中国真空电子行业协会第二届理事会

名誉理事长曾培炎张挺··-··一点.:·顾问王迁刘盛纲吴祖恺、胡汉泉田志仁童林夙 蒋一苇郭开周理事长孙春祥副理事长虞中发尹宗恩廖海明廖春帆张振祥理事黄国钧许文星冯连合高章义肖开亮 文11永智盛允敏张文义张鸿元胡金良 顾培柱何瑞华秘书长李庆和副秘书长王凤山宋国栋蔡国森周进马莉办公室主任蔡国森(兼)信息咨询部主任宋国栋(兼)价格协调委员会主任王东升出口协调委员会主任龚承华专用电子器件科技委主任张振祥(兼)中国真空电子行业协会第二届理事会~~     

中国真空电子行业协会第四届理事会第二次会议纪要

中国真空电子行业协会于2003年11月21至23日在北京燕翔饭店召开了第四届理事会第二次会议,21位理事中除2位理事因公请假外。其余19位理事全部出席会议,彩虹集团公司总经理马金泉理事长21日参加了预备会议,22日因参加国家重要会议,委托电子十二所副所     

中国真空电子行业协会1995年工作要点

中国真空电子行业协会１９９５年工作要点指导思想：以优质的服务，提高行业协会在本行业的凝聚力。坚持宏观上服务于政府，微观上服务于企业，总体上服务于改革和行业的发展。１继续发挥行业协会的桥梁纽带作用行业协会的职能是联络、协调、指导、咨询、服务。目标是以其...     

中国真空电子行业协会第五届理事会第三次会议纪要

中国真空电子行业协会于2011年7月29日,在内蒙古自治区呼伦贝尔市召开了第五届理事会第三次会议。第五届理事会选举理事单位30家,由于彩管行业急剧衰退,关闭4家（北京松下、南京华飞、天津显像管厂、宝石电子枪厂）,自动退出理事会3家（宝石集团、大显股份、天津玻壳）,现在还有理事23家。出席会议的理事13家,理事单位因故委托代表参加会议的6家（南网、烟网、国光、汉广、曙光、安彩）共19家。     

中国真空电子行业协会1994年工作计划全面完成

中国真空电子行业协会１９９４年工作计划全面完成中国真空电子行业协会在理事会的领导下，在政府各有关部门和器件总公司等单位的支持下，１９９４年协会为真空电子行业的发展做了大量工作，起到了为政府为企业服务的作用，Ｓ面完成了预定的工作任务，增强了协会在行业中...     

中国真空电子行业协会第二届全体会员大会召开

中国真空电子行业协会于1992年3月24～26日在南京召开了第二届全体会员大会,有68个企事业单位的代表,协会顾问和有关领导部门的来宾出席了会议。名誉理事长张挺同志,协会顾问胡汉泉、刘盛纲同志分别为大会送来了贺信,名誉理事长曾培炎、张挺同志和理事长孙春祥同志为大会专刊题词,机电部微电子与基础产品司林元芳副司长做了题为“抓住机遇、调整结构、转换机制、迎接挑战”的报告,孙春祥理事长做了“调整产品结构,发展真空电子行业”的报告。与会代表听取和审议了第一届理事会的工作报告、协会章程修订说明、1991年的财务决     

中国真空电子行业协会第三届全体会员大会纪要

中国真空电子行业协会第三届全体会员大会纪要中国真空电子行业协会于１９９７年５月６～８日在北京金玖大厦召开了第三届全体会员大会。电子工业部面大升司长、林元芳副司长、季国平处长、马俊明处长和赵钢同志与来自全国真空电子行业４１个会员单位的代表５５人欢聚一堂...     

中国真空电子行业协会2017年真空开关技术交流研讨会预通知

目前真空开关管的设计、工艺都已比较成熟,企业可以介绍的高新的东西比较少。另外,各家都有自己的工艺,能够拿出来交流的可能性也比较小。所以,本次交流以成熟的经验性的东西为主导,主要面对企业的设计人员、工艺人员、品质控制人员和市场技术支持人员。交流培训内容不局限在开关管上,所以培训内容还考虑了真空开关管的上游产品以及与下游产品的配合,内容拟为以下几个方面：     

应用微波能来改进传统技术贺中国真空电子行业协会成立

1.经济建设依靠科学技术经济建设依靠科学技术,工程的学科很多,就大类别而言是三大类: 材料工程:冶金、陶瓷、采矿、橡胶、塑料等; 能源工程:蒸汽、内燃、火电、水电、核能发电; 信息工程:通信、计算机、摄像、显示。经济建设依靠三大类工程,用材料构成     

中国真空电子行业协会无源真空器件分会第六届理事会第二次理事扩大会议纪要

中国真空电子行业协会无源真空器件分会于2012年6月13日在西安市陕西宾馆召开了第六届二次理事扩大会议,8家理事单位以及4家行业配套的骨干企业代表共23人出席了会议,无源真空器件分会理事     

中国真空电子行业协会无源器件分会理事扩大会议暨“十二五”规划研讨会纪要

2010年10月26日～29日,中国真空电子行业协会无源器件分会理事扩大会议暨“十二五”规划研讨会在贵州贵阳市举行。中国真空电子行业协会秘书长、无源器件分会理事及配套单位厂家的相关领导等20余位代表参加了会议。工业与信息化部电子信息司电子基础处派代表到会指导。     

