碳纳米管场效应晶体管电子输运特性的研究

由于硅器件尺寸不断缩小至纳米尺度,人们因此对纳米尺度器件开展了理论与结构方面的广泛而深入的研究,其中最重要的纳米尺度器件是基于碳纳米管的电场效应器件并被称为碳纳米管场效应晶体管(CNTFET).本文分析了碳纳米管场效应晶体管沟道电子的传输特性,并给出了用器件端子参数描述的器件I-V特性方程表达式,计算了器件的I-V特性曲线并把结果与纳米器件专用分析软件nanoMOS-2.0给出的结果作了比较,发现本文模型的计算结果均大于nanoMOS-2.0给出的结果,表明本文模型尚需进一步的深入分析和优化.     

一种高传真电子管扩音机的设计

为解决以往的电子管扩音机倒相级存在屏阴分割倒相电路无电压增益、上下两臂输出阻抗不等、上下两臂对地分布电容不等等问题,设计了一种高传真扩音机。该扩音机采用将前置放大电子管的信号输入倒相管的"信号地"电位抬至与第倒相管的阴极相等的电路,解决了传统屏阴分割倒相电路的上述问题,并采用合理的设计改善了扩音机的谐波失真与频率特性。     

耐高温丙烯酸酯压敏胶带在柔性电路板中的应用

双面压敏胶带在柔性电路板组装行业有着广泛和大量的应用.综述了柔性电路板行业对压敏胶带的常规性能要求,从被粘材质和胶带种类以及测试要求等方面逐一说明,提供了使用指南.此外,还特别介绍了耐高温丙烯酸酯压敏胶带在柔性电路板行业的应用和性能表现,适合于需要在柔性电路板回流焊工艺前进行表面粘贴的应用,也可用于其他有耐高温性能要求的粘接应用.     

硅场发射微尖阵列的制备工艺研究

主要阐述了用于场发射硅锥阵列的制备工艺,实验中在101.6mm(4in)的n型(100)晶向低阻硅片上氧化出一层厚度约为650nm的氧化层,再用投影曝光的方法光刻出边长2μm,间距4μm的方形掩膜。再分别使用反应离子刻蚀(RIE)技术和湿法刻蚀制备硅锥阵列,干法刻蚀并结合氧化削尖工艺得到了曲率半径为90nm左右且具有良好一致性的尖锥,湿法刻蚀同样得到较理想的结果。     

复合型场发射阵列失效性研究

复合型尖锥场发射阵列制备工艺过程中遇到的问题主要有栅极的脱落、阴极的氧化、尖锥微毛刺现象.为了提高器件的整体性能,试验采用了三种工艺改进方法,在真空环境中600℃高温退火;在氢气中进行氢化处理;对器件进行15 h的老炼.改进工艺后开启电压由75 V降到60 V,阳极收集最大电流从150 μA提高到300 μA,充分说明了改进工艺的可行性.     

新型耐高温导线的研制

根据新型耐高温导线的主要性能技术要求，设计了镀镍铜线＋高硅氧玻璃纤维纱绕包＋耐高温涂覆液浸渍结构的耐高温导线。为使新型耐高温导线能在500℃的高温环境中长期使用，在绝缘绕制时涂覆耐高温材料，这改进了原有高硅氧玻璃纤维纱绕包的传统工艺。采用高硅氧玻璃纤维纱绕包和耐高温涂覆层生产的新型耐高温导线，在电性能和机械性能方面都取得令人满意的效果。     

LaB6场发射阴极阵列的制备工艺研究

利用微细加工技术在单晶LaB;材料上制备出了场发射二极管阴极阵列.具体工作是结合半导体工艺,采用薄膜沉积、涂胶、曝光、显影、刻蚀以及电化学腐蚀等一系列工序制备出了性能良好的尖锥阵列.工作的重点是覆有掩膜层单晶LaB6材料的电化学腐蚀.通过大量实验摸索出了最佳的工艺参数(包括电解液类型及浓度、电解电流、电解时间等),得到了具有一定表面形貌及阵列高度且底面平整度良好的场发射阴极阵列.     

碳纳米管高温热稳定性与结构的关系

使用分子动力学方法对单壁碳纳米管高温下的结构进行了计算机模拟。对扶手椅结构（10，10）和（20，20）的单壁碳纳米管进行了模拟，结果表明，碳纳米管开关端由于能量弛豫过程，直径比内部略大，在温度逐渐升高之后，构成纳米管的碳原子逐渐偏离晶格位置，小直径的碳纳米管在3000K温度之下结构是稳定的；直径小的碳纳米管的高温热稳定性比直径大的碳纳米管要好。     

碳纳米管随机网络场效应晶体管电学性能分析

利用电子束蒸发技术在Si衬底形成Au电极作为底栅电极,在底栅电极上生长SiO₂薄膜。超声分散CVD法合成的商用单壁碳纳米管(SWCNTs),使用匀胶机将单壁碳纳米管悬浮液均匀旋涂于SiO₂薄膜上。再利用荫罩式电子束蒸发技术,在单壁碳纳米管随机网络薄膜表面制备漏源电极。该工艺过程避免了碳纳米管过多的化学接触,有效地保护了碳纳米管的性状。在室温条件下对器件电学性能进行测试和分析。使用该方法制备的单壁碳纳米管随机网络薄膜场效应晶体管,具有器件性能稳定、重复性和一致性较好等优点,并可用于构建碳纳米管逻辑电路。该方法对于研究基于碳纳米管的大规模、低成本的集成电路,具有较高的借鉴价值。     

场发射阵列阴极在行波管中的应用

场发射阵列阴极应用于行波管的不足主要表现在：FEAs发射不稳定、阴极发射电流密度较低及电子束存在散焦的问题．分析了产生这些问题的主要原因。提出了相应的解决方案,主要包括：提高真空度,选择合适的发射体材料,增加电阻层等,以提高电子发射的稳定性;优化发射体结构参量,改善制作方法等,以增大阴极发射的电流密度;对电子枪结构进行修改,解决电子柬散焦等问题。最后,概述了新型材料——碳纳米管在行波管中的应用现状,目前虽然还不成熟,却表现出了极大的潜力：