高性能氮化铝陶瓷基片生产关键技术研究

文章主要介绍氮化铝陶瓷基片生产的关键技术。重点研究了原材料控制、氮化铝基片配方、成型工艺、烧结技术、磨抛技术等五个方面的因素对氮化铝陶瓷基片生产的影响以及解决措施。通过研究发现添加3%左右的Y2O3作为烧结助剂,同时采用低温段缓慢升温的方法可以极大地提高氮化铝陶瓷基片的烧成质量。我们的研究,优化了生产工艺,提高了氮化铝陶瓷基片的质量和生产的成品率。     

功率电路基片材料首选——氮化铝陶瓷

本文介绍了功率电路对基片材料的要求。阐述了氮化铝陶瓷是理想的基片材料。     

氮化铝陶瓷基片制造工艺稳定性研究

本文讨论了影响ＡｌＮ制造工艺稳定性的几个因素。得到一种具有热导率大于１００Ｗ／ｍ．Ｋ，成品率约为８５％的ＡｌＮ基片较为稳定的制造工艺。     

氮化铝基片的工艺研究

本文讨论了氮化铝（ＡＮ）基片生产工艺中影响其性能、外观的一些因素，并提出了相应的解决措施。     

AlN基片流延浆料粘度的研究

通过对比实验研究了影响ＡｌＮ流延浆料粘度的主要因素。结果表明，环境温度或溶剂比例的增加，浆料的粘度值下降；而较小的粘度和增塑剂的减少则使粘度上升。严格控制各影响因素，对实现稳定流延工艺非常必要     

玻璃基板用电子浆料

钠钙视窗玻璃电气性能与氧化铝陶瓷相当 ,成本低 ,是厚膜基片廉价材料。用 Ru2 Pb2 O6 和 Ru2 Bi2 O7作导电相 ,硼硅酸铅系添加碳酸钠作玻璃料配制的钌系电阻浆料 ,与钠钙玻璃有较好的匹配性。烧成条件 6 0 0℃ ,45 min,峰值温度保温 9min。方阻为 2 0 Ω～ 1MΩ,稳定性良好 ,阻值变化 ΔRS/ RS<1%。     

新型导电电子浆料

目前国内的导电电子浆料有两种，不是低温用电子浆料，就是高温用电子浆料，而我国已试制成功兼有两种用途的电子浆料。这种电子浆料在低温聚合，可以粘接在塑料板上，经200℃左右聚合接触电阻≤1Ω，如果粘接在瓷基板上，经高温烧结，银可以和瓷基体相黏结，接触电阻≤0．1Ω。易焊接。     

粉末注射成形制备氮化铝陶瓷

以氮化铝粉末为原料,添加5％Y2O3,通过注射成形工艺,制备出全致密、热导率为182 W/m·K的氮化铝陶瓷.研究了氮化铝陶瓷烧结过程中致密过程及组织变化,合理制订了复杂形状氮化铝陶瓷的烧结工艺,制备出了高尺寸精度,高热导率的氮化铝电子封装零件.     

银/导电陶瓷复合电极浆料导电性的研究

采用银和导电陶瓷(LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3)作复合电极浆料,并研究了复合电极浆料的导电性与导电陶瓷比例及种类的关系。结果发现,复合电极浆料的电阻率随导电陶瓷比例的增加而增大,当LaNiO3和LaFe0.25Ni0.75O3两种导电陶瓷的质量分数<15%时,两种复合浆料的导电性均变化不大。SEM观测显示,复合电极浆料制成的电极有很好的烧成表面。     

304不锈钢基片用绝缘介质浆料的研制

选用BaO-Al2O3-SiO2体系微晶玻璃为主要成分,研制出适用于304不锈钢基片的介质浆料。通过丝网印刷、烘干和烧结,能够为304不锈钢基片提供可靠的介质层。介质层厚度达到70 mm以上时,其击穿电压不低于2 100 V,完全满足大功率厚膜电路对基片绝缘性能的要求。     

玻璃基底和表面粗糙度在氮化硅薄膜椭偏测量中的影响

在光谱椭偏测量中,玻璃基底的背反射会给测量结果造成较大影响。针对平板显示器件玻璃基底表面氮化硅镀膜进行了椭偏测量和模型计算。采用相干背反射模型“空气基底空气”计算并拟合得到与厂商数据符合较好的玻璃基底折射率。对氮化硅薄膜采用Tauc Lorentz色散模型进行了分析拟合,讨论了薄膜与基底界面层、表面粗糙度对光学常数及模型拟合的影响,表明在薄膜与基底间晶格失配的情况下,界面层的引入对改善拟合度是必要的。给出了薄膜体系的光学常数、薄膜结构的分析结果。     

用于新型荧光字符平板显示器的银浆料

针对新型荧光字符平板显示器件的工艺特点，研制出了能满足其工艺要求的电极银浆料。该浆料的最佳峰值烧成温度为５５０～５８０℃，玻璃相含量５．５％～６．５％（质量分数）。用它制作的电极具有阻值低、附着力强、分辨率高等优点，可替代进口的同类浆料。     

适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料

研究了一种适合铝丝键合后热老化要求的金导体浆料，性能达到使用要求。在金浆中添加了少量合金元素，并选用混合型粘结剂。对金导体铝丝焊后热老化失效机理以及添加合金元素的作用，进行了讨论     

玻璃基板激光微细熔覆柔性布线技术研究

与传统的布线技术相比，激光微细熔覆柔性布线技术可以提高线路板制备的效率并降低生产成本。对基于玻璃基板的激光微细熔覆柔性布线技术的工艺进行了重点研究，分析了激光功率密度和扫描速度对导体厚度和宽度的影响规律，同时研究了烧结时间对导体电阻率和结合强度的影响趋势。试验表明，激光功率密度和扫描速度对导线的厚度影响不大，而对导线的宽度有着重要的影响。导线宽度随功率密度增加、扫描速度减小而增加，并都存在临界值；随着烧结时间延长，导线电阻率减小，结合强度提高。在此基础上，探讨了导体附着机理和导电机理。     

营养治疗对门诊血液透析患者的作用

利用中频磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化铝(AlN)薄膜,并经退火处理.利用X-衍射和原子力显微镜分析了AlN薄膜的结构及表面形貌.结果表明,衬底温度和退火工艺对AlN薄膜的结构和表面形貌有重要影响.研究表明,衬底温度为230 ℃时,AlN薄膜的表面粗糙度最小,退火能减小AlN薄膜表面粗糙度.