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用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs的ICP刻蚀工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀设备对应用于垂直腔面发射激光器的GaAs/AlGaAs材料进行刻蚀工艺研究。该刻蚀实验采用光刻胶作为刻蚀掩模,Cl2/BCl3作为刻蚀工艺气体,通过实验分析总结了ICP源功率、射频偏压功率和腔体压强对GaAs/AlGaAs材料和掩模刻蚀速率的影响。利用扫描电子显微镜观察不同参数条件对样品侧壁垂直度和底部平坦度的影响。最终在保证高刻蚀速率的前提下,通过调整优化各工艺参数,得到了侧壁光滑、底部平坦的圆台结构。 相似文献
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镍钛合金形状记忆薄膜的图形化技术曾是其实用化的主要障碍之一,现在,一种工作性能优越的化学刻蚀液可以实现薄膜的高精度图形化,该刻蚀液常温工作,性能稳定,刻蚀速率在1~5 微米/分之间均可得到满意的刻蚀线条。常规制作的光刻胶掩模在该刻蚀液中非常稳定。该刻蚀液用于溅射态的形状记忆合金薄膜可得到与掩模图形完全一致的刻蚀结果,刻蚀线条光滑平直,刻蚀系数大于 15。当用于热处理以后的薄膜时,刻蚀面有一定程度的粗糙化,只能用于刻蚀相对较粗的线条,这是热处理后薄膜中晶粒与晶界刻蚀速率不同所致。用该刻蚀液图形化的形状记忆合金薄膜驱动机构已成功用于微泵制造,所制作的微泵流量达到 200 微升/分钟以上。 相似文献