InSb磁敏电阻与传感器及其应用

本文叙述了InSb磁敏电阻及以这种磁敏电阻为核心部件构成的各种磁敏传感器的工作原理、结构、技术性能以及它们在各个科技领域中的应用。     

InSb磁敏电阻脉冲涡流传感器的研究

脉冲涡流检测方法是涡流检测技术的一个新兴分支。因脉冲信号频带很宽,比单一频率正弦涡流衰减慢,其瞬态感应电压信号中就包含了有关缺陷的重要信息。本文分析了InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测元件的工作原理,设计了探头结构和调理电路,有效抑制了环境温度的干扰,并分析了应用InSb磁敏电阻的涡流探头检测金属裂纹特征的信息提取方法。实验结果表明,采用InSb磁敏电阻作为脉冲涡流检测传感器,具有较高的裂纹灵敏度,且可以较好地反映裂纹的深度。     

InSb磁敏无接触电位器及其应用

本文详细地介绍了InSb磁敏无接触电位器的结构、工作原理、技术性能及应用实例等,同时介绍了应用中普遍关注的温度特性及温度补偿方法。     

InSb薄膜制备工艺技术研究

本文介绍了InSb薄膜制备工艺技术的研究成果,系统地阐述了InSb薄膜的工艺机理与制备技术,指出了制备InSb薄膜过程中所需解决的技术关键,并总结了制备InSb薄膜的工艺条件和实验结果.     

高性能磁敏传感器

功能复合材料即铟锑—镍锑(InSb—NiSb)是一种高性能磁阻材料。当外加磁场变化时,这种材料本身的电阻值发生数倍变化。利用这一性质,它可以制成多种精密的传感器和电子器件。这种材料在我国已研制成功。它的优异性能和广泛的应用前景正在不断地被认识,它的开发与应用日趋广泛。由它制成的多种传感器具有各种高性能,它们的出现必然对我国未来几十年工业技术产品的升级,更新换代,赶超世界先进水平起到重要的作用。     

薄膜磁敏元件基片的选择与制备

本文论述了薄膜磁敏元件对基片的要求，依此要求选择硅和高密度铁氧体为基片，上部制备SiO2作绝缘膜。重点讨论了用射频溅射法制备SiO2膜。文章就溅射条件和膜特性进行了实验，给出实验结果。     

可判向磁敏电阻转速传感器

简要介绍了磁敏电阻转速传感器的敏感元件——InSb磁敏电阻的工作原理。设计了一种可以判别齿轮转向的判向测速电路，并给出了对应于判向与倍频功能的时序图。测速时对传感器输出信号进行了四倍频，提高了测速精度。采用高性能的可编辑逻辑器件（PID）GAL16V8代替了通常的分立器件，实现判向倍频的功能，简化了外围电路，提高了判向测速电路的稳定性和可靠性。     

TiO2—K2O—LiZnVO4陶瓷薄膜的制备及其湿敏性能研究

采用溶胶凝胶法制备了ＴｉＯ２－Ｋ２Ｏ－ＬｉＺｎＶＯ４陶瓷薄膜湿敏元件,研究了薄膜的结构和元件的感湿性能。薄膜主要由金红石型ＴｉＯ２构成,化学组成为Ｔｉ：Ｋ：Ｌｉ：Ｚｎ：Ｖ：Ｏ＝１：０．０４：０．１：０．１：０．１：２．４２（原子摩尔比）。工作频率为４０Ｈｚ时,湿敏元件在全湿度范围内具有良好的阻抗一湿度特性及电容－湿度特性,感湿特性曲线线性良好。元件还具有灵敏度高,滞后小,响应快,长期稳定性好等优点     

溅射工艺参数对TiAIN薄膜力学性能及结构成分的影响

采用反应磁控溅射法和钛-铝镶嵌靶制备TiAIN薄膜；运用纳米压入硬度测试仪、划痕仪和能谱仪、X射线衍射仪等对薄膜进行表征；研究了制备工艺参数对薄膜力学性能、薄膜成分及组织结构的影响。结果表明：随着氮气分压增大，薄膜厚度降低，薄膜（111）取向减弱，（220）和（311）取向增强，薄膜中的氮原子含量逐渐增多，而钛、铝原子含量逐渐减少；随着基体偏压增大，薄膜纳米硬度和膜／基界面临界载荷均逐渐增大，纳米硬度最高可达48．73GPa，膜／基界面临界载荷最高可达40N。     

一种宽工作温度范围的高灵敏度铯原子磁传感器

针对航空平台磁异常探测应用需求,研制了一种宽工作温度范围的高灵敏度铯原子磁传感器,解决了现有传感器存在的工作温度范围小、低温下易磁场失锁等问题。利用温度反馈机制对铯原子灯激发源进行实时补偿,提高了原子磁传感器的稳定性和工作温度范围,铯原子灯输出光功率稳定性由2.10(标准差)提升至0.62,传感器工作温度范围由-20℃～60℃提升至-50℃～70℃。基于低噪声铯原子灯和窄线宽铯原子吸收室技术,该文开展了铯原子磁传感器整机设计与参数优化,研制出高灵敏度铯原子磁传感器样机。测试结果表明,在常温及地磁背景下的实际测量灵敏度达■Hz,指标优于同类国际先进水平产品G-824A型铯原子磁传感器。     

