共查询到20条相似文献,搜索用时 78 毫秒
1.
2.
用红外吸收、熔体KOH腐蚀和霍尔效应测量等方法测量了硅掺杂和未掺杂LEC GaAs中EL_2浓度([EL_2])分布、位错密度分布、碳分布及硅分布发现掺硅和未掺杂样品中[EL_2]分布和位借密度分布的对应关系不同。[EL_2]分布与杂质和本征点缺陷分布有关。在实验结果的基础上讨沦了[EL_2]分布不均匀性的机理。 相似文献
3.
4.
5.
6.
本文除介绍GaAs单晶制备技术的发展过程外,重点叙述了近年来为实现GaAs单晶的高质量化而对LEC法提出的各种改进措施。 相似文献
7.
8.
本文采用漂移扩散与扩散模型,对双层VPE GaAs浓度分布进行了数学模拟,找出了有源层杂质初始分布和最终分布,从而找到了浓度过渡区宽度的解析解.与实验结果取得了好的一致. 文中还给出了实验测定的杂质 Sn在 VPE GaAs气-固相间的分配系数.给出了浓度分布的理论计算公式. 相似文献
9.
研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷,发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关.采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察,并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析.并设计了两个实验:其一,在CdTe/GaAs衬底上,低温下用Hg源照射20min,再在其上继续高温生长CdTe;其二,在CdTe/GaAs衬底上,一直用Hg源照射下高温生长CdTe.两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷,采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察,通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较,我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质. 相似文献
10.
11.
测量比较了掺Si和未掺杂LEC GaAs晶锭不同部位EL2浓度和位错密度分布。结果表明,掺Si样品中EL2浓度径向分布和位错密度径向分布分别为M形和W形,而未掺杂样品中两者均为W形。讨论了两者间不同对应关系的机理。 相似文献
12.
本文报导了LEC法SI—GaAs单晶的研制及结果分析。在SI—GaAs非掺杂单晶生长基础上,生长了一种轻掺铬的SI—GaAs单晶,并在VPE等应用中取得了较好结果。 相似文献
13.
研究了垂直梯度凝同法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单品材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单品生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象.对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析. 相似文献
14.
研究了垂直梯度凝固法(VGF法)生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较. 利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析. 利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷. Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低. VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象. 对降低缺陷密度,提高掺杂效率的途径进行了分析. 相似文献
15.
SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10~(15)cm~(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个~0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响. 相似文献
16.
3.GaAs中的杂质和缺陷的行为 3.1 GaAs中的施主、受主、中性、双性和深能级杂质 GaAs中的掺杂技术比Si中复杂,可选择的杂质较多,杂质在GaAs中可替代Ga或As原子,也可处于GaAs晶格的间隙位置上,因而表现出不同的电学性质。 相似文献
17.
18.
本文利用注入剂量法,对离子注入掺Zn的GaAs样品进行了SIMS定量分析,得到了Zn在GaAs中的浓度分布,并由此获得了稳定的相对灵敏度因子,利用相对灵敏度因子法对GaAs 中的掺杂元素进行定量分析,获得了较好的结果,相对偏差小于 8 %,此外,本文讨论了GaAs中杂质元素二次离子产额的覆氧效应,对注入剂量法进行了覆氧修正. 相似文献
19.
报道在国产JW一0002型高压单晶炉内设计了一种改进的LEC热场装置,改善了加热区的温度分布,使炉内覆盖剂B_2O_3的轴向温度梯度减少到30~60℃/cm,拉制的φ50mm,<100>晶向的SI—GaAs单晶,其位错密度低于5×10~3cm~(-2),局部无位错。 相似文献
20.
东芝公司考虑到杂质碳使FET闽值电压产生偏差的作用比位错大得多,就采取了两种途径来减少碳的沾污,开发出了本文这种GaAs晶体生长技术。两种途径是,向熔液水平施加3400奥斯特的强磁场,以控制对流;把碳炉体材料改换成AIN材料和用热解氮化硼覆盖加热器。其结果提高了整个晶锭的均匀性。使制作在整个3英寸片子上的FET阅值电压偏差小于20mV,而且能从3kg晶锭上切出70~80片大圆片。由于阈值电压偏差要比市售晶体的小一半,所以有可能制作出更高速的GaAs LSI。还由于制作成本仅比过去的非掺杂LEC的高10%左右,所以有利于GaAs LSI的批量生产。 相似文献