Vishay推出最小占位面积的新型20VP通道TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology。Inc．推出新型20V p通道TrenchFET功率MOS—FET—Vishay Siliconix Si8445DB．该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1．2V时业界最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology．Inc推出新型20V和30VP通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP。新器件采用SO-8封装,具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

Vishay推出新型TrenchFET功率MOSFET

日前．Vishay宣布推出新型20V和30V p-通道TrenchFET功率MOSFET-Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。     

Vishay推出新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay推出新型20V p通道TrenchFET功率MOSFET-Vishay Siliconix Si8445DB,该器件采用MICRO FOOT芯片级封装,具有业界最小占位面积以及1.2V时业界最低的导通电阻。     

Vishay Siliconix推出最低导通电阻的新型20V P通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．发布采用其新型P通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20VP通道MOSFET采用SO-8封装．具备业内最低的导通电阻。     

新型20V p通道TrenchFET第三代功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20V p通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．宣布．推出采用业内最小0．8×0．8×0．4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸,具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay Siliconix推出首款TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET(?)功率MOSFET—ThunderFET~(TM)SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80VSiR880DP采用热增强型PowerPAK(?)SO-8封装,在4.5V、7.5V和10V下具有8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ的超低导通电阻。在4.5 V栅极驱动下,该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161,该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优     

采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

Vishay Intertechnology,Inc．推出首款采用芯片级MICROFOOT封装的P沟道第三代ThnchFET功率MOSFET—Si8499DB。在1．5mm×1mm的占位面积内,这款20V器件提供业内P沟道MOSFET最低的导通电阻。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

Vishay推出新款8V P沟道TrenchFET功率MoSFET-——SiA427DJ

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出新款8VP沟道TrenchFET功率MOSFET—SiA427DJ。该新器件采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装,具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Si7137DP：P通道TrenchFET MOSFET

Vishay发布采用其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具有1．9mΩ（在10V时）、2．5mΩ（在4．5V时）和3．9mΩ（在2．5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻意味着更低的传导损耗,从而确保器件可以比之前市面上p通道功率MOSFET更低的功耗执行切换任务。     

采用PowerPAK 1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出采用PowerPAK1212—8封装的30VP沟道第三代TrenchFET功率MOSFET—Si7625DN。在这种电压等级和3．3mm-3．3mm占位面积的P沟道MOSFET中,该器件的导通电阻是最低的。     

Vishay Siliconix的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新款8VN沟道TrenchFET功率MOSFET——SiA436DJ。该器件采用占位面积2x2mm的热增强型PowerPAKSC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。     

TrenchFET功率MOSFET实现极低导通电阻

P通道TrenchFET功率MOSFET Si7633DP和Si7135DP采用SO-8封装,可容许比其他SO-8封装器件高60％的最大漏电流和高75％的最大功率损耗。Si7633DP具有3．3mΩ（在10V时）及5．5mΩ（在4．5V时）的超低导通电阻。     

Vishay Siliconix推出具有低导通电阻的新型P通道MOSFET

<正>Vishay宣布发布其新型p通道TrenchFET第三代技术的首款器件——Si7137DP,该20Vp通道MOSFET采用SO-8封装,具备业内最低的导通电阻。     

Vishay出新型20Vn通道功率MOSFETSiR440DP

日前,威世推出一款新型20Vn通道器件SiR440DP,扩展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。该器件采用PowerPAK SO-8封装,在20V额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。