溅射法制备InSb薄膜工艺探索—In的氧化及热处理保护

介绍了用RF溅射法制备InSb薄膜时，如何克服In的氧化问题的措施及防止InSb薄膜在热处理过程中继续氧化和挥发的方法。对实验结果进行了电镜和俄歇电子能谱测试分析。结果表明，只要控制好工艺条件，可以获得较好的效果。     

氮气反应溅射制备Co/Sb多层膜研究

针对"水窗"波段(280~540eV)对多层膜反射镜的应用需求,在Sb的M5吸收边(525.5eV)附近,选择Co和Sb作为该能点的多层膜材料组合,优化设计膜系结构。采用直流磁控溅射方法制备了Co/Sb多层膜,通过在溅射气体氩气中引入氮气作为反应气体,多层膜界面粗糙度明显减小。利用X射线掠入射反射(GIXRR)测试多层膜结构,并在北京BSRF同步辐射3W1B实验站测量了反应溅射前后的多层膜反射率(SXR),结果表明:氮气含量为25%时的界面粗糙度最小,反射率从无反应溅射的7.2%提高到11.7%。     

Ge-Sb-Te-O相变薄膜的光学性质研究

研究了单层 Ge- Sb- Te- O射频溅射薄膜在 40 0 nm～ 80 0 nm区域的光学常数 ( N,K)和反射、透射光谱 ,发现适当的氧掺杂能增加退火前后反射率对比度 ,因此 ,可以通过氧掺杂改良 Ge- Sb- Te相变材料的光存储性能     

靶材刻蚀对磁控溅射镀膜厚度分布的影响

为考察实际磁控溅射镀膜生产过程中由于靶材不断刻蚀消耗而造成的膜厚分布变化,文中就圆形磁控溅射靶建立了沉积模型,采用泰勒级数展开方式得到了薄膜分布的三阶近似解,并采用数值积分的方法计算出不同溅射角分布和靶基距时新靶和旧靶的相对厚度分布.计算结果表明溅射角分布的变化对膜厚分布影响较小,而靶基距变化影响较大;随着靶基距增加,...     

化妆品中砷、锑无机形态的HPLC-HGAFS同测

本文通过优化样品提取条件、色谱分离条件、柱后处理条件和仪器检测条件,采用高效液相色谱-氢化物发生原子荧光光谱联用(HPLC-HGAFS)技术建立了化妆品中Sb(III)和Sb(V)以及As(III)和As(V)形态的同时测定的方法。重点研究了提取液组成对Sb形态转化的影响和Sb(V)柠檬酸络合物的柱后转化条件,结果表明在1:1的柠檬酸-柠檬酸钠的缓冲溶液中Sb的各个形态相互转化率最低;提取得到的Sb(V)的柠檬酸络合物可以在HCl+KI溶液中在线还原为Sb(III)的柠檬酸络合物而得以检测。该方法对As(III)、As(V)、Sb(III)和Sb(V)的检出限分别为2.4、3.1、0.5和5.0μg/L,线性范围分别是2.4～1000、3.1～1000、0.5～1000和5～1000μg/L,该区间内的线性相关系数均大于0.9990,标准偏差均小于3.0%。采用本方法对粉剂、液态、固态等化妆品进行了测定,其加标回收率都在77～110%之间,证明该方法适用于同时测定化妆品中锑和砷的无机形态。     

基于Comsol的矩形磁控溅射靶磁场模拟与分析

磁控溅射靶表面磁场分布与靶材刻蚀特性、薄膜沉积均匀性密切相关.为确定合适的磁控靶结构参数以改善靶材表面水平磁场分布均匀性,采用Comsol软件建立矩形平面磁控溅射靶三维模型,对靶材表面磁场分布进行模拟与分析,研究永磁体结构尺寸和磁轭尺寸对磁场分布的作用规律,得到靶材表面水平磁场分布均匀、水平磁感应强度范围合理的溅射靶结...     

环境气氛对射频溅射镀膜的影响

综合考虑宏观条件对射频溅射镀膜过程的影响,采用等离子鞘层理论、理想气体理论、蒙特卡罗法,模拟在真空气压、气体流量、电压、温度等等参数综合作用后离子的能量、方向、分布等。相应实验验证结果与模拟结果较为一致,因此,可以认为目前的结论足以作为进一步模拟的条件。     

A two-channel two-frequency low-temperature photodetector at wavelengths of 119 and 220 μm of an H<Subscript>2</Subscript>O laser

The design and characteristics of a compact device consisting of four cooled photodetectors of radiations at two frequencies (2.53 and 1.36 THz) are presented. The photodetectors are based on two pairs of Ge:Sb and n-type InSb single crystals and equipped with preamplifiers. The photodetector is intended for operating jointly with an H₂O laser, which operates in a mode of generation of orthogonally polarized waves, and can be used in interferometers with insufficiently stable lengths of optical paths, e.g., during investigation of plasma in high-power pulsed facilities. The photodetector is manufactured in the form of an insert into a commercial portable helium Dewar flask with a 12-mm-diameter neck.     

On the challenges of greyscale-based quantifications using X-ray computed microtomography

Label-free superresolution effect of nonlinear reverse saturation absorption (NRSA) thin films was investigated through difference method, where a subdiffraction-limit spot signal was constructed by intensity subtraction of two spots obtained under different laser intensities. By using annealed InSb films as the NRSA thin films, we experimentally obtained the subdiffraction-limit spot signal, and the optimal reduction ratio was approximately 52.5% of the original spot. Experimental results agreed well with theoretical simulations. The simulation results of a 9-point array sample showed the capability to achieve nonfluorescence superresolution imaging using the NRSA effect.