电子封装用陶瓷基片材料的研究进展

简要介绍了电子封装发展情况及其对基片材料的性能要求,分析了陶瓷基片作为封装材料性能上的优点,概述了几种常用陶瓷基片材料的优缺点及其应用:Al2O3作为传统的陶瓷基片材料,优点是成熟的工艺和低廉的价格,但热导率不高;BeO、BN、SiC等都具有高热导率,在某些封装场合是合适的选择;AIN综合性能最好,是最有希望的电子封装陶瓷基片材料.介绍了多层陶瓷基片材料的共烧技术和流延成型技术,并指出LTCC技术和水基流延将是未来发展的重点.     

低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状

主要概述了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,简称LTCC)材料的应用和研究现状,认为利用低温共烧陶瓷技术将多种元器件复合或将其集成在多层陶瓷基板中是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向,在我国应大力发展具有自主知识产权的LTCC技术.     

微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展

介绍了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及低温共烧技术对微波介质陶瓷的性能要求.总结了微波介质陶瓷实现低温共烧的主要方法,详细综述了典型微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展,指出了其目前存在的问题,并针对微波介质陶瓷低温共烧技术的发展方向提出了看法.     

Al2O3陶瓷的电子辐照效应

作为电子元器件封装材料的α－Ａｌ２Ｏ３陶瓷基片，在电子辐照，高温及高电场下，其电导率会持续增加直至击穿，电子辐照后，其电介质特性也发生了变化。     

铝基碳化硅增强材料(Al/SiC)和低温共烧陶瓷(LTCC)的钎焊

铝基碳化硅增强材料 (Al/SiC)和低温共烧陶瓷 (LTCC)适合高性能微波电路的高密度组装 .对这两种材料进行焊接时 ,温度和气氛对基材的焊接性能影响很大 .铝基碳化硅增强材料的镀层在焊接温度时容易发生氧化 ,低温共烧陶瓷的厚膜导体在真空加热和高温还原性气体的条件下焊接性劣化 .采用金基钎料中温钎焊时 ,优质的焊料和合理的焊接工艺是获得优质焊缝的关键 .     

微波介质陶瓷Ca3LiNiV3O12的低温共烧结及性能研究

微波介质陶瓷在现代化的移动通信技术中发挥着越来越重要的作用,而多层片式结构是实现微波电路元器件进一步小型化的重要途径。多层片式结构需要实现微波介质陶瓷同高导电率的电极如Ag、Cu的共烧,然而Ag(961℃)、Cu(1064℃)的熔点相对陶瓷的烧结温度比较低。因此,在保证陶瓷材料良好介电性能的同时,寻找能够与Ag、Cu共烧的低温烧结的微波介质陶瓷将是今后发展的方向。我们研究了一种新的微波介质陶瓷Ca3Li Ni V3O12(CLNV),其最佳烧结温度在900℃,可以达到和熔点较低的Ag电极的共烧,共烧时样品和Ag电极界面处并没有界面反应和发生明显的扩散现象。CLNV陶瓷的相对介电常数εr=11.84;相对密度D=3.48g/cm3。     

电子元器件的发展及其对电子浆料的需求

电子浆料是电子信息材料的重要组成部分，而电子信息材料是电子信息技术的基础与先导。一代材料孕育出一代元器件、一代系统、一代整机，从而改变着人们的生活方式及生活环境。反过来，电子元器件及整机的更新换代，又促进了电子材料的改进和提高。专家们认为。21世纪初的5-10年，是我国信息产业迅速发展的关键时刻。电子信息材料产业发展规模和技术水平，是衡量一个国家经济发展、科技进步和国防实力的重要标志，它在国民经济中具有重要的战略地位，是科技创新和国际竞争最激烈的材料领域，电子浆料也不例外。     

