MLC存储信道下的双层LDPC码优化设计

大数据及云存储的发展对传统的存储技术提出了更高的要求。为了进一步提升多级存储单元的存储效率,提出了一种双层低密度奇偶校验(Low-Density Parity-Check, LDPC)码的优化设计方法。该方法针对多层单元(Multi-level Cell, MLC)信道的非对称性特性,对存储单元的单页添加额外校验比特以提高存储单元闪存信道的译码性能,并对单层LDPC码和本算法的性能进行了分析。仿真结果表明,在多级存储单元信道中使用BP译码算法进行译码,误码率为10^-5时,基于双层LDPC码构造的纠错码算法比单层LDPC码有约额外4 000次的擦除次数的提升,且译码复杂度也相应降低。     

阵元夹角对短波双层对数周期天线阵的影响

采用矩量法分析了短波双层对数周期天线扇形阵的辐射特性,研究了二元扇形阵辐射方向图与阵列单元之间夹角的关系,计算了不同阵元个数的双层对数周期天线扇形阵的增益.研究结果表明,当阵元夹角为单元对数周期天线的结构张角时,二元扇形阵的辐射特性最好,且二元扇形阵的增益高于三元和四元扇形阵的增益.     

基于龙芯3A的低功耗存储控制器的研发

云计算和物联网时代的一个重要特点是信息数据量爆炸性增长。图灵奖获得者Jim Gray提出了一个经验定律,每18个月的数据量是有史以来数据量的总和,存储控制器是管理这些海量数据的中枢。存储控制器对主处理器的性能要求很高,尤其是I/O吞吐性能,目前中高端存储控制器采用功耗大、接口复杂的主处理器,造成整机功耗大、系统电路复杂等问题。龙芯3A处理器较好的解决了功耗问题,为高性能低功耗存储控制器的研发提供了可能。本文研究基于龙芯3A构架的低功耗存储控制器硬件设计、基于缓存算法的读写性能提升。     

双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化研究

以中国科学院微电子研究所开发的双层场板长漂移区LDMOS为研究对象,通过长效(Long-term)可靠性实验展示了其特殊性退化过程,即I_(dss)快速下降—略微增长—再缓慢下降。通过TCAD仿真对双层场板长漂移区LDMOS的特殊退化现象进行仿真与分析,展示了器件内部物理量的变化。从理论上阐明了双层场板长漂移区LDMOS热载流子退化机理并对其特殊退化过程进行了解释说明。     

电视后期制作系统中基于对象网络存储的应用

本文回顾了网络存储的发展过程及相关的概况,较为详细地对基于对象的网络存储进行了理论分析,并结合中央电视台目前使用的AVID Unity ISIS系统在基于对象网络存储方面进行了分析。     

一种低功耗水下多通道实时采集存储装置的设计

为准确获取目标的多项动态参数并进行实时、稳定的存储,我们设计了一种可在水下进行采集存储,并实现多次启动的采集装置。该装置的硬件主要包括信号调理电路、电源管理电路、时统触点接口电路。对于时统信号,采用抽样判决消抖,在一定程度上保证了时统信号接收的可靠性。同时采集存储装置在多次水中测试过程中未出现误启动状况,系统运行稳定可靠。     

基于单片机的低功耗红外报警系统设计

<正> 随着社会的发展,住宅条件的改善,人们对自己所处环境的安全性提出了更高的要求。简便、可靠的报警系统已经开始进入家庭。被动式热释电红外报警系统因其价格低廉、性能稳定、隐蔽性好、保密性高等优点得到了广泛应用。目前,市场上基于热释电红外传感器的报警系统,功能较为单一,开关设防和遥控设防不     

基于存储联盟的双层动态副本创建策略—SADDRES

针对面向企业的数据网格应用,给出了平民数据网f格DGHB的概念,并提出了针对DGHB网格的一种基于存储联盟的双层动态副本创建策略—SADDRES.通过在数据网格模拟工具OptorSim中的模拟,分析、比较了SADDRES策略与基于缓存的副本创建策略、基于经济模型的副本创建策略等多种策略的性能.实验结果表明,SADDRES策略在面向企业的数据网格应用中具有更好的系统性能.     

空间相机遮光罩的低功耗热设计

空间相机遮光罩的温度波动直接影响附近光学元件的温度波动,而光学元件的热变形将导致光学成像质量的下降。针对一种高分辨率空间相机的遮光罩,提出了几种不同的热控方案并进行了比对分析。首先,介绍了空间相机遮光罩的一般热控措施及效果并分析了影响空间相机遮光罩温度波动的外热流及传导热阻;然后通过仿真分析得到了三种不同热控方案下的温度数据及主动加热功耗数据,经过比对分析后选用了主动加热功耗少、温度波动范围小的热设计方案。最后,通过热平衡试验及在轨数据验证了选用方案的有效性。空间相机遮光罩的在轨温度范围为4.8~9.2℃,次镜温度范围为17.8~17.9℃,与仿真分析结果一致性良好,热设计合理有效,满足任务需求。     

Enhanced Thermal Efficiency in Phase-Change Memory Cell by Double GST Thermally Confined Structure

A novel phase-change memory cell with a double- confinement structure was proposed and fabricated in this work. By having an additional bottom Ge₂Sb₂Te₅ layer under the electrically confined active region, the heat loss can be effectively prevented. The temperature uniformity over the active region significantly improves and so does the thermal efficiency. Therefore, a low I_RESET of about 0.3 mA and a reset power can be achieved. For the SET performance, a pulsewidth as low as 200 ns can be used without compromising the R_SET.     

