧结温度提高而增大,而石英陶瓷的显气孔率随氮化硅添加量的增大和烧结温度的升高而减小。  相似文献   

18.
高冬云  潘伟 《现代技术陶瓷》2006,27(1):32-34,48
介绍了提高熔融石英陶瓷力学性能的4种方法,即加入纤维、晶须、第二相颗粒及表面压应力增强。  相似文献   

19.
采用废石英玻璃制备了石英陶瓷材料,讨论了石英玻璃粒度和烧结温度对材料性能的影响,借助于XRD测试手段分析其物相组成。结果表明:具有合理的粒度级配,在1300℃温度下烧成可制得主晶相为α-方石英,晶粒粒度为50-110nm,并含有一定量的玻璃相,性能较为理想的石英陶瓷材料。  相似文献   

20.
透辉石对石英-粘土-长石三组分陶瓷显微结构的影响   总被引:5,自引:2,他引:3  
以30%石英—40%高岭土—30%碱性长石(质量分数,下同)为基本配方,井分别以10%和20%透辉石等量替代碱性长石组成新的配方,通过1150—1400℃烧结实验,研究透辉石对于三组分陶瓷烧成体物相、成分和结构的影响。结果表明:透辉石替代10%左右碱性长石可以明显提高坯体的密实度和颗粒配位数,有利于烧结过程中坯体的致密化。透辉石的熔融增加了熔体中Ca^2 和Mg^2 等网络修饰阳离子的含量,减弱了熔体的聚合程度,对于斜长石—透辉石低温共结体系的形成和鳞石英的生长以及气孔排除具有明显促进作用,有利于改善陶瓷烧结体的显微结构和实现低温快烧。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号