Si3N4/W高温共烧陶瓷的制备与研究

氮化硅陶瓷具有良好的热导率与优异的力学性能，在大功率电子器件中具有较好的应用前景。实现氮化硅陶瓷与金属的高温共烧对其在电子器件中的应用具有重要意义。高温共烧技术常用氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷和氮化铝陶瓷作为基板材料，鉴于此，本工作以氮化硅陶瓷为基板材料，结合流延成型、丝网印刷以及高温共烧技术制备氮化硅多层共烧组件，探究烧结助剂(Er₂O₃)含量对氮化硅陶瓷性能的影响，并对氮化硅多层组件脱粘工艺、界面结构与成分和导电性能进行分析与讨论。结果表明：Er₂O₃含量为9%(质量分数，下同)时，可得到相对密度、收缩率、热导率和抗弯强度分别为95.35%、10.33%、69.94 W/(m·K)和(807.33±10.34) MPa的氮化硅陶瓷。适用于氮化硅多层组件的脱粘工艺为：在真空下以1℃/min的速率升温到600℃并保温1 h。共烧后氮化硅多层组件中的W层厚度约为7μm, W层与陶瓷层界面明显，既存在机械互锁型结构，也有界面反应发生，产物为W₅Si₃。组件的薄层方阻...     

电子封装基片材料研究进展

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求,分析了电子封装用陶瓷,环氧玻璃,金钢石,金属及金属基合材料的性能特点,论述了电子封装基本的研究现状,并指出了发展方向。     

低温共烧陶瓷技术(LTCC)与低介电常数微波介质陶瓷

简述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及微波介质陶瓷实现低温共烧的性能要求,重点介绍了LTCC低介电常数微波介质陶瓷的分类及微波介电性能,分析和讨论了LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,针对LTCC低介电常数陶瓷材料今后的发展方向提出了自己的看法。     

导电陶瓷

多数陶瓷是极好的绝缘体。从住宅架线用的固定接线端子到电容器的介电层,电路衬底和封装材料,陶瓷因具有阻止电子流动的能力,在电路中的应用到处可看到。然而,陶瓷材料还有大量的是非绝缘体。这些陶瓷的导电性从高到低都有,常用作电阻器和半导体。在极端温度下,陶瓷还能表现出一些惊人的性质,例如高温离子导电性     

一种电子电压表检定仪的研制

本介绍一种电子电压表检定仪的工作原理及设计方法，该仪器是具有定点频率、定点电压下正弦波信号输出的标准电压源，采用微差法计量原理，设计了误差电路，在误差显示器上能直读被检表偏离定点电压的误差值△，并采用集成运放简化了整机电路，因而具有准确度高，稳定性好，读数方便，使用安全可靠等特点。     

车规标准AEC-Q100在高可靠领域的适用性研究

本文首先介绍了车规电子标准AEC-Q100的详细内容,并对车规电子具有灵活性、高可靠的特点进行了详细的解读;其次,研究了AEC-Q100与军用、宇航用标准在质量保证要求、试验内容上的区别与联系,并进行了详细比对与分析;最后,给出了AEC-Q100在高可靠领域的适用性研究结论,并提出后续建议及重点研究方向。该研究对我国高可靠领域元器件向低成本、高可靠方向发展具有一定的借鉴意义。     

新型高灵敏度压电陶瓷多层膜结构加速度传感器

采用压电陶瓷粉体厚膜流延成型工艺和陶瓷内电极共烧技术制成了一种圆环状多层膜结构的压电陶瓷片,用它代替以往圆环状单片压电陶瓷片后,其压电加速度的灵敏度大幅度提高。本文对该加速度的性能进行了研究。这种体积小、重量轻、灵敏度高的新型加速度计可望在高新技术领域中获得应用。     

接插件用导电弹性材料及其表面处理

一、前言接插件是电子设备、电气装置和仪器仪表中,通过“插”、“拔”方式,使电路之间或电路与电源之间快速地实现电气联接的元件。它不仅是整机各系统间进行联接、组装、维修和置换的必不可少的部件,同时也是影响整机技术性能甚至决定整机使用价值的重要因素。接插件的用途十分广泛,几乎遍及宇航、航空、航海、铁路、原子能、电讯、电子、仪器仪表等各个工业部门。特别是近来,接插件在电子计算机、数据通讯装置、无线电设施、载波传输设备、电话交换系统、电视共用天线及各种测试仪器中的应用急剧增加;并且在车辆、飞机、舰艇和海上开发等特殊领域中,以及彩色电视机、立体声装置和磁带录音机等     