中国真空电子工业的发展历程

19世纪发明白炽灯揭开了电真空技术的历史 ,2 0世纪初诞生了世界上第一只真空二极管 ,随着广播、通讯事业的发展及军事要求 ,电子管、微波管等各种电真空器件相继问世 ,并得到了发展。经过人类一个多世纪的努力 ,逐步形成了现代人类生活中不可缺少的真空电子产业。中国真空电子工业可追溯到 2 0世纪 30年代 ,早在 1935年 ,单宗肃等前辈在南京电气研究室利用国外零件成功地制造了中国首批收讯放大管和发射管 ,揭开了中国人自己研制电子管的第一页。抗日战争至解放战争期间 ,大量的试制工作屡遭破坏。直到 194 9年 5月 7日人民政府正式接管了…     

真空电子技术

()463 94020139利用静电粒子法模拟捕获电子和捕获离子在自洽场中的轨道/王胜利,王敬芳(中国电波传播研究所)/j电波科学学报一1 993,8(4)一s一14 采取静电粒子法,用计算机模拟了在有外电场的冷等离子体和热等离子体情况下,自洽场中捕获粒子的轨道.结果表明:考虑电场的自洽性后,在有外场的冷等离子体中,捕获电子在相空间的轨道既不是椭圆也不是极限环,而是不规则的近似于椭口的曲线;在电子为Maxwcll分布,离子是冷背景情况下,自洽场中捕获电子在相空间的轨道形成极限环;在电子和离子都是Maxwell分布时,捕获电子和捕获离子的轨道变得异常复杂.…     

真空电子技术

0463.1 2004040061强流电子枪电子光学性能的研究/殷学军、夏佳文、刘振濒,(2!杨建成,(2」武军霞,(2」刘伟,(2〕夏国兴,(2〕刘勇(中国科学院近代物理所)jI强激光与粒子束一2 004,16(2).一246一250利用SLAC一226程序对一种工业用大功率电子加速器(45OkW)的电子枪光学系统性能进行了研究.计算程序以带电粒子的洛伦兹力运动方程的相对论形式为基础,在充分考虑了空间电荷效应和电子自身产生磁场的情况下编写而成.在该程序中,网格的划分采用正方形网格;解泊松方程采用半迭代切比雪夫法;解轨迹方程采用四阶龙格一库塔法.经过对轴上电位的优化计…     

真空电子技术

TN10 01020071电子透镜的两种逆设计方法比较/屠彦,仲雪飞(东南大学电子工程系)11真空电子技术一2 000,(l)一15一19分别讨论了最小二乘法和神经网络法用于电子光学透镜逆设计的情况,并比较了各自优缺点.可以看到在较好的选取学习样本情况下,神经网络技术在电子透镜的逆设计中有着明显的优越性.是求解电子光学系统逆设计问题的一个行之有效的方法.图5表2参6(许)0463.1 01020072成像系统均方根半径及调制传递函数的计算/张良忠,金伟其,周立伟(北方交大光波技术所)11电子学报一20。。,2s(s).一5一8文中给出了逸出电子在最佳像面上落点的均方根…     

真空电子技术

0463.1 2002060085磁浸没透镜的宽束曲轴像差分析的微分代数方法研究/程敏,唐天同,姚振华,王振华(西安交通大学电信工程学院)“电子学报.一2 002,30(6),一846一848微分代数是计算机数值分析领域中的一个非常有效的方法,可以实现任意高阶微分的准确计算.文中根据微分代数方法的基本原理,将其引入到磁浸没透镜的宽束曲轴像差的分析计算中,得到了任意阶曲轴像差的微分代数表达式.文中针对轴上磁场具有某种解析表达式的一个实际的磁浸没透镜系统,利用微分代数的曲轴像差分析方法,计算了它的曲轴像差,并给出了全部二阶和三阶几何像差的分布图形.…     

真空电子技术

O纽62 02010]_50金属热一场电子发射特性研究/窦菊英,朱长纯,谢涛,杨德清(西安交通大学电信工程学院〕11西安交通大学学报.一200],35(6).一655一657用一简单直观的金属电子发射物理模型,对热、Schottky、热一场和场致电子发射进行了分析,定义了热隧道电子的新概念.用数值方法对常用发射材料(W)的热隧道电子电流部分进行了计算,并采用比值拟合的方法,得到了该部分电子的发射电流密度与温度及场强的关系式.在引基础上,可求出W的热一场电子发射方程.用该方法能清晰池了解金属的电子发射机理,从而为热一场阴极的研究开发提供了理论依据.图2参3…     

真空电子技术

0462 2003030119zro/W肖特基发射阴极的研制/戴宏,(21潘尔达,陈尔纲,周庆(云南大学)11微细加工技术.一2002,(2).一11一14,23研制成功了一种实用的低功函数肖特基发射阴极一一错/钨(ZrO/W)阴极.这种阴极是在改进的电解腐蚀法制成的W单晶尖端表面,采用特别的涂覆法或蒸镀法,形成含ZrO膜层,并经特殊处理后得到的.实验测出了这种阴极在适当条件下的功函数值为 2 .86电子伏特左右,低于钨阴极的功函数值.图4表1参10(刚)研究的重要课题.文中综述了国内超扭曲液晶显示材料中所用单晶化合物、手性添加剂和取向剂的合成进展情况,并阐述了超扭曲液晶…