在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

φ76.2mm重掺砷硅单晶的研制

本文就如何在TDR-40A单晶炉上拉制出φ76.2mm重掺砷硅单晶作了介绍,提供了试验装置,给出了工艺条件及试验结果,并对重掺砷和重掺锑晶体的异同点进行了初步讨论。重掺锑硅单晶比重掺砷单晶需要更大的(dT/dz)_L,重掺砷硅单晶与重掺锑硅单晶同样有(111)小平面存在,但没有杂质析出现象。     

挤压比和退火温度对TA22钛合金挤压管组织与性能的影响

通过热挤压方法制备了φ50 mm×8 mm和φ45 mm×7 mm两种规格的TA22钛合金管.研究了9.85、12.6两种挤压比和650、700、750、800℃四种退火温度对热挤压管显微组织和力学性能的影响.结果表明:挤压比对TA22合金挤压管的力学性能影响不大,可以采用较大的挤压比制备TA22合金管以提高生产效率;...     

高阻探测器级硅单晶

高阻探测器级硅单晶是制备核辐射探测器等特种器件必不可少的原材料,是硅单晶中的尖端品种。其纯度极高,制备难度很大。我们从多晶硅的纯度,高阻硅单晶的制备技术及高纯工艺、高阻硅单晶电学参数的测量等几方面进行了研究。几年来,陆续向国内有关单位提供了小批量p型、电阻率高于2×10~4Ω·cm的硅单晶。现已研制出一批p型电阻率高于4×10~4Ω·cm的硅单晶。     

大型工业纯钛锭缩孔加工愈合新工艺

纯钛铸锭缩孔加工愈合工艺在日本、美国等工业发达国家早已应用。日本神户制钢φ840mm铸锭在二次真空自耗电弧熔炼后期只补缩16min,缩孔大小为φ50mm深为350mm,经锻造、轧制、挤压等热加工之后可以得到愈合。过去,我国在钛工业化生产中仍采用传统的熔炼后期补缩,用机械加工的办法切掉铸锭冒口,然后再进行锻造开坯的传统工艺。该工艺要除冒口     

提高C_Z重掺锑硅单晶质量和成品率的研究

由于直拉重掺锑硅单晶存在截面电阻率均匀性差、杂质管道、杂质条纹、析出、位错等问题,在生产中不仅产品成品率低,而且产品的质量和数量都不能满足器件生产的需要。本文研究产生上述问题的诸因素,分析目前国内拉制重掺锑硅单晶的工艺和几种典型的热系统,提出运用减压拉晶法制备重掺锑硅单晶的工艺。这项工艺对提高直拉重掺锑硅单晶的质量和成品率都有明显的效果。     

在825mm初轧机上生产SUS630 180mm钢材生产工艺的研究

本文介绍了用SUS630φ510mm钢坯在φ825mm初轧机上生产φ180mm钢材的生产工艺,比较详细介绍了各地生产工序工艺参数的选择。通过生产试验表明,对于SUS630钢或类似的马氏体沉淀硬化不锈钢,在φ825mm初轧机上,只要采用合理的生产工艺可以生产出符合相应标准的各种规格的大型材。     

低氧速凝工艺制备RE(Nd,Pr)-Fe-B稀土永磁母合金的研究

选用Nd-Pr,Fe-B合金,纯铁以及海绵锆为原料,按一定的比例,采用低氧(真空、Ar气)速凝工艺,在1400℃～1450℃,φ600mm×500mm规格铜轮,v=1m/s～2m/s的冷却强度下,制备厚度为0.2mm～0.45mm的(Nd,Pr)-Fe-B稀土永磁母合金薄片,并对产物通过XRD,SEM进行表征.采用一定工艺将合金制备成烧结永磁体,通过对退磁曲线分析,证明可获得性能理想的(Nd,Pr)-Fe-B产品.     

