提高多碱光电阴极红光响应的研究

本文主要研究在摄象管中增加多磁光电阴极的厚度,从而延长红光响应,提高了积分灵敏度;并从工艺上进行研究,提高了多碱光电阴极在摄象管中的峰值波长和阈值波长。在光电阴极的膜厚约110nm时,光谱响应峰值波长为630nm,阈值波长为950nm,且曲线蜂值部分相当平缓,积分灵敏度达300μA/lm。使硅靶微光摄象管在低照度单级使用的情况下效果更加明显。     

SF-1401型紫外宽光谱SIT摄象管

引言摄象管的重要发展方向之一是使其光谱响应范围向红外和紫外扩展,为人们能在更宽的光谱范围内观察和研究各种现象提供重要条件。适用于微弱紫外光和低照度电视摄象系统的宽光谱SF-1401型摄象管已经研制成功,并已通过部级定型鉴定。该管属于硅增强靶(SI-T)摄象管,输入窗面板采用JGS_1远紫外光学石英,其紫外透过率很高,在石英面板的内表面,制作了多碱S-20型光电阴极,在此条件下,光谱响应范围可达1800-7500埃,在波长3300埃处其幅射灵敏度达到30毫安/瓦以上,这就使该管具有优良的紫外性能,以及宽光谱     

多碱光电阴极膜厚对阴极灵敏度的影响研究

叙述了多碱光电阴极光谱反射的特点,测量了超二代微光像增强器多碱光电阴极的光谱反射曲线,分析了光谱响应曲线产生干涉加强峰和干涉减弱峰的原因,比较了不同膜层厚度多碱阴极光谱反射曲线的区别。根据能量守恒定律,利用实测的多碱光电阴极光谱反射率和光谱透过率,计算出多碱光电阴极的光谱吸收曲线,通过研究不同厚度多碱阴极的光谱吸收,发现多碱光电阴极膜层厚度加厚并不会提高其对所有波段光吸收率的特点。厚度增加只会增加短波和长波的光吸收率,但中波的光吸收率不会增加反而下降,这是由于受到光谱反射的影响。阴极膜层的厚度既影响光谱反射和光谱透过,又会影响光谱吸收,因此也影响多碱阴极的光谱响应,所以多碱光电阴极的膜层厚度是影响多碱光电阴极灵敏度的一个关键参数。实践证明,转移式技术制作的多碱光电阴极膜层厚度也存在一个最佳值,超过这一最佳厚度,阴极的灵敏度不增反降,这是因为红外光谱响应增加不多,但中波光谱响应下降很多。所以对转移式多碱光电阴极而言,实践证明当膜层厚度达到最佳厚度时,膜层呈现淡红色,在制作过程中要控制好阴极膜层的厚度,这样才可能获得较高的阴极灵敏度。     

摄像管内真空压强的测量

摄象管必须在一定的真空和适当的气体成分下工作。对于“硬”真空的摄象管,管内真空度下降,将导致输出图象出现离子斑,光电靶面灵敏度下降,输出信号的信噪比降低,阴极中毒和损伤,管子寿命缩短等。对于“软”真空的摄象管,管内气体成分和真空压强的变化,将使本底电流不足,导致输出图象模糊,或者造成输出图象中离子斑,阴极中毒和损伤,管子寿命缩短等。所以,在摄象管制造过程中,测量封离后摄象管内的真空压强或残余气体压强,对分析摄象管的性能和合理确定工艺规范具有重要意义。     

南京钟山电子技术研究所十二项科研成果鉴定定型

继1979年硅增强靶摄象管、热释电红外摄象管等五项课题鉴定以后,1980年底我所又有紫外硅增强靶摄象管,硅靶扫描转换存储管等12项科研成果通过了鉴定定型(其中三项为部级鉴定).这12项科研成果,从国内看都具有较好的水平,其中一部分项目接近国外同类产品近期水平.鉴定会上,得到国内有关用户的好评.紫外硅增强靶摄象管采用远紫外石英面板、S-20光电阴极,是一种优良的宽光谱、高灵敏度摄象器件.光谱响应范围为2000～7500?,在波长为3300?时的紫外辐射灵敏度大于25mA/W.此管适用于微弱紫外光和低照度电视摄象系统,在公安、天文、激光检测、紫外光谱研究等领域有广泛的应用价值.鉴定会上还展出了福建省电子所采用此管研制成的紫外微光摄象机,该机已在实际应用中取得了满意的结果.此器件通过部级鉴定定型后,目前已开始小批量生产.     

