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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 84 毫秒
1.
介绍了一种采用0.6μm CMOS工艺设计的高增益两级运放结构。结构主要采用基本的两级运放结构,并采用增益提高技术提高放大器的增益。用SmartSpice软件对电路进行了仿真,仿真结果表明,此电路能够将输入信号放大20000倍以上,单位增益带宽为13MHz,±2.5V电源供电,功耗小于1.4mW。  相似文献   

2.
设计了一种低电压全差动增益增强CMOS运算跨导放大器。主运放为一个P管输入的折叠式共源共栅结构,两个辅助运放被设计用来提升电路的输出阻抗和开环增益。主运放采用了一种改进的开关电容共模反馈电路,有更快的建立时间和更高的精度。电路采用中芯国际(SMIC)0.18μm混合信号CMOS工艺设计,1.8 V电压供电,仿真结果表明,运算放大器的开环直流增益为92.2 dB,单位增益带宽可达504 MHz。  相似文献   

3.
设计并讨论了一种高单位增益带宽CMOS全差分运算放大器。由于折叠共源共栅结构电路具有相对高的单位增益带宽以及开关电容共模反馈电路稳定性好、对运放频率特性影响小等优点,故设计的放大器采用了折叠共源共栅结构以及开关电容共模反馈电路技术,并达到了高单位增益带宽的设计目的。基于TSMC0·25μmCMOS工艺,仿真结果表明,在2·5V的单电源电压下,运算放大器的直流开环增益为70dB,单位增益带宽为500MHz。  相似文献   

4.
一种高增益带宽CMOS全差分运算放大器的设计   总被引:2,自引:2,他引:0  
介绍了一种采用折叠式共源共栅结构的高增益带宽全差分运算放大器的设计和实现,详细讨论了折叠式共源共栅放大器的电路结构、共源共栅偏置电路,以及开关电容共模反馈电路(SCCMFB).电路的设计基于CSMC 0.5μm DPTM 5V混合信号工艺.仿真结果表明,该电路在5V电源电压下具有64 dB直流开环增益、155 MHz单位增益带宽.通过在一款ADC电路中流片验证,该放大器达到设计指标要求.  相似文献   

5.
设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,采用套筒式级联增益自举电路,达到高增益带宽且低功耗。在3.3V电源电压下,用TSMC0.35μmCMOS工艺模型,通过Cadence软件Spectre仿真平台,驱动1PF负载时,相位裕度为65度,单位增益带宽为316MHz,功耗5.7mW,压摆率200V/μs。  相似文献   

6.
何泽炜  郭俊  张国俊 《微电子学》2015,45(4):457-460
设计了一种基于TSMC 0.5 μm工艺的高共模抑制比、高增益运算放大器。针对该运放的结构,提出了相应的频率补偿方法,使得电路具有较好的稳定性。该运放可用于生物电势信号检测等对共模抑制比要求较高的场合。仿真结果表明,电路的共模抑制比高达137 dB,低频增益为117 dB,单位增益带宽为6.36 MHz,功耗仅为227 μW。  相似文献   

7.
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns,共模抑制比153 dB。  相似文献   

8.
设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器。该放大器由三个折叠式共源共栅运算放大器组成,可用于12位40MHz采样频率的流水线A/D转换器。详细分析了折叠式共源共栅运算放大器中由增加增益增强电路产生的零极点对。该放大器在0.35μm CMOS工艺中开环增益为112dB,单位增益带宽为494MHz。  相似文献   

9.
朱江南  杨兵  姜岩峰 《微电子学》2015,45(6):714-717
采用增益提高技术,设计了一种高增益全差分运算放大器,其主运放和两个辅助运放均为全差分折叠式共源共栅结构,并带有连续时间共模反馈电路。详细地分析了由增益增强结构为此运放带来的零极点对。该运算放大器采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺设计,开环直流增益可达138 dB,单位增益带宽为252 MHz。  相似文献   

10.
王晋  仇玉林  田泽   《电子器件》2005,28(2):342-345
通过增益提高技术,一个全差分增益提高套筒式共源共栅运算放大器被提出和设计。该运算放大器得主运算放大器是由全差分套筒式共源共栅放大器构成,并带有一个开关电容共模反馈电路。而增益提高放大器是由全差分析叠式共源共栅放大器构成,它的共模反馈电路是连续时间反馈电路。该运算放大器采用中芯国际0.35μmixed-signal CMOS工艺设计,运算放大器的直流增益可达到129dB,而单位增益频率为161MHz。  相似文献   

