LaB_6发射的各向异性

为了获得更多的有关 LaB_6发射特性的知识,P、H、Schmidt 等曾测定了 LaB_6单晶的各种轴向的热离子电子发射。所观察到的最大发射具有〈110〉取向大约为1600K。在     

LaB_6纳米颗粒的制备及其在透明隔热胶膜中的应用研究

LaB_6纳米颗粒局部表面等离子体共振位于近红外区(NIR)内,在NIR波长～1000 nm处具有强吸光性能和高可见光透过率。本文系统总结了LaB_6纳米颗粒合成方法及其在透明隔热薄膜中的应用,重点介绍了机械化学法和热还原法合成LaB_6纳米颗粒,分析了各种原料、还原剂、表面活性剂对反应温度和粒度的影响,以及表面活性剂对LaB_6纳米颗粒在溶剂中分散性能的影响,简述了LaB_6纳米颗粒在阻挡NIR太阳能膜中的应用,针对高纯LaB_6纳米颗粒合成方法以及均匀分散在透明隔热薄膜中应用前景进行了展望。     

电子探针分析用的La(LaB_6)标样及其应用

LaB_6单晶具有良好的导电、导热、化学稳定性以及成分均匀,致密性好的优点。它可以作为电子探针分析La的理想标样。用LaB_6单晶作标样,分析了LaNi_5合金和混合稀土金属中的La含量并且获得了较满意的结果。本文还指出,LaNi_5合金也可以作为制备简便,成本低廉的标样。     

六硼化镧单晶阴极的电弧熔制法

LaB_6的单晶在扫描电子显微(钅井)和扫描传送电子显微(钅井)中,用来做电子发射阴极。其制备过程是:用一根压制 LaB_6粉末制成的棒,当一根电极固定在一个电极夹里,棒的一端是活动的,电极夹与一个直流电源的阳极相连接通电,在惰性气氛中,棒的活动的一端和第二个电极之间激发电弧,该第二个电极与电源的阴极相连接通电。     

浅谈纳米LaB6的制备及其应用开发现状

文章介绍了LaB_6的结构、性能、研究进展及其纳米化需求和应用,总结了纳米LaB_6材料和浆料的制备方法,概述了LaB_6的隔热性能应用开发历程,展望了LaB_6在透明隔热领域的应用前景。     

稀土科技成果图片

上图为电弧悬浮区熔炉,用区域熔炼法可制取六硼化镧单晶。LaB_6为近代的一种新型阴极发射材料,它具有优异的电子发射性能,电子逸出功低,电子发射密度大,被轰击性能稳定,寿命比钨丝高几十倍。广泛应用于电子显微镜、电子探针、电子束曝光机、质谱仪、衍射仪、能谱仪等方百。包头冶金研究所目前已可制取φ8×40mm的LaB_6单晶棒,棒见下图。     

稀土金属六硼化物

为充分利用我国丰富的稀土资源,加速四化造设,包头冶金研究所自一九七○年以来对某些稀土金属六硼化物的制备、成材、性能等方面进行了研究,并成动地试制出不同纯度(99％～99.99％),不同规格(粉状、棒状、异型块)的单一稀土金属六硼化物(LaB_6、CeB_6、PrB_6、NdB_6、SmB_6、EuB_6和GdB_6)、六硼化镧单晶体以及稀土金属硼化物复合体(LaB_6—BaB_6,EuB_6—LaB_6等)。稀土金属六硼化物具有熔点高、硬度大、电子逸出动低、挥发性小、抗中毒能力强、耐离子轰击能力强,反射能力强以及中子吸收截面大等优异性能,在国内外得到了广泛的应用。例如,LaB_6单体以及其复合体已成为令人满意的阴极材料,被用在各种类型的电子设备中;SmB_6和GdB_6作为辐射防护屏和控制棒材料应用在原子反应堆中;SmB_6是一种优异     

高辉度长寿命六硼化镧阴极的研究

1.前言稀土和碱土金属的六硼化物是具有电导性的高熔点化合物,并表现出良好的热电子发射性能。特别是六硼化镧(LaB_6),能作为低温高电流密度的热电子发射材料,自从1951年Lafferty的报告发表以来,引起了人们的特别关注,应用LaB_6阴极的研     

制取六硼化镧的试验报告

六硼化镧(LaB_6)熔点高,硬度大,化学性稳定,并具有电子逸出功小,抗中毒性强,电流密度大,寿命长等优点,是一种很好的阴极发射材料。其主要性质列于表1。在回旋加速器的离子源中用LaB_6代替Ta作阴极时,使用寿命可由原来的12小时提高到150—180小时。此阴极有高的功率,可用于磁控管,质谱仪和电子显微镜中,也可用在电子束焊接和电子轰击炉上。随着社会主义事业的飞速发展,我国有不少单位急需使用LaB_6。为了确定一个经济合     

RE_(0.06)La_(0.94)Nb_2O_6Cl的制备与光谱性质(RE=Pr、Eu、Tb、Dy)

