西瑞环网柜介绍

提起西瑞（Xirui）环网柜,要从荷兰Holec公司和美国Eaton（伊顿）公司说起。Holec公司以生产中压真空断路器和环网柜而闻名,它生产的真空灭弧室和真空断路器独具特色。Holec公司采用可磁化的马蹄形铁片在触头表面形成纵磁场,使扩散形电弧保持至最大短路开断电流,而触头表面烧损甚微。为了限制开断小电流的截流现象,该公司采用先开断相原理,     

真空断路器中电弧的运动

<正> 1.简介 当真空断路器触头分开时,会产生金属蒸气电弧放电,在电弧电流超过10kA时,自生磁场会使电弧产生严重的收缩。 触头局部过热不仅会引起触头严重烧损,而且会降低触头的开断能力。这是由于产生高密度金属蒸气的缘故。因而就很有必要研究电弧的运动特性。 以前主要通过光学方法(例如高速摄影法)对装有观察窗的真空灭弧室进行研究。对于实际真空灭弧室,可以利用测量灭弧室周围磁场变化来反映电弧旋转。     

基于阳极放电模式的杯状纵磁触头真空灭弧室分闸速度设计

真空断路器短路开断能力与真空电弧的控制技术及断路器分闸速度的控制技术紧密相关。该文的研究目标为基于真空电弧强电弧模式向扩散态模式转变规律对杯状纵磁触头真空灭弧室分闸速度进行设计。通过对杯状纵磁触头在不同分闸速度、不同燃弧时间条件下进行拉弧试验,研究的影响强电弧模式持续时间、强电弧模式转变为扩散态模式时刻的临界纵向磁场及与之对应的临界触头开距与分闸速度的关系。试验结果显示,真空灭弧室分闸速度和燃弧时间对真空电弧阳极放电模式的演变具有显著影响,较高的分闸速度能够使得强电弧模式快速转变为扩散态模式。强电弧模式转变为扩散态模式时刻对应的临界触头开距及其临界纵向磁场强度、强电弧模式持续时间,随电弧电流的增大而增大,且不同的分闸速度条件下强电弧模式转变为扩散态模式的临界触头开距具有峰值效应。在真空断路器分闸速度的设计过程中,宜使得真空灭弧室刚分速度高于该峰值临界触头开距所对应的分闸速度。研究结果可为应用杯状纵磁触头的真空断路器的分闸速度的设计提供理论依据。     

关合电容器组高频涌流对真空灭弧室绝缘特性的影响研究

研究发现单断口或者常规串联双断口真空断路器，无法有效提高电容器组开断参数、降低重击穿概率的原因为无法避免高频涌流电弧对触头表面的烧蚀破坏，从而导致断口绝缘强度大为降低。研究获得了高频涌流电弧烧蚀对真空断口绝缘强度和串联断口分压特性的影响规律；高频涌流电弧烧蚀对单个真空灭弧室和串联双真空断口绝缘强度的影响规律及串联断口的分压规律。实验结果表明，真空灭弧室受到涌流电弧烧蚀后场致发射电流大大增加，触头表面破坏越严重场致发射电流越大。触头都受到烧蚀后的串联双断口各自分压约50%，而未受烧蚀灭弧室与受烧蚀灭弧室的串联双断口，前者分压大于70%。以上研究成果可为提高断口绝缘强度、提升断路器电容器组开断参数及降低重击穿概率提供理论参考。     

混合型直流真空断路器小间隙下的分断特性

混合型直流真空断路器技术是舰船电力系统短路保护的有效方式,其换流参数的优化设计取决于真空灭弧室的分断特性。利用可拆卸真空灭弧室,研究了直径为45 mm 的CuCr50平板触头在直流3~5 kA,燃弧时间约为50μs,触头开距约0.5 mm 的分断过程中,灭弧室电流下降过零变化率di/dt对电弧性能的影响。实验结果表明：di/dt>90 A/μs时,灭弧室电流过零后继续流通;di/dt<60 A/μs 时,灭弧室电流过零截止,电弧熄灭,可以为介质恢复过程创造近似零电压的恢复条件。实验条件下,经过约50μs的近似零电压恢复过程,真空间隙介电强度恢复到静态耐压水平,击穿电压幅值主要受触头表面状态的影响。实验结果可以用于指导低压混合型直流真空限流断路器的研发。     

