塑性变形对单晶铜线材导电性影响的研究

为了研究塑性变形对单晶铜线材导电性的影响，以及电阻率与塑性变形量之间的定量关系，将Φ8mm的工业单晶铜线材冷拔后，得到塑性变形量不同的试样，用四端引线法精确测量其电阻率、结果表明，单晶铜线材的电阻率随塑性变形量的增加而上升，其原因是由于单晶铜线材的微观组织畸变程度随塑性变形量的增加而加剧。     

塑性变形单晶铜线材织构的研究

将单晶连铸技术制备的直径Φ8 mm工业单晶铜线材,在C733-4/ZF型工业拉丝机上按同一方向冷拔至直径分别为Φ4 mm、Φ2 mm和Φ1 mm的铜线材,应用极图分析和织构定量计算的方法研究了变形量与织构的关系.结果表明:变形单晶铜线材中的形变织构主要为<100>丝织构,也有少量<110>丝织构;随着变形量的增加,<100>丝织构的体积百分数先减小后增加,而<110>丝织构先增加后减小.     

工业铜单晶线材浸蚀蚀坑的研究

对工业铜单晶线材用不同浸蚀剂,浸蚀时间,材料晶体取向等方面进行了浸蚀试验.结果表明,在氯化铁盐酸溶液中仅当配比为20 g(FeCl3)∶5 ml(HCl)∶100 ml(H2O)时会有蚀坑产生;蚀坑密度(EPD)随试样浸蚀时间和试样的变形量的增加而增大,当达到一定程度时会趋于饱和;铜单晶线材中(111)面EDP值高于(100)面;经过扫描电镜观察,判定该蚀坑为位错蚀坑.铜单晶线材中位错蚀坑密度与材料浸蚀时间,变形量以及晶体学取向有关.     

单晶铜线材品粒演化过程的元胞自动机法模拟

对单晶连铸生产单晶铜线材的生产过程中晶粒演化过程进行模拟.可跟踪显示晶体转变过程,定量预测晶粒形貌和晶粒度,得到工艺参数之间的合理匹配,进而通过改变工艺参数,获得理想的显微组织.通过分析单晶连铸的生产工艺过程建立数学物理模型,使用CA法模拟出了单晶铜组织演变过程和各个工艺因素对演变结果的影响.并将模拟结果与实验结果进行了比较分析.模拟结果显示:各个晶粒在生长时由于不同晶面上的择优生长,最后形成取向为<100>的单晶组织;连铸速度对固液界面的形状、位置和晶粒淘汰过程的影响较大,其他条件对演变影响不显著.     

单晶铝线材实时动态拉伸试验研究

单晶铝线材除了具有健全的内部质量外,还具有非常优异的塑性加工性能．本文通过用自制的水平式单晶连铸设备制造出直径为８ｍｍ的纯铝金属单晶线材,对其进行实时动态拉伸试验和扫描电镜断口分析．结果表明：单晶连铸铝线材在变形量小于３９５％时,其塑性变形具有明显的单系滑移特征,当变形量大于３９５％时,才出现多系滑移特征．其断口分析表明：单晶材料为延性断口;而多晶材料的断口为典型的混合断口,除有少量的韧窝外,还有不少显微孔洞、二次裂纹     

相变诱发塑性钢中奥氏体→贝氏体转变中的晶体取向关系

对相变诱发塑性钢（TRIP Steel）进行了热变形及热处理.通过在贝氏体转变区的等温停留,使部分奥氏体在随后的淬火中保留至室温.利用电子背散射衍射（EBSD）技术测量了残余奥氏体和贝氏体的晶粒取向,给出了组织中这两相的晶体取向图.以奥氏体晶粒的平均取向为参考系,将贝氏体的取向显示在极图中,并与常见的理论取向关系进行了比较.结果表明,奥氏体-贝氏体的取向关系在一定的误差范围内符合所有的经典取向关系.在变形奥氏体中观察到了晶粒尺度的变体选择.     

不同初始取向铜单品制备技术的研究

为了获得制备确定初始取向铜单晶的最优工艺参数,采用不同的抽拉速度、坩埚材料以及单晶体生长通道参数值制备出铜单晶体试棒．并应用TEM,XRD衍射分析对其进行取向标定．结果表明：采用高纯石墨坩埚,单晶体生长通道直径为2mm,在（1450±5）℃下保温2h,运动距离在30mm以下时抽拉速度为2μm／s,运动距离超过30mm时抽拉速度为8μm／s,所制备出的铜单晶体表面光洁均匀,且试棒的初始取向的偏差与设计值在。以内．     

单晶铜线材在制备过程中的晶粒演化

采用了热型连续铸造方法,选用相同的工艺参数制备出不同直径的铜线材,用光学显微镜分析了线材晶粒形成及生长过程.结果表明:在一定的牵引速度下,纯铜线材晶粒生长的特征是从引晶开始阶段的等轴多晶体渐渐演化为柱状多晶体,最终形成单晶体;随着线材直径的增大,起始晶粒个数在增加;生长成单晶的时间也在增加,经X射线衍射和透射电镜分析能够确定,单晶铜线材晶体择优生长方向为<100>.     