一种低开销双二元turbo译码器设计

设计一种低开销双二元turbo译码器,提出了一种能够适应滑动窗算法的交织器结构,通过与传统方案中的交织器联合使用,大大降低了交织与解交织过程所需要的存储单元.同时将取模归一化(modulo normalization)技术运用到双二元turbo译码器加比选(ACS)模块的设计上,缩短了关键路径的延时,提高了时钟频率和吞吐量.采用FPGA对译码器进行了验证,提出的译码器和传统的译码器相比,存储资源节省12%,和使用存储器存储交织/解交织地址的译码器相比,存储资源节省97%.     

低压低功耗电流反馈运算放大器设计

基于第三代电流传输器,通过在放大级与输出之间采用隔离补偿电容,以消除低频零点的方式,设计了一种新型的低压低功耗的电流反馈运算放大器.基于TMSC 0.35μmCMOS工艺,在1.5 V电源电压工作条件下,采用Hspice在LEVEL49模型参数下对整个电路进行仿真.仿真结果:直流增益96.3 dB,单位增益带宽765 MHz,静态功耗0.82mW,闭环工作状态下有64.3 MHz的固定带宽.     

低功耗双边沿触发器的逻辑设计

本文从消除时钟信号冗余跳变而致的无效功耗的要求出发,提出双边沿触发器的设计思想与基于与非门的逻辑设计．用ＰＳＰＩＣＥ程序模拟证实了该种触发器具有正确的逻辑功能,能够正常地应用于时序电路的设计,并且由于时钟工作频率减半而导致系统功耗的明显降低．     

高速低功耗双尾比较器的设计

本文以新提出的一款双尾比较器为基础,首先对其工作原理进行了详细的分析,然后对其结构做了进一步的改善和提高。通过仿真可知,其所能处理的最大输入信号频率从原来的1.7GHz提升到了2.5GHz。此外,功耗、延时等重要指标也相应得到了较大改善。当输入信号频率高于350MHz之后,改善后的比较器功耗开始体现出明显优势,并且随工作频率的逐渐升高,其节省的功耗也越来越大。功耗延时积随工作频率的逐渐提高而越来越小。此款双尾比较器更适用于高速、低功耗的模数转换电路之中。     

低漏电常闭型光电隔离开关设计

研制了一种新型的低漏电常闭型光电隔离开关。介绍了该光电隔离开关的工作原理、参数设计。通过特别的结构设计实现了对微小漏电流的控制,并对其进行了工艺改进,提高了器件可靠性。器件测试结果显示,参数指标达到设计值,从而验证了设计的有效性。     

一种低功耗全差分交叉耦合环形振荡器设计

提出了芯片内部振荡器的一种设计方案,该振荡器采用了全差分环形振荡器的结构,其延迟单元使用了共模反馈和交叉耦合晶体管对对频率进行调节校准,抑制相位噪声能力强。还提出了一种新型的基准源结构,这种结构产生的电流温漂系数小、电源抑制比高。该设计基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,测试结果表明,在3.3V的低电源电压下,振荡频率抖动范围很小,中心频率在11.4MHz,功耗仅为1.4mW。     

低阈值量子结构激光器的优化结构设计

针对低阈值半导体量子结构激光器（简称量子结构激光器）,包括量子阱、量子线和量子点结构,给出了一个完整简便的方法用以优化设计最低阈值条件所需要的有源区结构。以对数形式给出了量子结构激光器材料增益和注入载流子浓度的关系,并且以ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）／ＩｎＰ量子阱激光器和ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ自组装量子点结构激光器为例,分别计算了为得到最低阈值电流所需要的量子阱阱数和自组装量子点的面密度以及激光器的腔长。     

低静态电流CMOS电压基准源设计

为了实现低功耗,尤其是低的静态功耗,在传统的带隙基准基础上设计的低静态电流CMOS基准源,是利用CMOS晶体管工作在弱反型区饱和漏电流随电压呈指数关系的原理实现的.在保证低温度系数18.9×10-6℃和高精度的同时,实现了低的静态电流.仿真的结果显示其输出基准电压是1.109 V,工作电压3 V时,消耗功耗为1.2 μW.     

基于双光纤布拉格光栅结构的电流互感器设计

设计了一种基于双光纤布拉格光栅(Fiber Bragg Grating,FBG)结构的电流互感器,将光纤光栅分别粘贴在超磁致伸缩材料(GMM)和蒙乃尔(Monel)合金材料上。把FBG-GMM放在磁路系统中作为电流互感器传感探头,应用FBG-Monel作为解调元件和温度补偿装置,实现电流测量的同时实现了温度补偿。理论分析与实验结果表明该电流互感器电流可测范围为0.3～12.6A,系统传感灵敏度可达6.812×10-3 nm/A。该电流互感器成本低,结构简单,适用于小电流测量。