后勤保障装备的电磁脉冲防护

电磁脉冲武器产生的电磁脉冲,具有独特的传播机制和穿透能力,可利用电子系统固有的电磁特性弱点,在瞬间摧毁、瘫痪大量的电子装备和电子系统。本文介绍了电磁脉冲的产生机制及原理,分析了电磁脉冲特点及对电子系统影响途径,针对电磁脉冲对后勤装备构成的威胁,研究了后勤作业装备、后勤通信方舱以及后勤有线无线通信装备的电磁脉冲防护方法,并提出了加强后勤装备电磁脉冲防护研究建议。     

电磁脉冲对战场的影响

介绍了电磁脉冲对武器装备的作用机理,分析了自然电磁脉冲和电磁脉冲武器的特点,研究了2种电磁脉冲对战场的威胁;在此基础上,提出提高电磁脉冲防护能力,提高抗电磁脉冲训练水平,创新电磁防护技术等强电磁脉冲环境下装备和作战的应对措施.     

电子战发射机的失效及其防护问题的研究

讨论了电子战宽带发射机的两大类失效机理及其防护措施；对于大功率微波发射机中经常发生的输出通道的打火现象及其危害和产生的机理作了较为深入的探讨，并提出了较为详细的改善和防护措施。     

大功率速调管的技术现状和最新进展

大功率速调管是一种基于速度调制原理将电子注能量转换成微波能量的微波真空电子器件,它具有高功率、高效率、高增益和高稳定性等优点,是微波真空电子器件中脉冲功率和平均功率最高的器件。速调管自20世纪30年代发明以来,在粒子加速器、雷达和通信等微波电子系统,以及真空电子技术进步的推动下,已发展成功多种类型大功率速调管,其频率覆盖整个微波,并扩展到毫米波和太赫兹波段,最大脉冲功率达200MW,最大平均(连续波)功率达MW级。近年来,在高能粒子加速器、宽带雷达系统、毫米波和太赫兹波电子系统的推动下,大功率速调管取得了令人瞩目的进步,本文比较系统地介绍了大功率速调管的技术现状和在提高功率、提高效率、提高工作频率、展宽带宽等方面取得的最新进展。     

高空核爆电磁脉冲对同轴电缆通信线路的影响

本文简要地介绍了通信防护的最新课题(核爆电磁脉冲防护)的研究现状及意义。然后,详细讨论了核爆电磁脉冲对各种传输线影响的研究方法,推导了核电磁脉冲在同轴电缆通信线路上产生的感应电压的频域解和时域解。最后,计算了典型的实例、讨论所得到的结果。经分析给出了估算感应电压峰值的适用于工程应用的简化计算公式。本文的结论和公式对核爆电磁脉冲的理论研究和实际应用有参考价值。     

电磁脉冲武器对车载光电对抗系统的威胁

本文论述了电磁脉冲武器的发展,介绍了对车载光电对抗系统最具威胁的弹载电磁脉冲武器。根据电磁脉冲武器的损伤机理和攻击方式,分析了车载光电对抗系统中易受电磁脉冲武器攻击的薄弱环节,指出车载光电对抗系统存在大量的电磁脉冲耦合途径,提出了车载光电对抗系统开展电磁脉冲武器防护研究的必要性和紧迫性。     

小金属腔体内抗干扰小型栅网电场传感器研制

为了确定电子系统的电磁脉冲(EMP)易损性并设计能承受电磁脉冲(EMP)威胁的电子系统,研究电磁脉冲(EMP)特性和电磁脉冲(EMP)耦合进入元件和电子系统的能量,以及电子系统战术性能降级所产生的影响。介绍了封闭腔体内抗强电磁干扰的小型电磁场传感器的设计过程,对该传感器的等效电路、匹配网络和测量方法进行了详细的理论计算分析。也对研制过程和实际应用情况进行了介绍。得到了小型腔体内的内电磁脉冲(IEMP)环境参数。为电子系统提供了抗电磁干扰以及加固设计的参考数据。     

电磁场与微波技术

044 2003030942电磁脉冲武器对抗反辐射导弹的研究/方有培(航天工业总公司86n所)11航天电子对抗一2002,(5)一9一13目前高能电磁脉冲产生技术已经相当成熟,实战应用的电磁脉冲弹已经问世.电磁脉冲武器已成为诸多新式武器中的佼佼者,它是一种在爆炸时产生强电磁脉冲辐射的武器,微波弹是高功率微波武器的一种实现方法,它可以装在炮弹、制导炸弹或巡航导弹中的一次性使用,能产生宽带高功率微波.根据反辐射导弹(ARM)的制导体制,探索用电磁脉冲武器对抗ARM.表2参4(刚)的仪器首次在我国海域进行了探测试验.图7参17(午)044 2003030943爆磁压编电…     

复杂电子系统强电磁脉冲效应研究

随着大规模集成电路的发展,电子设备的结构越来越微型化、复杂化,复杂电子系统抗电磁脉冲容限不断降低,在强电磁脉冲的干扰下极易造成系统的性能降级、损伤甚至爆炸。针对强电磁脉冲的破坏作用,以高空核爆电磁脉冲(HEMP)为例,分析强电磁脉冲的特性和研究强电磁脉冲效应的数值计算方法,并基于时域有限差分法(FDTD)仿真分析了双层金属腔体在HEMP平面波作用下的孔缝耦合过程,得到了有利于指导腔体电磁防护设计的结论。     

高速公路电子系统雷电电磁脉冲防护

主要针对雷电电磁脉冲对高速公路电子系统造成的巨大危害,从影响的方式和途径入手,提出雷电电磁脉冲防护的要求以及相应的防雷接地方案     

一种性能独特的信息化武器——雷达电磁脉冲武器

电磁脉冲武器是一种高功率微波武器,在介绍电磁脉冲武器的工作原理及国外研究现状的基础上,结合雷达工作特点,提出了一种雷达与电磁脉冲武器相结合的一体化系统,给出其具体的工作思路,探讨了在防空作战中的应用.     