切分轧制技术用于150^2连铸坯生产小规格螺纹钢圆钢的可行性研究

1 前言 我公司轧钢车间系引进日本二手设备,半连续轧制。该设计、安装及工艺均采用日方提供的方案和技术。1996年5月试生产以来,已轧制规格φ12mm～φ25mm的螺纹钢近40000t。工艺见图1。其主要设备配制如下:粗轧φ550mm×1 电机AC1500KW     

烧结方式对钼制品组织性能的影响研究

采用湿氢活化烧结、真空烧结及中频感应氢气烧结3种工艺制备出φ17 mm的钼棒坯,对钼棒坯的杂质含量、微观组织、密度进行比较分析,并考察其加工φ0.18mm钼丝的加工性能。结果表明:与中频感应烧结工艺相比较,湿氢活化烧结能迅速完成烧结过程,且其烧结温度大大降低,烧结出的钼坯晶粒细,密度高;真空烧结有利于低熔点杂质的排出,且其深加工性能有较明显的优势。     

φ50mm大规格HRB400E、HRB500E抗震钢筋的研究与生产

介绍了莱钢生产φ50 mm大规格HRB400E、HRB500E抗震钢筋的研究与生产过程,通过钢筋的窄成分范围设计,钒微合金化等工艺来稳定钢材的化学成分,并通过设计合适的轧制工艺,达到满足钢筋性能要求.试制结果表明,莱钢φ50mm大规格抗震钢筋具有较好的综合性能,实物质量达到了GB 1499.2-2007标准要求.     

线切割机床用铜合金电极线研制

本文介绍了φ0.20mm及φ0.30mm铜合金电极线研制的工艺路线。该电极线在DWC-110G型、EC3040型及LXE50型等进口慢速走丝线切割机床上实际切割性能达到日本进口丝水平。讨论了解决线材抗拉强度和平直度的途径。     

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。     

GCr15轴承钢碳化物液析的控制工艺探讨

石钢二轧厂为进一步控制GCr15轴承钢碳化物液析,采用150mm×150mm坯型、两种加热工艺制度生产〈φ38mm、≥φ38mm规格钢材,使轴承钢的液析得到了控制,取得了明显效果。     

悬浮区熔法制备中、低阻硅单晶

区熔硅单晶纯度高,补偿度小,其高电阻率单晶在整流器件领域显示出优越性,但重掺杂工艺制备中,低电阻率FZ单晶较为困难,本文介绍一种简便掺杂方法,能较稳定生产10～10~(-2)Ω·cm区熔硅单晶。     

45~#φ25mm圆钢的开发与应用

本文主要介绍了在1~#棒线开发45~#φ25mm圆钢的工艺选择及过程控制,结合轧线特点及圆钢的质量要求,通过合理设定轧制工艺,成功开发45~#φ25mm圆钢。同时就圆钢常见问题进行了浅析,借用相同方法,实现了φ16-φ25mm圆钢系列化生产,产品质量满足了国家标准及客户要求。     

北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶

北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。 半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应     

37Mn钢的性能及应用

本文介绍了为出口钢质无缝气瓶研制的专用材料37Mn钢的性能及应用。该钢具有较好的力学性能和工艺性能，可采用普通的正火处理工艺生产φ219mm无缝气瓶，采用调质处理工艺生产要求较高的φ232mm无缝气瓶。     

260 mm×300 mm轴承钢连铸坯生产φ70～φ75 mm棒材的工艺实践

通过严格控制冶炼、轧制过程,采取快速加热工艺及对Ф650 mm×1/Ф550 mm×1/Φ550 mm×4半连轧生产线的孔型系统重新进行设计、优化,莱钢成功开发了采用260 mm×300 mm大断面连铸坯生产φ70～φ75 mm规格GCr15轴承钢棒材.实践表明,该工艺合理可行、轧制过程稳定,且产品的各项性能指标均符合国家标准要求.     

500B钢筋的研究与开发

通过成分和试制工艺设计,采用热轧工艺和预热处理工艺成功开发了φ10mm~φ40mm的港标500B高强钢筋,生产工艺稳定,产品成分和性能均满足港标CS2:2012标准要求。