a—Si：H薄膜结构对晶硅薄膜性能的影响

用ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸的电性能薄膜的初始结构有密切关系,而ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的切初结构依赖于沉积条件,用ＰＣＶＤ方法高速沉积的ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜,经５５０℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几面ｎｍ,最大晶粒尺寸为２μｍ,电导率为１．６２（Ω．ｃｍ）＾－１的优质多晶硅薄膜。     

液晶光阀阻光层研究

本文研究了阻光层在液晶光阀中的作用，报导了我们首先提出的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ作为液晶光阀阻光层。ａ－Ｓｉ：Ｈ光导层和ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ阻光层通过辉光放电等离子体化学气相沉积法连续制得。本文研究了不同沉积条件下ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜结构和光电性质。ａ－Ｓｉ：Ｈ和随这沉积的ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ形成了ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结。采用ａ－Ｓｉ：Ｈ／ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ异质结构液昌光阀可改进器件的许多性能。     

超高真空（UHV）PECVD系统沉积a—Si1—xCx：Hk薄膜及其特性

本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学了相沉积（ＶＨＶ－ＰＥＣＶＤ）复合腔系统 只ａ－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈｋ薄膜及其特性。系统的真空度可达１０＾－７Ｐａ（１０＾－９Ｔｏｒｒ）以上。通过控制Ｈ２对常规用混合气体（ＳｉＨ４＋ＣＨ４）的稀释程度以及相应的ＣＨ４比例,优化沉积工艺参数,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳（ａ－Ｓｉ１－ｘＣｓ：Ｈｋ）薄膜,通过ＲＢＳ、ＥＲＤＡ、ＩＴ和Ｒａｍａｍ光     

a—C：H（N）薄膜的慢正电子分析

采用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２的混合气体在单晶Ｓｉ衬底上用射频－直流等离子化学气相沉积法制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用Ｆｏｕｒｉｅｒ红外谱研究了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的结构。用慢正电子湮没技术研究了类金刚石薄膜中缺陷的深度分布以及Ｎ的百分含量对薄膜中缺陷浓度和缺陷类型的影响。Ｆｏｕｒｉｅｒ红外测试结果表明,ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中氮含量随混合气体中Ｎ２百分含量的升高而增大,薄膜中碳氮原子形成Ｃ≡Ｎ键。慢正电子分析表     

氮对纳米硅氮薄膜晶化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ２Ｈ）薄膜，结果表明，当Ｎ２／ＳｉＨ４气体流量比（Ｘｎ）从Ｉ增加为４时，薄膜的晶态率从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｎｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２，当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉｕＮｘ２Ｈ）薄膜，当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０＾－５（Ωｃｍ）＾－１降至１０＾－     

氮对纳米硅氮薄膜品化的影响

在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中，用高氢稀释硅烷和氮气为反应气氛制备纳米硅氮（ｎｃ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜结果表明：当Ｎ＿２／ＳｉＨ＿４气体流量比（Ｘｎ）从１增加为４时，薄膜的晶态年从５８％降至１４％，晶粒尺寸从１０ｎｍ降至５ｕｍ，Ｎ／Ｓｉ含量比从０．０３增至０．１２．当Ｘｎ≥５，则生成非晶硅氮（ａ－ＳｉＮｘ：Ｈ）薄膜．当Ｘｎ从１增加为１０时，薄膜暗电导率从１０￣（－５）（Ωｃｍ）￣（－１）降至１０￣（－１１）（Ωｃｍ）￣（－１），具有逾渗行为，这与薄膜的晶态率紧密相关．     

非晶硅碳合金(a-SiCx:H)薄膜的进展

从制备方法,结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金（ａ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ：Ｈ）薄膜的发展状况作了专门评述。     

薄膜晶体管a－Si：H／a－SiN_x界面研究

对比ａ－Ｓｉ：Ｈ／ａ－ＳｉＮｘ界面附近ａ－Ｓｉ：Ｈ和体材料ａ－Ｓｉ：Ｈ的光致发光谱（ＰＬ）发现：随着ＳｉＮｘ中ｘ的增大，ＰＬ峰值向低能方向移动，相对发光强度减小。这是因为由于氮含量的增加，界面晶格不匹配加剧，导致悬挂键密度增多和深能级隙态密度增加。该观点得到Ｃ－Ｖ测试结果的证实。     

激光诱导化学气相沉积法制备a-Si3N4纳米粒子研究

给出激光化学气相沉积法制备ａ－Ｓｉ３Ｎ４的纳米粒子的原理和经验公式,在特定工艺参数下获得平均粒径为１０ｎｍ左右的优良ａ－Ｓｉ３Ｎ４纳米粒子,红外吸收和拉曼光谱研究表明,ａ－Ｓｉ３Ｎ４纳米粒子中存在Ｓｉ－Ｎ,Ｓｉ－Ｈ,Ｎ－Ｈ,Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ键,分析了ａ－Ｓｉ３Ｎ４纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况。     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

a—C：H（N）薄膜的生物相容性

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２与Ｎ２的混合气体制备了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用动物急性实验法和细胞毒性实验法研究了ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的生物相容性。结果表明,ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜的生物相容性优于常用生物材料纯Ｔｉ,且能为细胞的生长提供合适的生长表面。     