高功率微波武器与天线（一）

自1973年前苏联用相对论返波管产生10 ns 400 MW的脉冲输出到2003年美国高功率电磁脉冲炸弹首次用于伊拉克战争,高功率微波武器的发展已近半个世纪,微波武器的概念目前尚未被大众所知。首先简要综述了高功率微波系统的组成、基本概念,以及高功率微波的发展历史、世界各国研究现状和高功率微波的基本效应、威力、对抗高功率微波的措施、研究中的安全防护、研究高功率微波的仪器、仪表、设备、方法及手段;最后分析了目前的水平和困难、高功率微波能量传输的极限及高功率微波武器的安全问题。     

电磁脉冲加热Debye媒质的快速计算

本文提出了一种计算电磁脉冲加热Debye媒质的快速算法。从麦克斯韦方程组和Debye方程出发,重新定义了Debye媒质中的瞬态耗散功率。该定义能有效避免传统定义中瞬态耗散功率为负的情况。通过时间尺度变换,把电磁场的计算和热场的计算统一到同一时间尺度下,这样就可以节省大量的计算时间。另外,研究了长时间脉冲加热的效率和均匀性。结果表明,在同样的重复频率下,脉冲加热的效率与均匀性均低于连续微波。     

ESD与EMP对微波晶体管损伤机理研究

主要论述了电子装备中易受静电放电(ESD)和电磁脉冲(EMP)损伤的微波半导体器件的失效模式和失效机理.实验与理论分析结果表明,电流放大系数hFE是ESD、EMP损伤的敏感参数;在ESD、EMP的作用下,器件进入雪崩击穿状态(反偏注入),从而诱发热电子注入效应,使hFE逐渐退化;BC结反偏时的失效能量低于EB结反偏时的失效能量,BC结是EMP损伤的较易损端口;改进器件的结构设计、提高器件抗ESD、EMP能量,可有效提高电子装备抗电磁脉冲的可靠性水平.     

Numerical Analysis of a Transmission Line EMP Simulator

A theoretical model is defined for an electromagnetic pulse (EMP) simulator for testing EMP effects on high altitude satellites. The simulator is composed of three flat-plate transmission line sections. The first and third sections are tapered to accommodate, respectively, a generator and a terminating resistor. This problem is analyzed in the frequency domain over those frequency components which are known to contribute most significantly to a typical EMP waveform. The analysis uses a numerical technique to solve the basic problem of an unknown current distribution on a curved, tapered strip, excited by a known electric field. The unknown current is solved by the method of moments, using triangular basis functions. As a check, input impedances are computed for the triangular dipole, showing good agreement with experimental results. For the transmission line simulator, computed input impedance, VSWR, power dissipated in the terminating resistor, and the power lost to radiation are presented as a function of frequency. The computed current distributions are used to calculate the electric fields between and immediately beyond the parallel plates. Although a considerable portion of power is converted to radiation at the higher frequencies, it is shown that at least within the working volume the electric field maintains a reasonably constant level.     

类 ? 型同频率高功率微波功率合成器的设计

利用基于波导结构的功率合成器来合成高功率微波,是提高窄带高功率微波源输出能力的一个有效方式。本文 设计了一种特殊的类? 型高功率微波合成器,该合成器可以用来合成X 波段同一个频率下的两束高功率微波。文中给出 了该合成器的设计方法及仿真结果,并且将该合成器结构与新型同轴双电子束高功率微波源[1]结合进行了粒子模拟,结果 表明,当加载的二极管电压为674kV,导引磁场为0.8T,内电子束电流为6.6kA,外电子束电流为14.3kA 时,该同轴双 电子束高功率微波源输出的两路微波经功率合成器合成以后输出了频率为9.74GHz,功率高达3.5GW 的微波。     

微波武器对弹载制导电子接收机的毁伤分析

高功率微波武器是一种新型的多功能破坏性武器。本文介绍了高功率微波武器的概念、分类和组成,分析了其杀伤机理,并结合弹上制导电子设备的技术特点,针对高功率微波武器对制导电子设备接收机的毁伤进行了分析和计算,给出了高功率微波武器对制导电子设备的3种毁伤模式。     

Thermal Transient Response of GaAs FETs Under Intentional Electromagnetic Interference (IEMI)

Transient thermal responses of GaAs field-effect transistors (FETs) in the presence of an electromagnetic pulse (EMP) are investigated in this paper. The numerical methodology employed is an efficient nonlinear finite-element method (FEM) that combines the element-by-element FEM and the preconditioned conjugate gradient technique. Parametric studies are carried out to show different pulse parameters on the transient thermal responses as well as maximum channel temperatures of some typical GaAs FETs, with silicon FETs also taken into account for comparison. It is numerically proven that the thermal impact caused by medium EMP will be the most serious compared with fast EMP or ultra-wideband pulse, and the captured maximum channel temperature is proportional to the input power density, approximately of the EMP injected. This research can serve as a base for taking further protection measures to prevent on-chip device from breakdown by the attack of an EMP.