长波长动态单模激光器

<正> 一、引言发展陆地长途干线和海底光缆通信的关键是采用长波长单模光纤通信系统。为了降低话路成本和提高可靠性,把增大通信容量和加长中继距离作为单位设计的主要目标。1.3～1.6μm长波长范围低损耗单模光纤的研制成功,为实现超大容量和长距离光纤通信系统提供了可能性。石英光纤的损耗与色散特性如图1所示。石英光纤在1.3μm波长下的色散最小(接近于零),传输损耗约为0.5dB/κm;在1.55μm波长下具有最低的传输损耗,约为0.2dB/κm,但却伴随有15～18ps/nm/κm的残余色散。通常,半导体激光器具有法布里-珀罗(F-P)型     

长波长激光器的新进展

据日刊《电子技术》报导,日本三菱电机公司研制出一种独特的称之为掩埋新月型(Buried Crescent)构造的激光器,这种激光器在室温下的最大输出功率为85毫瓦,在110℃高温下输出功率仍达10毫瓦。该器件的最大特点是采用p型InP基板取代了传统的n型InP基板。这样,大大减少了泄漏电流,从而排除了激光器在高温下不能工作的障碍。     

长波长动态单模半导体激光器

本文叙述了半导体激光器在高速调制下光谱展宽对光纤传输系统帝宽的影响。介绍了实现动态单模激光器的基本途径。概括了目前动态单模激光器的结构。简述了各种动态单模激光器的原理以及工艺上的关键问题。     

长波长垂直腔面发射激光器

给出了长波长垂直腔面发射激光器的器件结构的发展现状，同时对GaInNAs／GaAs垂直腔面发射激光器进行了详细的介绍。最后，给出了所设计的新型1.3μm GaInNAs/GaAs长波长垂直外腔面发射半导体激光器的结构设计，有源区量子阱由980nm半导体激光二极管进行泵浦。这种器件设计实现了激光二极管泵浦与长波长垂直腔面发射激光器的有机结合，同时具有两者的优点。此外，本文还对器件的阈值特性和光输出功率进行了理论计算。     

新型长波长半导体激光器材料GaInNAs

对新型长波长半导体材料GaInNAs进行了述评.通过材料性质的介绍,表明GaInNA s材料是一种很有前景的长波长半导体材料.同时介绍了目前GaInNAs材料的几种主要制备手段并进行了比较,指出了目前MOCVD生长GaInNAs材料存在的难点.介绍了目前国际上基于GaInNAs材料的长波长VCSEL的器件研究情况.     

光纤通信用的长波长半导体激光器

一、前言近几年来,光纤通信发展很快,受到国际上普遍重视。作为光纤通信的光源,最初是从 GaAs-GaAlAs 双异质结半导体激光器开始研究的,其波长范围是0.8～0.9微米。但是,近来发现,在1.2～1.6微米波段的光纤通信具有更多的优越性。因此,在这一波段的光源是人们所关心的一个重要课题。我们把比0.8～0.9微米更长的     

光纤通信长波长半导体激光器的最新进展

最近十年里,半导体激光器光源在光纤通信的迅速发展中已扮演了主要的角色.几乎无限的单模光纤带宽为应用这种系统技术来建立宽带网络,例如宽带综合业务网(BISDN)提供了可能性。这种宽带网能提供灵活的、各种业务的双向媒介给用户,它远比现今电话网先进.为实现这种宽带网络,需要具有非常低阈值、高调制速率、高功率输出和低噪声的半导体激光器。应用光电子集成电路可实现低价格和高可靠性.本文评述长波长波段半导体激光器的最新进展.同时也对激光器基本原理和主要特性作简要的指导性论述.     

长波长半导体激光器的汽相生长

由于目前在实验室内已能制得长波长的二极管激光器，故重点已转向如何能高效率制备。美国无线电公司普林斯顿实验室的G. H.沃尔森已用汽相外延法迅速长出了InGaAsP/InP激光器。这种激光器的输出在1.5~1.7微米间，此范围内玻璃纤维的损耗最低。沃尔森说,四级异质结二极管的优质界面要求避免采用象回熔预防这样的特殊生长技术。在英国与法国，标准电讯实验室及CSF公司实验室釆用金属有机化合物蒸汽沉积法生长。     

长波长激光器特强波导结构及模式分析

利用散射损耗理论,分析了长波长激光器特强波导结构的模式行为,制作了波长为1.3μm的特强BH波导结构激光器,室温(20℃)CW阈值电流为41mA,得到了稳定的单基横模(至2.9Ith)和单纵模(1.2～2Ith)工作,成功地控制了波导模式。微分量子效率为36％(单面),线性区输出功率为6mW,T_0为53K。     

长波长量子阱激光器的理论与应用

本文研究量子阱激光器的基础理论,并介绍生长长波长光电器件的工艺技术及设备。     

长波长面发射激光器的现状及其发展前景

回顾了适用于未来并联光通信系统的工作波长为１．３μｍ和１．５５μｍ的垂直腔面发射激光器在近年来的发展概况。讨论了改进上述激光器激射特性的关键问题，其中有高反射镜面、温控、电流限制结构等问题。     

长波长量子阱激光器的理论与应用

本文研究量子阱激光器的基础理论,并介绍生长长波长光电器件的工艺技术及设备。     

1.5～1.6μm长波长半导体激光器

—、引言硅光纤在1.5～1.6μm波段不仅传输损耗最低,而且采用新技术还可以把零色散移至该波段。若以波长为1.5～1.6μm的半导体激光器为光源,则能实现100多公里远距离无中继光纤传输。因此,室温连续工作1.5～1.6μm波长的半导体激光器是实现长中继大容量光纤通信的最理想的光源。近年来,国外对1.5～1.6μm长波长半导体激光器的兴趣极大,研究十分活跃。美、日、英、法、苏等国一直在积极从事此种激光器的研制,进展迅速,成果显著。本文将从制作1.5～1.6μm波段长波长半导体激光器的材料、主要结构、制作工艺、基本特性及其发展趋势作一概述。     

双波长激光器

本文介绍了一种新技术，它通过用高增益光栅或棱镜调谐可使激光器同时以两种或更多种波长运转。这是通过在激光器内插入小角度的光楔，以形成两个独立的腔而实现的。输出波长的相对强度由光楔的位置决定。转动光楔就可调出新的波长。两种输出波长的差频不受激活介质特性的限制，因为不同的激活介质可同时采用。这种光禊技术被用于氮激光器泵浦的染料激光器中，对于这种激光器在非线性光学实验中的用途也作了说明。