无取向硅钢晶粒与晶界特征的EBSD分析

借助电子背散射衍射（EBSD）技术测量和计算了无取向硅钢再结晶退火后再结晶百分比、晶粒尺寸、取向差分布等参数,分析了再结晶退火温度对无取向硅钢晶粒大小、微观取向和耐蚀性的影响。结果表明,3个温度（810、840、880℃）下退火3 min后,再结晶均充分完成。随着退火温度的升高,再结晶晶粒尺寸长大。拥有{100}面织构的晶粒比其他取向晶粒具有更好的耐蚀性,侵蚀后晶粒凸出于试样表面。880℃退火后的小尺寸晶粒周围多为小角度晶界,不易迁移,不易被侵蚀。     

电子背散射衍射技术在热模拟压缩研究中的应用

简要介绍电子背散射衍射(EBSD)的基本原理和特点,综述电子背散射衍射技术在热模拟压缩研究中的应用,列举电子背散射衍射分析纯金属及合金材料经热模拟压缩后的组织演变实例,包括织构及取向差分析、晶粒尺寸及动态再结晶分析、物相分析、应变分析等.分析EBSD技术存在的问题及发展方向,未来EBSD技术将会与多种分析技术相结合,不...     

Microstructure evolution of single crystal copper wires in cold drawing

The deformation microstructure evolution of single crystal copper wires produced by OCC method has been studied with the help of TEM, EBSD and OM. The results show that there are a small number of dendrites and twins in the undeformed single crystal copper wires. However, it is difficult to observe these dendrites in deformed single crystal copper wires. The structure evolution of deformed single crystal copper wires during drawing process can be divided into three stages. When the true strain is lower than 0.94, macroscopic subdivision of grains is not evident, and the microscopic evolution of deformed structure is that the cells are formed and elongated in drawn direction. When the true strain is between 0.94 and 1.96, macroscopic subdivision of grains takes place, and the number of microbands located on {111} and cell blocks is much more than that with the true strain lower than 0.94. When the true strain is larger than 1.96, the macroscopic subdivision of grains becomes more evident than that with the true strain between 0.94 and 1.96, and S-bands structure and lamellar boundaries will be formed. From EBSD analysis, it is found that part of 〈100〉 texture resulting from solidifying is transformed into 〈111〉 and 〈112〉 due to shear deformation, but 〈100〉 texture component is still kept in majority. When the true strain is 0.94, the misorientation angle of dislocation boundaries resulting from deformation is lower than 14°. However, when the true strain arrives at 1.96, the misorientation angle of some boundaries will be greater than 50°, and the peak of misorientation angle distribution produced by texture evolution is located in the range between 25° and 30°. Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos. 50471098 and 59971033), the Natural Science Foundation of Shaanxi Province, China (Grant No. 2003E101), and the Teaching and Research Award Program for Outstanding Young Teachers in Higher Education Institution of MOE, China     

单晶铜线材的表面氧化研究

为了解决单晶铜线材在存储过程中的氧化问题,本文通过氧化增重实验,对不同组织、不同纯度铜线材的表面氧化行为进行了研究.结果表明:温度的高低对铜线材的氧化速率起决定性作用,不同铜线材对温度的敏感程度不同.单晶铜的氧化速率低于多晶铜,纯度越高的单晶铜抗氧化性能越好.单晶铜的氧化速率与其晶粒取向有关,生长方向为<100>的单晶铜更容易氧化.铜线材的氧化速率是由Cu2O的生长速度控制的,主要因素是铜离子向外扩散的速率.低纯单晶铜和多晶铜的氧化膜均容易脱落,不能对基体起到应有的保护作用.     

Cu_2O单晶中铜颗粒的作用

提出了晶体中存在着析出的铜颗粒，且铜与Ｃｕ＿２Ｏ间的接触面处形成Ｓｃｈｏｔｔｋｙ势垒的模型．在此基础上解释了Ｃｕ＿２Ｏ单晶样品的光学和电学特性之间的似乎矛盾的关系。     

基于CAFE法的单晶铜杆热型连铸过程晶体生长模拟

基于元胞自动机(CA)和有限元(FE)耦合法对单晶铜杆热型连铸过程中晶粒生长及演化过程进行了模拟,获得了稳定状态下铸棒内温度分布及液固相界面的位置和形态,模拟了连铸初期沿热流方向细小等轴晶快速合并形成柱状晶的过程,采用截面形态和极图法分析了定向凝固条件下各个生长时刻的晶粒形貌和晶粒生长取向以及晶粒竞争生长过程中的快速淘汰和慢速淘汰阶段,为热型连铸工艺优化提供了依据。     

巫溪区域旅游形象定位及其整合研究

以巫溪为研究区域,提出了区域旅游形象定位原则,并初步研究分析了巫溪的区域旅游形象,以“心灵净地、宁河文明”为基本理念整合巫溪旅游总体形象和5个支撑旅游形象,然后围绕旅游形象,以旅游资源为基础,市场需求为导向,确立旅游开发主题和旅游促销口号。     

镍基单晶高温合金亚结构细化和偏析研究

利用高梯度定向凝固技术（ＨＧＤＳ）对镍基单晶高温合金亚结构枝晶组织的超细化和显微偏析进行了研究。结果表明,在高的凝固界面温度梯度下,得到具有超细枝晶组织的材料,枝晶偏析的程度和尺度都减小,对均匀化处理和提高材料的性能都有利。