微光卫星监视系统用大型硅增强靶摄象管

“EBSICON”是具有光电子轰击硅二极管阵列靶摄象管的通称。本文说明研制大型 Ebsicon(80毫米光阴极、32毫米硅靶的摄象管)的动机及研制情况后,介绍这种管子的特性。着重介绍投射到管子阴极面上成象单元的点光源强度和偏离扫描中心点光源响应对管子点光源性能的影响。我们重点探讨未来的空军深外层空间地面监视系统(GEODSS)对光阴极性能的要求。其次,介绍用 G 型星系在曝光时间分别为0.6秒和1/30秒的情况下野外测量的结果,并与 GEODSS 的光电传感器的发射特性进行比较。最后附表介绍一下对 Ebsion 管测得的重要特性参数。     

高分辨率a－Si：H摄象管制作工艺分析

高分辨率ａ－Ｓｉ：Ｈ摄象管制作工艺分析西北工业大学光电子研究室张哲ａ－Ｓｉ：Ｈ光导型摄象管靶面采用高阻ａ－Ｓｉ：Ｈ膜作光电导层，优点是无过荷开花，抗烧伤、高分辨，连续靶面，光谱响应覆盖可见区域且有红外延伸，靶面制作工艺简单，成本低，容易和微光管级联实...     

用氢化非晶态硅作靶面材料的摄象管

日立制作所中央研究所于一九七九年首次报导关于试制以氢化非晶态硅作为靶面材料的摄象管的消息,其灵敏度与硒碲视象管相同,对于2/3英寸的管子灵敏度可达0.9微安/10勒克司,但惰性较大,约为10％;后来发现在透明导电层与非晶态硅层之间插入S_iO_2薄层可大大改善暗电流,增加工作靶压,从而使惰性得到改善。制作氢化非晶态硅靶既可在(Ar+H_2)气氛中用磁控射频溅射多晶或单晶硅片,也可用辉光放电分解硅烷(SiH_4)同时掺杂的方法。用后一方法也制出了类似性能的摄象管。本文对氢化非晶态硅靶面的物理特性、制作工艺及管子性能作一简要的介绍。     

现代多碱光电阴极的均匀性对摄象管性能的影响

本文讨论了现代多碱光电阴极的均匀性对摄象管性能的影响和有关问题,对实用象管的均匀性进行了分析,并提出改进现代多碱光阴极非均匀性的方法,可使产品一致性和象管的性能得到提高。     

以CdTe1.xSex为主体的摄象管靶面的初步研究

以CdTe_(1-x)Se_x为主体的摄象管靶面,具有光谱响应范围宽、灵敏度高、分辨率优于硅靶、惰性和暗电流比硫化锑靶小的特点。本文介绍我们对该靶的实验研究、理化分析及试制管的初步测试结果。     

网状靶面热释电摄象管的特性

网状靶面可以改善热释电摄象管(PEV)的分辨率。用一般离子研磨法把TGS系材料的靶面网状化,而DTGFB材料的靶面,在通常条件下,用一般的离子研磨技术进行网状化就比较困难。本文讨论了用复合离子研磨技术所得到的结果。在制作DTGFB靶面时,采用这一技术,获得了纵横比为4:1,而在这样容易损坏的材料中,并没有出现常见的物理或化学损伤。我们制备了几支DTGS和DTGFB网状靶面的热释电摄象管,并对管子进行了测试。测试结果表明,DTGS网状靶面的管子的灵敏度和调制传递函数(MTF)都有很大提高,而DTGFB网状靶面的管子与非网状靶面管子相比,灵敏度和调制传递函数(MTF)也有一定的改进。     

微微秒扫描变像管的阴极制备及背景改善

本文介绍了在WS—306型微微秒扫描变像管中透过栅网蒸锑制备多碱阴极的方法以及为改善管子的静态和动态背景所采取的措施。实测阴极灵敏度最高达到140μA/1m。     

非晶硅摄象管

辉光放电等离子体沉积a-Si∶H膜已被用作光导型摄象管的光电导靶,并对其工作特性作了研究。结果表明:和一般的Sb_2S_3管比较,该管具有优良的特性。由于是“单室”靶结构,这种光电导管的制作程序相当简单。在大气中200℃以下a-Si∶H膜是稳定的,因而材料本身就决定了它适于作低成本、高性能器件。该管特别适用于x射线成象。为增加效率,非晶硅层可制备在硅窗口上,或用标准方式和输入侧荧光屏耦合。此材料也可用来制作EBIC(电子轰击感应电导)型管子,此时用a-Si∶H替换二极管阵列。使硅网络中结合C和Ge来控制其掺杂特性,可变更带隙,从而分别扩展了蓝光和红光响应。同样,此材料可掺P或B来获得p-i-n结构靶,制成功和氧化铅管相似的的摄象管。     

