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摘要:简单介绍了一种利用|Γ(f)|曲线及半功率带宽方法获取谐振腔参量的方法,并介绍了半功率带宽的意义及确定方法。 相似文献
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叶日昌 《光纤与电缆及其应用技术》1980,(3)
同轴系统驻波比的扫频测量,目前主要采用扫频反射计测量方法。对于1.1以上的驻波比,这种方法是很有效的。但这种测量技术的精度,受到同轴定向耦合器内部结构的限制,方向性不易做得很高,主线驻波比又较大。因而反向耦合和测试端的失配便成为主要误差因素。反射计系统等效剩余驻波比一般说来都不小,而且随频率的扩展而增高。目前国内生产的同轴扫频反射计的等效剩余驻波比约为1.15左 相似文献
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R.S.Viles 《光纤与电缆及其应用技术》1976,(2)
现有三个新部件,它们可以用来扩大扫频信号发生器的各种测量的范围。TE2361扫频信号发生器的一个新插件不需要增加任何的检波器就可以把上限频率提高到1000MHz。TM9694型超高频扫频单元保持了其原先的插入单元所调到的响应平坦度和失真度,同时220MHz到1000MHz的频率复盖是用直接的方法产生的。 TM9954型对数放大器可有效地与扫频信号发生器或者普通的信号发生器配合使用,响应的对数显示可达70dB,而频率范围是由所用的检波器来确定的。用TM9953型ρ电桥可以作精密的电压驻波比测量,它工作的频率范围从1MHz到1000MHz,并且它有一个内装的放大器用来提高分辨力。对这三个新部件的有关应用也作了说明。 相似文献
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根据微扰理论,用微扰法对Ho11模的缓变截面开式谐振腔的场分布f(Z)、绕射品质因素Qd及固有品质因数Qo进行测量。导出了Hopq模的Qd、Qo与微扰频偏的关系式,以及对磁场微扰情况下微扰系数的测试公式。使用一般常用的元件,仪器及简单的测试线路,得到了较好的结果。场分布的测试值与计算值的一致性甚好。测量的谐振频率与计算值的相对误差小于0.1%;Qd值的相对误差约为10%。众所周知,谐振腔的主要参量Q值及其频率Wo的测量通常是用逐点法或扫频法。它们都是取决于驻波比(或反射系数)的测量。然而,回旋管中用的缓变截面开式谐振腔的模式一般为园波导的Hop1模,它和矩型波导之间接有H°_(lo)——H°_(op)的模式转换器及模式滤波器。因此,在矩型波导中测出的驻波比并不是开式谐振腔在该频率下所产生的驻波比。故使用一般的测量方法必然会造成很大的遗差。为了能较准确地测量出腔中场分布,以及Wo、Qo、Qd等参量,我们采用微扰法。根据测量的场分布计算出腔的固有品质因素Qo及绕射品质因素Qd。其测量精度取决于微扰体的大小及频偏的测量精度。限于现有仪器设备,在1MHz分辨率的颁标下,测得的Qd值的相对误差约为10%;谐振频率的误差小于0.1%;场分布与数值计算结果十分吻合。 相似文献
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在微波元件的产品测试中,使用定向耦合器和检波器进行扫频反射波损耗和传输损耗测量,需要化大量时间,通过把一台小型半导体存贮器加到用来完成测试的系统,进行这些测量的大量麻烦就可以消除。迠立一根参考校准曲线并从测得的数据中减去它需化费大量的时 相似文献
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用扫频法快速测量各种系统的幅频特性是动态特性,按逐点描绘法取得的幅频特性是静态特性。本文在阐述这些问题的基础上,介绍了动态幅频特性的参量计算方法,这对设计扫频仪、频谱分析仪、扫频接收机很有用处。正确使用扫频法测量幅频特性,可以避免大量测量结果中误差的分析与估算。 相似文献
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大多数测量群时延系统都采用尼奎斯特和布兰特在1930年提出的方法。这个方法是测量调幅射频载波通过被测设备时调制包络的相移,并用近似公式把这个相位测量转化为时延测量。然后,改变射频载波频率,读取一个新值。当射频载波频率改变时,如果时延读数保持不变,那就没有群时延失真。因为这个条件在理论上是不可能的。所以, 相似文献
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我们用一台旋光仪,以DKDP晶体纵向电光效应所引起的光程变化补偿其它晶体的电光效应所引起的光程变化,提供了一种简单、迅速和高灵敏度地测量晶体半波电压和电光系数的方法.采用此方法测量了典型的电光晶体ADP和KDP的横向与纵向半波电压和相应的电光系数γ_(63),以及LiNbO_3;晶体的横向半波电压与相应的电光系数γ_(22).实验结果与其他方法的测量值及文献报道的值基本一致. 相似文献
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单片机在扫频频率测量中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了一种基于8098单片机的采用“相关计数”、“△t扩展”和“扫频同步”等技术实现的快速而准确测量扫频率率的原则、软硬件框图,并对系统误差作了分析。 相似文献