真空灭弧室的几种主屏蔽罩电场仿真分析

<正>介绍了在电力系统一个重要元件——真空灭弧室的主屏蔽罩结构设计。随着真空灭弧室产品向小型化和低成本发展,主屏蔽罩的结构也发生相应变化。真空灭弧室作为真空断路器的核心元件,其质量性能好坏直接决定了真空断路器的使用性能表现。市场上,真空灭弧室典型结构组成如图1所示。主屏蔽罩作为真空灭弧室的关键零件之一,主要作用是当触头之间产生电弧时有大量金属蒸气和液滴向真空灭弧室四周喷溅,这些电弧生成     

产品大世界

高低压电器 GSR型真空断路器 ABB公司产生的GSR型铁路电气化用真空断路器的高压部分主要包括真空灭弧室,一次触头和电流互感器,真空灭弧室动触头的动作由操作机构通过绝缘驱动杆完成;真空灭弧室由两支水平安装的绝缘子固定于安装框架上;静触头和真空灭弧室动触头之间的主电流     

真空灭弧室纵向和横向磁场触头及其优化应用

真空灭弧室于 1 96 0年实现专业化生产。1 96 9年西门子着手中压 (1～ 2 6 k V )真空灭弧室的开发和生产。 2 0世纪 70年代中期 ,日本开发出世界上首个高压真空灭弧室样品。从 1 984年起 ,西门子将真空技术拓展到低压 (小于 1 k V)领域。真空灭弧室主要用于配电和工业用断路器以及电机控制的接触器上。真空灭弧室主要由真空密封外壳和安置在壳内的一对触头构成。为了其中一个触头能进行关合和开断动作 ,灭弧室还使用了不锈钢波纹管。在开断电流时 ,两个触头间产生电弧。在下一个电流过零时 ,金属蒸气的减少和等离子体的重组导致电弧在几个 …     

真空断路器开断过程中灭弧室内动态真空度的分析

本文分析代断路器开断过程中灭弧室内动态真空度的变化规律。根据燃弧时灭弧室内的放气、吸气物理过程,导出了电弧电流、触头电弧侵蚀率、触头材料含气量、灭弧室有效容积之间的关系,给出了触头材料含气量的判据,为真空灭弧室设计和触头材料选择提供一个方面的依据。     

10kV户外柱上断路器容量性能试验的关键点及控制措施

对带隔离开关的户外柱上断路器而言,容量性能试验要求为过程中不能发生真空灭弧室触头和隔离开关触头打火或熔焊现象。从真空灭弧室触头的选型、断路器机械特性参数的调试、隔离开关触头形式的选择、隔离开关触头压力的调校四个方面,通过多次容量性能试验的摸底测试,分别提出了真空灭弧室触头采用杯状纵磁结构触头,机械特性调试参数满足灭弧室的技术参数,隔离开关触头采用线接触形式,及隔离开关触头压力值控制在(185±25)N的技术关键点,并对真空灭弧室的生产和隔离开关触头的压力值也提出了控制措施,为柱上断路器的器件选型、关键工艺控制、质量管控等提供了参考。     

高中压开关技术(8)真空灭弧室(下)

3真空灭弧室触头结构3.1真空灭弧室设计 触头结构的设计和电极材料的选择是真空灭弧室设计的关键。早期进行研究使用的是圆盘状触头,电极为简单的圆柱形,又称平板对接式电极。在开断电流小于10kA时,真空电弧为扩散型电弧。当开断电流达到一定数值后（随电极材料而异）,电弧则呈收缩状并在电极边缘表面出现滞留的阳极斑点,     

影响真空断路器关合时触头熔焊的另一重要因素

真空断路器关合时真空灭弧室触头熔焊将引起拒分或灭弧室炸裂现象,属于恶性事故。笔者从试验结果出发,提出机构的出力特性与断路器的负载特性匹配问题是真空断路器关合时灭弧室触头熔焊的另一个重要影响因素,分析真空断路器弹簧机构出力特性的影响因素,凸轮轮廓的轨迹和传动机构中四连杆之间的角度严重影响着真空断路器机构的出力特性。通过优化凸轮轮廓的轨迹和传动系统中四连杆之间的角度,使机构的出力特性与断路器的负载特性实现良好匹配,最终解决了断路器关合短路电流时触头熔焊问题。     

混合型直流真空断路器触头技术——现状与发展

基于强迫换流原理的混合型直流真空断路器(hybrid direct current vacuum circuit breaker,HDCVCB)是直流开断技术的有效方式之一,其参数设计及开断能力决定于真空灭弧室的特性。介绍了混合型直流真空断路器的典型拓扑结构及其工作原理,对真空电弧理论和真空灭弧室触头结构的研究概况进行了阐述。分析了直流分断中电流波形与交流中的正弦波不同、电流下降率大、燃弧时间可控等特点,得到了其分断能力与换流电流投入时电弧形态和电极状态密切相关的结论。对不同触头结构下的真空电弧形态演化规律,不同条件下的真空灭弧室的强迫换流分断特性与介质恢复规律等实验研究工作进行了综述,最后对直流真空灭弧室的研发进行了展望。     

