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采用置换还原法在片状铜粉上镀银。对铜粉镀银制备过程及抗氧化性能做了研究。实验结果表明,在铜粉表面首先发生置换反应,生成点缀式银颗粒,之后银颗粒长大,不完全的包覆在铜粉表面,溶液中过量的银离子在还原剂的作用下,表面银层进一步生长,得到完全包覆银的铜粉。通过X-射线衍射分析,片状铜粉镀银层表面未见氧化物,所得粉末表层结构致密。铜粉镀银层具有良好的抗高温氧化性。 相似文献
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化学镀可性锡基合金的研究进展 总被引:3,自引:1,他引:2
本文综述了近10来来化学镀可焊性锡基合金的研究现状及动态,列举了4种没镀液体系的曲型配方及工艺,并对化学镀锡合金的未来发展提出了建议。 相似文献
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电磁屏蔽导电涂料用片状镀银铜粉的研究 总被引:11,自引:0,他引:11
介绍了电磁屏蔽导电涂料用镀银铜粉的生产方法,对其性能指标进行测试.同时,将本研究制得镀银铜粉应用于导电涂料的配制,制得电磁屏蔽导电涂料,并对导电涂料性能指标进行测试.并对行业的发展进行了展望. 相似文献
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铜基上化学镀锡工艺研究 总被引:9,自引:1,他引:9
研究了一种新型甲烷基磺酸化学镀锡工艺,介绍了镀液中各成分的作用,探讨了稳定剂,络合剂,还原剂、促进剂、防氧化剂,表面活性剂,温度、沉积时间等因素对沉积速度影响,结果表明,该工艺镀液稳定,可用于电子元器件以及表面安装器件,印制电路板等铜基上化学镀锡。 相似文献
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为解决受电弓滑板制造过程中的Cu/C界面问题,以硫酸铜为主盐,锌粉为还原剂,利用化学镀的方法在石墨粉表面镀覆铜层。研究了主盐、冰乙酸质量浓度、镀覆温度和时间等因素对化学镀铜的影响。实验结果表明,在硫酸铜质量浓度为60 g/L、锌粉24 g/L、冰乙酸14~18 mL/L、镀覆时间为40 min、温度为35℃的条件下得到的镀层均匀、致密且与石墨粉呈锯齿状紧密结合。 相似文献
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为了提高铁的耐蚀性,在镀锡铁基体上进行了化学镀铜的研究。系统地研究了柠檬酸-酒石酸二元配位体化学镀铜体系中各因素对镀速的影响。结果表明,柠檬酸-酒石酸二元配位体系的镀速大于柠檬酸单配位体系的镀速。随着CuSO4.5H2O、柠檬酸、酒石酸、次磷酸钠浓度的增大,以及随着pH和温度的升高,镀速均先升高后降低。化学镀铜液的最佳组成为:CuSO4.5H2O 12 g/L,柠檬酸40 g/L,酒石酸40 g/L,次磷酸钠20 g/L,抗氧化剂1 g/L,硼酸10 g/L,表面活性剂0.1 g/L。最佳温度为55~60℃、pH为1.25~1.76。在最佳条件下,铜的镀速为5.06μm/h,获得的镀层表面光亮平滑,结晶致密,耐蚀性良好。铜锡镀层之间、锡镀层与铁基体之间的结合力优良。 相似文献
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采用电化学工作站测试了化学镀铜液中钨片及钨粉压片表面开路电位的变化规律,并对化学镀铜钨片及铜包钨复合粉进行了分析. 结果表明,刚浸入化学镀铜液时,钨粉开路电位约为-600 mV,经微增、速降过程后短时达到稳定电位(约-870 mV),之后再迅速升高,300 s时基本达到稳态沉积电位(约-690 mV),此时,铜单膜层包覆基本完成. EDTA×2Na与TART复合络合剂通过调节钨粉表面电荷分布促进铜包覆反应,微量(≤10 mg/L)添加剂2,2¢-联吡啶能有效抑制镀层中Cu2O生成,改善镀层质量. 相似文献
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利用正交实验对硝基纤维素片化学镀铜工艺进行优化,初步确定导电性能优先时最佳工艺条件为c(Cu2+)=5g/L,c(HCHO)=5mL/L,c(NaKC4H4O6.4H2O)=30g/L。对表面金属化的硝基纤维素片进行差热分析以及对镀层进行电阻测定的结果表明,镀层与硝基纤维素片有较好的相容性,镀层有良好的导电性。 相似文献
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研究了以乙醛酸为还原剂的化学镀铜工艺、镀层结构和形貌。其镀液组成和操作条件为:28.0 g/L CuSO4.5H2O,44.0 g/L EDTA-2Na,10.0 mg/Lα,α’-联吡啶,10.0 mg/L亚铁氰化钾,9.2 g/L乙醛酸,pH为11.5~12.5,θ为40~50℃。实验结果表明,化学镀铜溶液较稳定;镀液温度和硫酸铜质量浓度提高,铜沉积速率增大;较高的镀液温度下,化学镀铜反应的活化能较低,镀液稳定性下降;镀液pH在11.5~12.5可获得较好的铜镀层;随乙醛酸和络合剂质量浓度提高,铜沉积速率变化不大,但过量的乙醛酸导致镀液的稳定性降低;铜镀层为面心立方混晶结构,呈光亮的粉红色块状形貌,有较高的韧性。 相似文献