Ramtron推出业界首个4Mb非易失性FRAM存储器

世界项尖的非易失性铁电存储器（FRAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron Intemadonal Corporation宣布推出半导体业界首个4Mb FRAM存储器，这是目前最高容量的FRAM产品，其容量是原有最大FRAM存储器容量的4倍。FM22L16是采用44脚薄型小尺寸塑封（TSOP）的3V、4Mb并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在管脚上兼容，适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。FM22L16以德州仪器先进的130nmCMOS制造工艺为基础，在标准CMOS逻辑工艺内嵌入非易失性FRAM模块时仅增加了两个掩模步骤。[第一段]     

4Mb非易失性FRAM存储器——结合了德州仪器的130nm工艺和Ramtron先进的FRAM单元架构

FM22L16是采用44引脚TSOP封装的3V并行非易失性FRAM，具有高存取速度、几乎无限的读／写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态RAM（SRAM）在引脚上兼容，适合于工业控制系统应用，如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机和自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。     

高速和功率灵活的1Mb串行FRAM存储器

V系列FRAM产品的首款器件FM25V10是1Mb、2．0～3．6V、具有串行外设接口（SPI）的非易失性RAM,采用8引脚sOIC封装,其特点是快速访问、无延迟写入、1E14读／写次数和低功耗,可代替工业控制、计量、医疗、汽车、军事、游戏及计算机等应用领域的1Mb串行闪存和串行EEPROM。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

Ramtron发布可替代SRAM的1兆位铁电存储器(FRAM)

非易失性铁电存储器开发及供应商—Ramtron国际公司宣布推出兆位的铁电存储器产品—FM20L08。此型号的操作电压为3-volt、32-pinTSOP(thinsmallout-lineplastic)封装。FM20L08是Ramtron目前生产的容量最大的铁电存储器,可以对其进行无限次的读写操作。该型号是专门设计用来替换标准异步静态随机存储器的。同时,这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数据系统,如机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。作为对Ramtron现有并口铁电存储器型号重要补充,FM20L08在地址转换检测(ATD)方面可以与SRAM完全兼容,它允许…     

存储器的终结者FRAM铁电存储器

<正> 铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料,这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储产品的特性。当我们把电场加载到铁电晶体材料上,晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个我们拿来记忆逻辑中的“0”,另一个记忆“1”。中心原子能在常温,没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电记忆体不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。 由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞,铁电记忆体(FRAM)拥有高速读写、超低功耗和无限次写入等超级特性。 传统半导体记忆体有易失性记忆体(volatile memory)和非易失性记忆体(non-volatile memory)两大体系,易失性记忆体如SRAM和DRAM,在没有电源的情况下都不能保存数据,但这种存储器拥有高性能、易用等优点。非易失性记忆体如E-     

FRAM铁电存储器技术

铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。铁电晶体材料的工作原理是: 当把电场加到铁电晶体材料上,晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动,到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态。一个用来记忆逻辑中的０,另一个记忆１。中心原子能在常温、没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据。由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞, FRAM拥有高速读写、超低功耗和无限…     

FRAM铁电存储器技术

铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料.……     

可高用的4Mb MRAM存储器

具有高耐用性，读写周期为35ns 磁阻随机存取存储器（MRAM）MR2A16A的容量为4Mb，在断电后不会丢失数据，采用跳变位写入模式，是替代用电池做后备电源的SRAM单元的理想产品。MR2A16A还可用于高速缓存、配置存储器以及其他需要MRAM的速度、灵活性和稳定性的应用。     

Ramtron扩展其F-RAM存储器产品

Ramtron FM24CL6464Kb串行F-RAM已通过认证,扩展了其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,可在-40℃～＋85℃的Grade3汽车温度范围内使用。FM24CL64已设计用于高级汽车音频平台,其中F-RAM用于快速频繁地记录动态数据,并保持数据的完整性,即使突然发生掉电时亦可保存数据。FM24CL64具有无延迟写入能力、几乎无限的耐用性及低工作电流,     

浅述嵌入式FRAM存储器MCU

铁电存储器（FRAM）作为非易失性的存储器，现正越来越受到更多设计工程师的欢迎。随着存储器技术渐趋成熟，已由独立的形式转变为嵌入式，市场对嵌入式FRAM的兴趣也越来越浓。为了适应这个趋势，Ramtron公司推出了VRS51L3074，嵌入了8KBFRAM。而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例。     

Ramtron推出带高速SPI接口的512Kb FRAM

该款器件采用8管脚微型封装,能够提高数据采集和存储能力,并且削减应用成本和P C B空间,应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。Ramtron副总裁MikeAlwais称:“FM25L512为我们的256Kb串行FRAM用户在相同的小占位面积中提供双倍的存储容量。这样,系统设计人员在下一代的打     

Ramtron推出带有高速SPI接口的512Kb FRAM

雅堡的发烧级多媒体专用线：适用于高保真音响系统及高级多媒体系统，为配备3.53mm插座的数码＼模拟产品提供更高品质讯号传输解决方案，令多媒体系统也可获得Hi-Fi级的音响效果。MA系列的产品均选用高纯度镀银铜为导体，     

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存储器

Ramtron公司推出新型F-RAM系列中的首款产品FM25V10,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。FM25V10特点是快速访问、无延迟写入、1E14     

Ramtron携铁电存储器发力物联网应用

铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低功耗以及高抗干扰能力而在汽车、智能电表、工业控制等领域得到广泛应用,在物联网热潮的带动下,RFID或将成为其未来增长的主要推动力。作为一种非易失性存储器,铁电存储器(FRAM)兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点     

摩托罗拉展示首个4Mb硅纳米晶体存储器

摩托罗拉公司日前展示了全球首个基于硅纳米晶体的 4 Mb存储器件。这一全功能 4 Mb测试样片的出现 ,标志着半导体工业在开发浮栅式闪存的替代品道路上 ,实现了历史性的突破。据该公司研究人员介绍 ,通过测试他们相信 ,同浮栅式闪存相比 ,硅纳米晶体存储器体积能做得更小、稳定性更高 ,同时也更节能。硅纳米晶体存储器属于先进的“薄膜存储器”中的一种。摩托罗拉已经开发出相关技术以简化这些存储器件的制造。通过采用常规的硅积沉技术设备 ,摩托罗拉 Digital DNA实验室的研究人员在两层氧化物之间积沉了直径为 5纳米的球形硅纳米晶体。…     

浅述嵌入式FRAM存储器的MCU

铁电存储器(FRAM)作为非易失性的存储器,现正越来越受到更多设计工程师的欢迎.随着存储器技术渐趋成熟.已由独立的形式转变为嵌入式.市场对嵌入式FRAM 的兴趣也越来越浓.为了适应这个趋势,Ramtron公司推出了VRS51L3074,嵌入了8KB FRAM.而本文将描述嵌入式FRAM的应用实例.