低压真空断路器的大电流开断技术

低压真空断路器具有无火灾爆炸危险、良好的环境适应性,以及寿命长、维护量小等一系列优点。低压真空断路器的开断能力与触头直径之间呈线性关系,其极限开断能力取决于电流过零时的触头表面温度。当它开断大的短路电流时,一般采用与电弧轴向垂直的横向磁场真空电弧控制技术,使集聚态真空电弧在触头表面上快速旋转,减轻时局部触头区域的烧蚀。在低压真空断路器中CuCr触头材料显示出最好的性能。低压真空断路器将在煤矿、化工、冶金、纺织、采矿等时断路器有较高环境要求的领域中占有一席之地。     

动静触头槽口装配位置对真空灭弧室性能的影响

为了研究动静触头槽口装配位置对真空灭弧室性能的影响,文中采用仿真计算和试验相结合的方法,对不同动静触头槽口装配位置的真空灭弧室性能进行了分析,得出了装配位置对磁感应强度和电弧形态的影响规律。当动静触头槽口错位45°装配时最大磁感应强度分别为63.71、64.31、64.18 mT,电弧尺寸比较小,电弧的运动比较稳定,电弧电压为36 V,开断性能更好。动静触头槽口错位45°装配有利于提高真空灭弧室开断性能。     

真空断路器合闸弹跳的危害及对策

《35kV户内高压真空断路器通用技术条件》(ZBK97004—89)将合闸弹跳定义为断路器在合闸时触头刚接触直至触头稳定接触瞬间为止的时间。开关特性测试仪都是按照这个定义来设计制造的。影响灭弧室电器寿命的是电弧,而电弧只有在动静触头不接触时才会产生,在动静触头接触时不会产生。大量实践及理论分析均表明,真正对真空开关的电     

苏联真空断路器的研制

<正> 苏联对真空灭弧室和真空断路器进行着积极的研究、设计和试验工作。非常重视最佳的触头材料的研究,触头形状的研究和真空灭弧室制造工艺的完善。 真空灭弧室的研制工作主要在全苏电工研究院进行。已完成了高压真空开关厂的建     

国内外开发研究高压真空断路器和向超高压发展的概况

我国自主专利产权开发的126kV单断口真空断路器说明我国有能力制造126kV等级的真空断路器。该真空断路器的主要部件真空灭弧室是自行设计开发的专利产品,并且首次采用了硅油和β-油作为真空灭弧室的外绝缘材料,真空断路器的额定电流通过了一系列的措施由1600A提高到2000A,并实现了真空断路器的同步分合闸等功能。西安交通大学真空电弧理论研究和产品开发组联合温岭市紫光电器公司和陕西斯瑞工业有限公司触头研究室等,经过一年多的精心设计和实验试制研究,已于2006年4月4日制造出我国第一台252kV单断口真空断路器用的真空灭弧室样机。     

真空断路器开断大电流时的物理特性研究

<正> 这年来,铜铬合金的采用、铜铬合金生产工艺的改善及触头形状的优化,使真空断路器的开断能力大为提高。ABB公司采用激光暗影成象(LIF)和激光感应原子和离子荧光技术(LIFAI)等现代化诊断技术,系统地研究了真空灭弧室大电流开断后的物理过程,还从试验结果中建立了模型,显示了弧后等离子体、金属蒸汽和触头表面状况,在弧后介质强度恢复过程中所起的重要作用。 ABB公司的研究表明,决定介质恢复过程的主要因素不是电弧燃烧所产生的微粒数目,而是触头表面的熔化结构,微粒在绝缘恢     

基于ANSYS的中压真空灭弧室内部磁场的仿真分析

针对某种12 kV/3150 A/40 kA真空灭弧室中电弧出现收缩现象导致触头表面局部严重烧蚀的问题,笔者应用ANSYS软件对灭弧室内部的稳态磁场和瞬态磁场进行仿真研究,阐述了灭弧室中触头的结构与形状对灭弧室内部磁场分布的影响,用电弧特性试验比较分析了不同开断电流下真空电弧的形态,验证了应用ANSYS软件对灭弧室内部磁场进行仿真研究的准确性.