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基于SMIC的0.25μm工艺设计了一种输出频率范围为0.32~1.6GHz的电荷泵锁相环频率合成器电路.该电路采用了一种快速鉴频鉴相器和含有双交叉耦合结构的环形振荡器,同时根据电荷泵泵电流匹配的原则改进了电荷泵电路.HSIM仿真显示,锁相环频率合成器的锁定时间为1.3μz,功耗为28mW,锁定范围为5~20MHz,最大周对周抖动仅为50ps(0.8GHz). 相似文献
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本文基于SMIC40nmCMOS工艺,设计了一款输入频率范围25~20MHz,输出频率范围2.4~4GHz的电荷泵锁相环(CPPLL).介绍了电荷泵锁相环的整体电路框架,叙述了各子模块电路的设计、仿真验证与整体电路的设计与仿真验证,重点介绍压控振荡器的设计与仿真优化.版图后仿真结果表明,电荷泵电流失配在直流情况下达到0.3%@0.4-1.3 V;压控振荡器的输出频率范围为0.3~4 GHz、在输出频率1 MHz时相位噪声为-93.4 dB@1MHz、锁定时间为1 μs、绝对抖动为1 ps、典型值时的功耗为30 mW、面积为300×300 μm. 相似文献
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锁相环电荷泵稳定性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了锁相环中电荷泵模型,对比无补偿和Cr补偿下电路的稳定裕度,提出了一种新的改善电荷泵稳定性的RcCc补偿方法,应用这种方法设计了一款高摆幅、低电流失配的电荷泵.电路采用HJTC 0.18 μm CMOS工艺实现,应用于3.5 GHz的锁相环频率综合器,电源电压1.8 V,输出电流100μ,输出电压0.4~1.4 V时,后仿的电流失配在1%以下,相位裕度达74°,版图面积130μm×80μm. 相似文献
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基于Simulink建立的CMOS电荷泵锁相环的动态模型,对电荷泵锁相环的环路参数与环路稳定性的关系进行了仿真与分析,根据分析结果确定了4GHz锁相环的环路参数,并围绕低相位噪声和低参考杂散设计了锁相环各单元电路结构。该锁相环采用SMIC 0.18m CMOS工艺进行了流片,芯片面积为675μm×700μm。测试的VCO在控制电压为0.3~1.5V时,振荡频率为3.98~4.3GHz;当分频比为1036,参考信号频率为4MHz,锁定状态下锁相环的相位噪声测量值为-120.5dBc/Hz@100kHz及-127.5dBc/Hz@1MHz;电路参考杂散约为-70dB,整体性能优良。 相似文献
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