掺硼对非晶碳化硅膜的影响

试验观测了掺硼对氢化非晶碳化硅膜生长速度，膜的组分，光学带隙，电导率，硬度和结合力的影响。结果证明，用等离子体分解（ＳｉＨ４和ＣＨ４）混合气体制备的α－Ｓｉ１－ｘＣｘ：Ｈ膜能有效的掺杂。硼掺杂可改变光学带隙，电导率和硬度。退火可增加薄膜的硬度和结合力。     

非晶硅太阳电池和HLRB—TD6A非晶硅太阳电池镀膜机

文章简述了国内外非晶硅太阳电池的发展及通常用于沉积含氢非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）薄　　　　　　　　膜的　ＰＣＶＤ工作原理。详尽叙述了　ＨＬＲＢ－ＴＤ６Ａ非晶硅太阳电池镀膜机的结构和　　　　　　　　设计特点。该机设计合理，本底真空度高，电场、气流、温度分布均匀，无各室间不同　　　　　　反应气体的交叉污染，沉积的Ｐ、Ｉ、Ｎ型ａ－Ｓｉ：Ｈ材料性能极佳，是在聚酯膜、不锈　　　　　　　　钢带等柔性衬底上连续沉积ａ－Ｓｉ　：Ｈ太阳电池的理想设备。     

非晶氮化硅薄膜退炎前后微结构的XPS研究

用Ｘ射线光电子谱研究了由等离子体增强化学气相沉积方法制备的富硅ａ－ＳｉＮｘ∶Ｈ（ｘ≤０．８０）薄膜的结构。实验中选取两类典型样品,ｘ分别为０．２８和０．８０。对Ｓｉ２ｐ峰用两个高斯峰来拟合,结果表明样品中确实存在分凝现象,是由ａ－Ｓｉ原子团和位于其边界的富氮ａ－ＳｉＮｙ∶Ｈ组成,其中ｙ约为１．５。随Ｎ含量增加,两相所对应的Ｓｉ２ｐ峰的位置和半高宽均不发生变化,但两相相对强度的变化导致了Ｓｉ２ｐ峰向高能方向移动。７５０℃高温退火后,样品中发生结构重组,对ｘ＝０．２８的样品,Ｈ释放后形成的硅悬挂键与Ｎ结合,使ａ－Ｓｉ相所占比例从５８．９％下降到４６．３％,而且键角畸变增加引起各峰半高宽大大展宽;对ｘ＝０．８０的样品,高温退火使两个Ｓｉ－Ｎ－Ｈ结合形成两个Ｓｉ－Ｎ键并释放出氢,因此无论是两相比例还是半高宽均无大的变化     

rf—dc PECVD制备的a—C：H（N）薄膜的结构分析

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成Ｎ－Ｃ、Ｃ＝Ｎ和Ｎ≡Ｃ键,而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相,薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在非晶态ＣＮｘ基体中组成。     

纳米GaAs—SiO2镶嵌复合薄膜的制备

利用射频磁控共溅法制备了纳米ＧａＡｓ－ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜，通过Ｘ射线衍射，透射电镜和Ｘ射线光电子能谱等手段研究了薄膜的结构及其与沉积时基片温度间的关系，结果表明，薄膜由晶态的ＧａＡｓ及非晶ＳｉＯ２组成，ＧａＡｓ在沉积过程中未明显氧化，且以纳米颗粒形成的均匀地弥散在ＳｉＯ２中；ＧａＡｓ的平均粒径依赖于沉积时的基片温度，获得了ＧａＡｓ的平均粒径在３～１０ｎｍ的ＧａＡｓ→ＳｉＯ２镶嵌复合薄膜。     

溅射工艺对SiCN薄膜沉积及光性能的影响

本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜,研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构,膜中三元素Ｓｉ、Ｃ和Ｎ两两之间形成了共价键．Ｎ分压的提高降低了薄膜的沉积速率．Ｎ流量的提高使光学带隙增大．溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高,但使得光学带隙减小．     

非晶硅光敏材料的高电阻率化研究

本文研究了用于制造非晶硅感光鼓的高阻非晶硅光敏材料，通过微量掺Ｂ、Ｏ，控制ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜中的ＳｉＨ２和ＳｉＨ基团的组成比，有效地实现了非晶硅材料的高电阻率化，其暗电阻率ρｄ≥１０＾１３Ω·ｃｍ，在可见了光至近红外光范围内，具有很高的单色光电导增益，σｐｈ／σｄ≥１０＾３。分析了ａ－Ｓｉ：Ｈ［Ｂ、Ｏ］材料ＩＲ谱的特征，说明了氧原子和硅－氢基团对微结构的影响及其在支配非晶硅光电性能方面的重要作用。     

a-C:H(N)薄膜的制备及性能

采用射频－直流等离子化学气相沉积法用Ｃ２Ｈ２、Ｎ２和Ａｒ组成的混合气体制备ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,研究了薄膜的制备工艺、结构及直流导电特性。实验结果表明,ａ－Ｃ：：Ｈ（Ｎ）薄膜的沉积速率随混合气体中Ｃ２Ｈ２含量的增加而增大,当混合气体中Ｎ２含量增加到７５％时,薄膜的含氮量增大到９．０９％。薄膜中Ｃ、Ｎ原子以Ｃ≡Ｎ和Ｃ－Ｎ键的形式存在,结合进薄膜中的氮大大降低薄膜的直流电阻率。     

a－Si：H表面键合光敏染料及其光电导

本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的吸收光谱和光电导。结果表明，光敏染料可使ａ－Ｓｉ：Ｈ敏化，改善其光吸收和光电导。