TiO2薄膜基底上制作多碱光电阴极的探索研究

在TiO_2薄膜基底上制作多碱光电阴极,发现多碱光电阴极制作工艺无法正常进行,多碱光电阴极的颜色为暗黑色,并且阴极灵敏度非常低,而正常的多碱光电阴极应为红褐色。其中TiO_2薄膜基底利用原子层沉积(ALD)工艺制备在玻璃窗上,并且具有锐钛矿晶体结构。X射线衍射仪(XRD)分析发现,制作多碱阴极后的TiO_2薄膜样品锐钛矿衍射峰基本消失,另外X射线光电子能谱(XPS)分析发现该TiO_2薄膜样品不同深度均存在Na元素,由此表明是Na元素渗透到TiO_2薄膜中,破坏了薄膜的晶体结构,并且导致多碱光电阴极灵敏度非常低。为此提出了一种在制作多碱光电阴极之前,在TiO_2薄膜上利用ALD工艺制作一层Al_2O_3钝化膜的方法。经过实验验证,证实该方法可以有效避免Na元素渗透到TiO_2薄膜,同时多碱光电阴极制作过程可正常进行,多碱光电阴极的颜色为红褐色,阴极灵敏度超过800mA/lm。这为将来深入研究采用TiO_2薄膜作为多碱光电阴极的减反膜打下了基础。     

氧化铅靶的暗电流

前言氧化铅视象管是以氧化铅光电导层作为光敏靶的电视摄象管,这种管子具有灵敏度高、光电转换特性呈线性、惰性小以及分辨能力好等特点,是适合于彩色电视广播用的优越摄象管。该管的另一个特点是暗电流非常小,在正常运用条件下只有1毫微安数量级。暗电流的存在,影响着管子所摄取的图象的底色,当它非常小而且相当均匀时,其影响很不显著。但当它相当大而且存在于靶面局部某一处时,图象上便会出现底色不均匀或产生斑点等缺陷。此外,暗电流变大也是管子寿命     

用于摄象器件的a-Si∶H膜

1.引言人们在进行高性能摄象器件的研究中,将氢化无定形硅(α—Si:H)膜用作摄象管的靶正在引人注目。其原因是α—Si:H靶具有灵敏度高、分光灵敏度复盖了整个可见光区域、分辨率高、烧伤现象非常小等特点。而且,和固体摄象器件相比较,虽然在薄形、     

硒砷碲摄象管靶面中碲含量及分布对其光电特性的影响

引言硒砷碲摄象管(Saticon)是一种具有分辨率高,暗电流小,惰性小等优良特性的光导摄象管,它的各项技术指标都已达到氧化铝管的水平,已广泛用于彩色广播电视摄象系统。硒砷碲摄象管靶面是由无定型硒(Se)做主体材料而掺以一定比例的砷(As)、碲(Te)、而组成的。掺 As 的目的是增加无定型 Se 材料的热稳定性。由实验研究已证明,在无定型 Se 中均匀掺以7—15%原子比的 As 可得到即热稳定性好,又保持无定型 Se 良好光电特性的靶面、掺 Te 的目的是改善靶面的光谱响应。实验已表明纯 Se 或掺 As10—15%的 Se     

光电阴极制备对硅二极管阵列靶的污染问题

在电子倍增硅靶摄像管(SEM 管)中,制备光电阴极时碱金属蒸汽会对硅二极管阵列靶造成一定的污染。对污染问题进行了下述一些实验:(1)光电阴极制备对电阻海阻值的影响;(2)锑铯阴极与三碱阴极(S—20)的制备对 SEM 管污染的比较。实验结果证实:(1)碱金属蒸汽对碲化镉(CdTe)电阻海阻值未产生显著影响;(2)锑铯阴极比三碱阴极对 SEM管的污染小得多。为了解释实验中的一些现象,提出下述观点:电阻海 CdTe 对碱金属是一个阻挡层。依据这个观点做了一些理论推导及估算,初步解释了实验中出现的一些现象。     

RDS-406型红外热释电摄象管

由昆明物理研究所研制的RDS-406型红外热释电摄象管,为充气型热释电摄象管,是一种不需致冷的红外成象器件,能与工业电视摄象机配套使用。摄象管采用锗平板作输入窗口,TGS热释电晶体作灵敏靶完成光电转换。靶面直径18mm,工作     

电视摄象器件发展概述

本文介绍卅年代以来电视摄象器件的发展。从初期的光电摄象管到性能较完善的超正析象管,标志着电子束摄象管已达到了成熟的阶段。硅靶摄象管的出现,首次将半导体集成电路技术引进了电视摄象领域,开拓了发展全固体摄象机的新时代。相继出现的电荷耦合器件及电荷注入器件,其性能日趋完善,不断为各种用途的摄象机所采用。文中简述了各种电视摄象管和固体摄象器件的结构、原理、性能等。有关它们的详细叙述可查阅参考资料及各种文献。