11.
功率放大器是大功率器件,其自身会消耗大部分的功耗,并导致功率放大器芯片的温度在一个很大的范围内变化,因此功率放大器的控制电路需要对环境温度的变化不敏感。针对这一要求,设计出一个对温度不敏感的全差分CMOS运算放大器,该运算放大器采用TSMC 0.18μm工艺,选用折叠式共源共栅、宽摆幅偏置电路结构。在负载电容为10 pF条件下,最大直流增益达到115 dBm,相位裕度为70°;在整个温度范围内(-40~+125℃)运算放大器的增益变化仅为1 dBm,相位裕度仅变化5°,满足设计要求。  相似文献   

12.
设计了一种采用增益增强技术并带有共模反馈的全差分运算放大器.该运算放大器主要由三个折叠式共源共栅结构的运放、一个偏置电路和一个共模反馈电路组成.运算放大器采用chartered 0.35 μm CMOS工艺实现,仿真结果表明运放开环增益为106.8 dB,单位增益带宽为58 MHz,相位裕度为79°(负载Cload=1 pF).对流片运放进行测试和分析,运算放大器测试指标和仿真指标基本接近,较好达到预先的设计要求.  相似文献   

13.
王自强  王志华 《半导体技术》2004,29(11):65-67,60
设计了用于无线接收机的中频变增益放大器.该放大器由运算放大器和电阻反馈网络组成.分析了闭环变增益放大器产生失真的原因,通过提高输出电阻的线性等方法降低了输出大信号的失真.设计的全差分变增益放大器使用韩国"东部"CMOS 0.25 μ m工艺,电源电压3.3V,在2Vpp差分输出下,失真低于-80dB,放大器功耗3mW.  相似文献   

14.
刘源  王新安  徐文杰 《半导体技术》2010,35(10):1031-1034
介绍了一种适用于高速高精度流水线模数转换器(ADC)的放大器.该放大器使用了增益提升技术,具有高增益、高单位增益带宽的特点,能满足高速高精度ADC对放大器的性能要求.该放大器采用1.8 V 1P6M 0.18 μm CMOS工艺实现,仿真表明直流增益为100 dB,单位增益频率为1.2 GHz(负载电容1.5 pF),功耗16 mW.将该放大器用于10位100 MS/s转换速率的流水线ADC,测试结果表明该放大器性能达到设计要求.  相似文献   

15.
低电压高增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
张蕾  王志功  孟桥 《中国集成电路》2009,18(5):68-71,77
本文基于SIMC 0.18μm CMOS工艺模型参数,设计了一种低电压高单位增益带宽CMOS折叠式共源共栅运算放大器。该电路具有相对高的单位增益带宽,并具有开关电容共模反馈电路(CMFB)稳定性好、对运放频率特性影响小的优点,Hspice仿真结果表明,在1.8V电压下,运算放大器的直流开环增益为62.1dB,单位增益带宽达到920MHz。  相似文献   

16.
设计了一种适用于DVB-C标准的高频调谐器中的CMOS可变增益放大器.该放大器由指数控制电路、放大电路和共模反馈电路三部分组成,其中指数控制电路是通过构造一个近似的指数函数来实现.仿真结果表明放大器在3.3V供电电压时,核心电路功耗为4.63mW,增益范围0~30dB,频率范围是46~268MHz,噪声系数小于10dB.  相似文献   

17.
采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计实现了一种对数增益线性控制型的宽带可变增益放大器.电路采用两级结构,前级采用电压并联负反馈的Cascode结构以实现良好的输入匹配和噪声性能;后级采用信号相加式电路实现增益连续可调.同时本文设计了一种新型指数控制电压转换电路,解决了射频CMOS电路中,由于漏源电流与栅源电压通常不为指数关系而造成放大器对数增益与控制电压不成线性关系的难题,实现了可变增益放大器的对数增益随控制电压呈线性变化.芯片测试结果表明,电路在1.8V电源电压下,电流为9mA,3dB带宽为430~2330MHz.增益调节范围为-3.3~9.5dB,最大增益下噪声系数为6.2dB,最小增益下输入1dB压缩点为-9dBm.  相似文献   

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