本文采用真空下气体输运技术制备RE_(0.06)La_(0.94)Nb_2O_6Cl(RE=Pr、Eu、Tb、Dy)小单晶和多晶粉末样品。测定其晶体结构与LaNb_2O_6Cl的晶体结构相同,为正交晶系;Eu_(0.06)La_(0.94)Nb_2O_6Cl小单晶的晶胞参数为:a=9.751,b=7.321,c=8.364。观察RE_(0.06)La_(0.94)Nb_2O_6Cl(RE=Pr、Eu、Tb、Dy)的特征激发光谱和发射光谱及其能量传递现象。     

n型〈100〉掺硫GaP单晶研制

近年来,国内对发光二极管(LED)的需求量越来越大,并由单一的红、绿色向多色化发展。本文报道了黄、橙、红色LED用n型GaP单晶衬底的生长工艺及产品用作衬底和芯片的使用情况。 (一)单晶制备 单晶生长在MSR6R高压单晶炉内进行,石墨电阻加热。99.9999％的高纯镓及高纯磷先期在高压合成炉内制成GaP多晶。     

电弧悬浮区熔法制备六硼化(钅兰)单晶

前言六硼化镧(LaB_6)是近20年来新发展起来的一种阴极发射材料,它具有优异的电子发射性能,它的电子逸出功低,电子发射密度大,能在高场强下和低真空条件下工作,熔点高,硬度大,化学性稳定,抗中毒性强,并具有对离子轰击的稳定性等优点。1951年 J·M·Lafferty 首先发现六硼化镧具有优异的电子发射特性,引起了世界的注意,以后不少国家的科学家都对六硼化镧的性质及其应用进行了大量的研究,使六硼化镧的应用迅速     

大截面低位错水平法GaAs单晶研制

本文在水平生长 GaAs 单晶中首次应用了等电子掺杂技术,在制备大截面晶体进一步降低位错密度方面取得了显著效果。研制的 HB-12型单晶(100)片面积达到12cm~2,位错密度<500cm~(-2),研制的 HB-18型单晶(100)片面积达18cm~2,位错密度<5000cm~(-2)。     

碲化镉单晶的生产和应用

日本矿业和住友金属矿山两公司使用垂直布里兹曼法制造出CdTe单晶,该法是将高纯(6N)的镉和碲封入石英大容器中经加热熔融后徐徐冷却拉制成单晶。在拉晶过程中,由     

原子分辨率电子显微镜

日本电子公司生产的JEOL1000kV电子显微镜具有原子尺度的分辨率,称为ARM显微镜。这种显微镜的点分辨率为0.18nm,可观察到一般的金属、陶瓷、电子材料的原子图象。美国国家电子显微镜中心的劳伦斯伯克利实验室购置了一台这种显微镜。该仪器的高压发生器采用Cockroft-Walton系统,用高压氟利昂绝缘,稳定性高于1×10~(-6)/min。真空系统用两个溅射泵、铁吸附泵和涡轮分子泵,维持真空度为10~(-6)Pa。LaB_6电子枪保证在1000kV和25μA的条件下得到10~7A/cm~2/str的高亮度。在300000倍下曝光     

水平法生长无位错掺Si-GaAs单晶

用水平法生长成掺Si的无位错GaAs单晶。位错密度低于500厘米~(-2),电子浓度1-6×10~(13)厘米~(-3)。 水平法生长掺Si-GaAs单晶的主要困难是熔体与石英舟的沾润;其结果有二:(1)引入应力,得不到低位错的晶体;(2)易生孪晶,单晶率很低。 采用三温区法抑制Si与石英的反应,结合新合成工艺可以完善地解决沾润问题。注意选择籽晶的方向,可以减少孪晶的发生率。 克服上述问题后,用籽晶法可以生长成无位错的掺Si-GaAs晶体。     

Tb_(0.27)Dy_(0.73)Fe单晶生长

我们用“联合工艺公司”研究成的方法,试图在稀土三元素 Tb_(0.27)Dy_(0.73)Fe_(2.0)中生长单晶。因为有高度各向异性的磁致伸缩(λn=1.6×10.(-3)S10λ100),在应用中非常希望得到〈111〉生长方向的单晶。将一批炉料装在一个氮化硼坩埚内。炉料显著过热并超过其熔点。使温度短时间稳定     

单晶钨微/纳米晶须:气相合成、生长机理、性能测试和应用前景

单晶钨微/纳米晶须因其优异的场发射性能和力学性能而显现出巨大的应用前景。首先简要介绍了合成单晶钨微/纳米晶须的两种方法(直接气相合成法和催化剂辅助的气相合成法)和合成的钨晶须的形貌和结构特征;然后,着重阐述钨晶须的生长机理及其相关的性能(场发射、电学和力学)测试结果;最后,展望了钨晶须的应用前景。     

直径八十毫米锗单晶生产实践

锗单晶作为元素半导体,二十世纪五十年代曾在电子器件的应用中,放出异彩。六十年代以来,由于硅单晶技术的发展,逐步取代了锗单晶在传统的电子器件中的应用。从此,人们不断探索锗单晶的新用途。经典理论斯忒潘——玻耳兹曼定律指出,任何物体在绝对零度以上,都发出红外光,向外辐射能量,其单位面积上单位时间内辐射的能量Eo(T)与物体本身的绝对温度关系确定为:     

研制生长GaAs单晶的AlN、ZrB_2坩埚材料

随着以镓、砷为主的单晶市场的正式开展,拉制单晶的不可缺少的坩埚材料的研制工作开始活跃起来。拉制 GaAs 用 PBN(热分解氮化硼)坩埚污染少,但价格甚高(即便考虑订货量,一个直径6时的坩埚需150万日元),只有美国联合炭素工厂生产此种材料,此种材料随使用时间增加其脱皮量增