共查询到20条相似文献,搜索用时 109 毫秒
1.
2.
研究了单电子晶体管的特性,文章提出一种基于单电子晶体管阵列的传输特性实现CNN方法,设计构成CNN。仿真结果表明,所设计的硬件电路具有结构简单、功耗低、频率特性好.将其应用于图像处理具有一定的灵活性和通用性。 相似文献
3.
4.
5.
为减少卷积神经网络(CNN)的计算量,该文将2维快速滤波算法引入到卷积神经网络,并提出一种在FPGA上实现CNN逐层加速的硬件架构。首先,采用循环变换方法设计行缓存循环控制单元,用于有效地管理不同卷积窗口以及不同层之间的输入特征图数据,并通过标志信号启动卷积计算加速单元来实现逐层加速;其次,设计了基于4并行快速滤波算法的卷积计算加速单元,该单元采用若干小滤波器组成的复杂度较低的并行滤波结构来实现。利用手写数字集MNIST对所设计的CNN加速器电路进行测试,结果表明:在xilinx kintex7平台上,输入时钟为100 MHz时,电路的计算性能达到了20.49 GOPS,识别率为98.68%。可见通过减少CNN的计算量,能够提高电路的计算性能。 相似文献
6.
7.
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和二叉判别图数字电路的设计思想,改进了二叉判别图(BDD))单元,得到了一类基本逻辑门电路,进而提出了一种由11个BDD)单元即22个SET构成的全加器电路单元。SPICE宏模型仿真结果验证了设计的正确性。 相似文献
8.
文章在研究单电子晶体管(Single Electron Transistor,SET)I-V特性的基础上,阐明了一种简化分析方法,并据此设计了一个SET积分器,说明了SET积分器的工作条件、结构、性能、参数和特点。仿真结果表明:该积分器的传输特性与采用其它两种方法描述SETI-V特性所构成的积分器传输特性有着良好的一致性。这种简化分析方法同样适用于SET在其它功能电路中的应用。 相似文献
9.
10.
在分析单电子晶体管(Single Electron Transistor,SET)I-V特性基础上,阐明了背景电荷对SET I-VGS特性和I-VDS特性的影响,并针对SET工作的不同情况,提出了解决背景电荷问题的几种不同方法。举例说明了其中的一种抑制SET积分器电路背景电荷的方法,仿真结果证实了其有效性。文中所提出的解决背景电荷问题的方法同样适用于其它SET电路。 相似文献
11.
12.
13.
14.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学算法改进模型。该模型的优点是:考虑了背景电荷的影响,可由实际物理参数直接获得,支持双栅极工作,便于逻辑电路的分析。研究了背景电荷和各物理参数对I-V特性及跨导的影响,讨论了双栅极单电子晶体管的逻辑应用:简化了“异或”逻辑电路,改进了二叉判别图电路的逻辑单元。 相似文献
15.
一种基于互补型单电子晶体管的全加器电路设计 总被引:4,自引:0,他引:4
基于单电子晶体管(SET)的I-V特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SKT构成的全加器电路结构。该全加器优点为:简化了“P—SET”逻辑块;通过选取一组参数使输入和输出高低电平都接近于0.02mV和0mV,电压兼容性好;延迟时间短,仅为0.24ns。SPICE宏模型仿真结果验证了它的正确性。 相似文献
16.
基于SET的I-V特性以及SET与MOS管互补的特性,以MOS管的逻辑电路为设计思想,首先提出了一个SET/MOS混合结构的反相器,进而推出或非门电路,并最终实现了一个唯一地址译码器.通过SET和MOS管两者的混合构建的电路与纯SET实现的电路相比,电路的带负载能力增强;与纯MOS晶体管实现的电路相比,电路同样仅需要单电源供电,且元器件数目得到了减少,电路的静态功耗大大降低.仿真结果验证了电路设计的正确性. 相似文献
17.
基于正统单电子理论,提出了单电子晶体管的I-V特性数学模型。该模型的优点是:它由实际物理参数直接获得;支持双栅极工作,更利于逻辑电路应用。I-V特性和跨导仿真结果证实了它的准确性。 相似文献
18.
19.
单电子晶体管的数值模拟及特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
在正统单电子理论的基础上,使用主方程方法,对金属隧道结组成的单电子晶体管进行了I-Vg和I-Va特性曲线的数值模拟。在单电子晶体管中,电子能否隧穿通过势垒,主要是由电子隧穿引起的系统自由能的变化而决定的。文中从自由能量出发对器件特性进行分析,从而得到电容、电阻以及电压等参数对库仑台阶及电导振荡的影响。当两个结电阻不同时,能够看到明显的库仑台阶现象。具有较大结电阻的隧穿结,电容也较大时可以完善库仑台阶,优化单电子晶体管的曲线。 相似文献
20.
《Microelectronics Journal》2007,38(8-9):894-899
In the first part of this paper, we present simulations of single-electron transistor (SET) output characteristic using Maple. Typical SET I–V characteristics and charge energies curves are presented by developing Maple programs. In the second part of this work, we develop a new model without considering quantum effects using the superposition theorem, transfer function and Laplace transformer. Finally, we propose a new bloc using SIMPLORER 7.0 simulator to modulate quantum effects in the SET island. This model is based on a parallel analog–digital converter. 相似文献