可节省85％占板空间的新型自保护式MOSFET

Diodes公司日前又扩展了其IntelliFET产品系列．推出其体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压侧MOSFET,采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6．7mm SOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻为500mΩ,连续额定电流为1A,     

分立器件

ZXMS6004FF:自保护式MOSFET Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列,推出小体积完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3mm×2.8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7.3 mm×6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。     

自保护式MOSFET节省85％的占板空间

ZXMS6004FF是一款完全自保护式低压NIIMOSFET,采用2．3mm×2．8mm扁平SOT23F封装,与正在使用的7．3mm×6．7mmSOT223封装的元件相比节省了85％的占板空间。虽然SOT23F的扁平封装体积小巧,但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。     

BISS-4晶体管

NXP推出新第四代低VCEsat（BISS）晶体管的前8种产品。该产品家族分成两种优化的分支：超低VCEsat晶体管以及高速开关晶体管。其电压范围为20V-60V,采用小型SMD封装SOT23（2．9mm×1．3mm×1mm）和SOT457（2．9mm×1．5mm×1mm）。     

Diodes自我保护式MOSFET节省85％的电路板空间

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球最小的完全自我保护式低端M0SFET。该ZXMS6004FF组件采用2．3mm×2．8mm的扁平式SOT23F封装，比其他采用7．3mm×6．7mmSOT223封装的大型组件节省85％的电路板空间。     

恩智浦发布两种拥有0．65mm的行业最低高度的新2×2mm无铅分立封装

恩智浦半导体宣布推出两种拥有0．65ram的行业最低高度新2mm×2mm小信号分立无铅封装。通过具有良好的热性能和导电性的无遮蔽散热片，塑料SMD（表面封装器件）封装的使用寿命得到了提高，并提供3引线（SOT1061）和6引线（SOT1118）两个版本。新产品包括26款FET-KY、双P通道MOSFET、低VCesat晶体管和肖特基整流器，最高功耗Ptot2．1W。该性能大致与行业标准封装SOT89（SC-62）相当，但是只占用一半的电路板空间。     

无引脚DFN封装的中功率晶体管

这款BC69PA中功率晶体管是业内首款采用2mm×2mm3管脚无引脚DFN封装的产品，采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。     

PBSM5240PF：功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET

恩智浦半导体推出采用DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装占位面积仅有2mm×2mm,高度仅为0．65mm,适合诸如移动设备等高性能消费产品的小型化设计。     

面向便携设备的SOT883封装的高性能MOSFET

这些MOSFET采用SOT883封装,面积超小,仅为1．0mm×0．6mm。SOT883MOSFET针对众多应用而设计,包括DC／DC电源转换器模块、液晶电视电源以及手机和其他便携设备的负载开关。     

意法推出全新看门狗定时器芯片

意法半导体推出一款全新看门狗定时器芯片STWD100。STWD100采用5引脚SC70—5封装，占板面积为2．0×2．1mm，节省电路板空间。同时，通过提供一个芯片使能接口，新产品为开发设计带来更多的便利性。新产品还提供另外一款占板面积为2．8×2．8mm的SOT23-5封装。     

Diodes双极型三极管采用微型PowerD15封装大幅节省占板空间

Diodes推出首款采用其微型PowerD15表面贴装封装的双极型晶体三极管产品。新产品采用Diodes的第五代矩阵射极工艺，率先面世的12款NPN及PNP晶体管有助于设计人员大幅提高功率密度并缩减解决方案的尺寸。 PowerD15的占板空间仅有26mm^2，比SOT223小47％，比DPA小60％；板外高度仅为1．1mm，远薄于165mm高的SOT223和2．3mm高的DPAK封装。     

DFN1006B．3产品组合：晶体管

恩智浦半导体扩大了其超小型分立式薄型无引脚封装DFNl006B-3（SOT883B）的晶体管产品阵容。目前,恩智浦提供60款双极性晶体管（BJT）和12款小信号单NIP沟道MOSFET产品,均采用1mm×0．6mmX0．37mmDFN塑料SMD封装。     

BC69PA：中功率晶体管

恩智浦半导体推出采用2mmX2mm3管脚无引脚DFN封装的中功率晶体管。这款BC69PA晶体管采用独特的超小型DFN2020—3（SOT1061）塑料SMD封装。DFN2020—3（SOT1061）封装适合在移动设备、车载设备、工业设备和家用电器中的通用功率敏感型应用,     

Zetex新款超小型无铅MOSFET新产品

Zetex半导体公司近日推出其首款采用无铅2mm×2mm DFN封装的MOSFET产品ZXMN2F34MA。该器件的印刷电路板占位面积比行业标准SOT23封装器件小50％．板外高度只有0．85mm．适用于各类空间有限的开关及电源管理应用，如降压／升压负载点转换器中的外置开关。对这些应用而言，印刷电路板的占位面积、散热性能及低阀值电压是最重要的。     

凌力尔特公司推出新款微型模块稳压器LTM8027

凌力尔特公司推出4A系统级封装DCIDC微型模块稳压器LTM8027．焊盘网格阵列LGA封装尺寸为15mm×15mm×4．32mm．封装中包括了电感器,电源开关、开关稳压器等元件。     

Diodes推出适用于超便携式电子产品的小型SOT963封装器件

Diodes公司推出采用超小型SOT963封装的双极晶体管（BJT）、MOSFET和瞬态抑制二极管（TVS）器件,性能可媲美甚至超过采用更大封装的器件。Diodes SOT963的占板面积仅有0.7mm2,比SOT723封装少30%,     

450mm晶圆厂将出现在2011—2015年

Diodes公司最近发布了DFN封装平台和一系列新的分立器件。这种封装平台采用先进的无铅方形扁平无引线(QFN)技术，可超越SOD和SOT封装，达到最高的封装密度。这种封装的功率密度接近325mW／mm2，高度为0．53mm。并且，这种封装的PCB占位面积仅0．77mm2。     

恩智浦推出超紧凑型电源管理解决方案：PBSM5240PF

恩智浦半导体近日宣布推出采用DFN2020—6（SOT1118）无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道TrenchMOSFET产品PBSM5240PF。DFN2020—6（SOTl118）无铅塑料封装占位面积仅有2×2mm^2,高度仅为0．65mm,专门针对诸如移动设备等高性能消费产品的小型化发展趋势而设计。     

PDA电源设计及需求

设计上的考虑 根据PDA电源设计的要求,电源控制器本身必须集成尽可能多的外围元器件,如:降压或升压转换控制器需要内置同步整流开关,电源控制器本身也必须采用体积小、散热好的封装,如:3mm×3mm、SOT23或QFN封装,以提高电池的使用效率、延长PDA的工作/待机时间.