与Ag内电极共烧对ZnVSb压敏陶瓷显微结构及性能的影响

研究共烧影响及其机理是开发多层片式压敏电阻的基础和关键。采用XRD、SEM、EDS研究了与Ag内电极共烧对ZnVSb陶瓷显微形貌、晶体结构及烧结性能的影响。结果表明,与Ag内电极共烧不影响ZnVSb陶瓷的相组成,但阻碍ZnVSb陶瓷烧结。Ag通过富V液相扩散并恶化其与ZnO晶粒的浸润性,从而阻碍ZnVSb陶瓷的致密化进程。Zn在Ag内电极中不存在扩散,而Sb在其中的扩散破坏了ZnVSb陶瓷原有的成分配比。研究结果为ZnVSb基片式压敏电阻开发奠定了基础。     

面向电子制造的功率超声微纳连接技术进展

为满足电子制造与封装对新材料与工艺的迫切需求,尤其是高功率、高温服役、高集成度以及高可靠性等新型器件的连接难题,开发了面向电子制造的功率超声微纳连接技术。从固相键合、超声复合钎焊和超声纳米连接3个方面,综述了面向电子制造的功率超声微纳连接技术的原理方法、优势与应用场合。功率超声由于其表面清洁、声流和空化作用,将大幅提升冶金反应速率,有效解决了传统TLP反应温度高时间长,以及Cu和Al等金属的易氧化等问题,甚至攻克了Al2O3,AlN,SiC等陶瓷基板的难润湿以及低温纳米颗粒烧结驱动力不足的难题。综述了该领域多年来的研究成果,聚焦电子制造中的功率超声微纳连接技术,从固相连接领域的引线键合、室温超声金属连接和超声增材制造,到钎焊领域的超声低温软钎焊、超声中高温连接以及超声瞬态液相连接,最后针对第三代半导体高功率器件简述了超声纳米连接,探讨了功率超声微纳连接技术的研究进展及趋势。     

低温共烧陶瓷{\bf (LTCC)}技术在材料学上的进展

低温共烧陶瓷（LTCC）技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术，已经成为无源集成的主流技术，成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点．本文叙述了低温共烧陶瓷技术（LTCC）的特点、制备工艺、材料制备相关技术和国内外研究现状以及未来发展趋势．     

氧传感器YSZ陶瓷层的制备及其与Al_2O_3绝缘层的共烧

片式氧传感器在生产过程中需要对YSZ与Al_2O_3陶瓷进行叠层共烧,为保证内部多孔铂电极的功能,共烧温度不能高于1 500℃。实验采用溶剂热法制备纳米级YSZ粉体,通过调节反应温度与反应物浓度降低合成YSZ粉末的烧结温度,使其1 400℃烧结致密度达99.1%,500℃电阻率仅为11.5Ω·m;之后通过将Al_2O_3与CaO、MgO、SiO_2等烧结助剂混合方式降低Al_2O_3的烧结温度,并通过调整Al_2O_3粉体中α相与γ相的比例使其烧结收缩率与YSZ陶瓷匹配,500℃电阻率为1.3×104Ω·m。在1 400℃范围内可以与YSZ实现共烧,得到不翘曲不开裂的双层共烧陶瓷,可以达到氧传感器的制备与使用要求。     

一种低温共烧AlN陶瓷基片的排胶技术

介绍一种由高热导率AlN陶瓷和金属W共烧制备低温AlN陶瓷基片的排胶技术．研究了排胶过程中残余碳对AlN陶瓷基片相组成、烧结特性和微观结构的影响．结果表明：两步排胶法可以较好地解决W氧化及AlN陶瓷颗粒表面吸附残余碳的问题．