新型常温CdZnTe半导体探测器的研制进展

碲锌镉（CdZnTe）探测器是目前常温γ射线探测器中最主要的探测器之一,它可在常温下使用,无需象HPGe等半导体探测器要求低温（液氮制冷）,又比常用的NaI（Tl）探测器具有更好的能量分辨。CdZnTe探测器的平均原于序数高,单位体积的探测效率相应较高,可做成体积小、重量轻的便携式探测器。同早期的CdTe常温探测器相比,CdZnTe探测器电阻率高了2个数量级,同时消除了极化效应,增强了工作稳定性,CdZnTe材料易加工处理。CdZnTe探     

电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅（SiC）探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

用于正电子湮没寿命谱仪的探测器

一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同，本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体中央，有一圆形井，放置测量样品与22^Na正电子放射源。     

电流型碳化硅探测器

本文从电流型半导体探测器的起源、传统电流型探测器在应用中的问题出发,论述了国内外在新型半导体探测器研制和电流型半导体探测器的研究现状。对半导体探测器结构和物理特性进行了研究,并重点介绍了电流型碳化硅(SiC)探测器的设计制作、响应性能研究、抗辐照性能研究等内容,为电流型半导体探测器的研究和应用提供参考。     

丝扫描探测器测量同步辐射X光的位置和尺寸

丝扫描探测器可用于同步辐射光束线站光束位置和光斑大小的测量,论文简述了该探测器的结构和设计中的注意事项,同时给出了不同的数据处理方法对探测器测量结果的影响效果;可指导设计不同要求的丝扫描探测器,其测量精度最高能达到10μm。论文还介绍了丝扫描探测器的拓展应用,以及此类探测器在上海光源光束线上的使用情况,所设计的丝扫描探测器全部满足了各条光束线站的测量要求;并进一步提出了开展此类探测器研究的内容及其作用。     

双能气体探测器及其刻度校正方法的研究

设计研制了一种双能气体探测器,通过模拟计算研究了探测器应用于物质识别的可行性。在模拟计算的基础上制造了双能气体探测器样机,并对4种不同种类的物质进行了X射线透射实验。实验结果表明,双能气体探测器具备物质识别能力。研究了双能气体探测器的刻度校正方法,该方法可有效提高探测器不同探测单元间的一致性。     

高能X射线探测器射线串扰模拟研究

探测器的串扰噪声会对探测器的信噪比以及高能工业CT的图像质量产生很大的影响。本文利用EGSnrc程序模拟估算了CdWO4探测器模块的串扰噪声,并初步分析比较了影响探测器模块串扰噪声的各种因素。对在实际中选用和设计探测器模块有一定的指导意义,同时为利用软件修正探测器串扰噪声提供了理论计算参数。     

面阵探测器工业CT系统同步控制器的研究

研究了基于面阵探测器的工业CT系统同步控制原理,实现了面阵探测器数据采集、加速器射线脉冲发射和机械系统运动三者严格同步,突破了基于面阵探测器高能工业CT系统研制中同步控制的关键技术。同时,比较了面阵探测器与线阵探测器在工件DR图的分辨效果。     

高阻硅和化合物半导体探测器的研制和应用

叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及探测器在制备中所必须解决的几个关键技术。对高阻硅探测器来说,必须提高对能量为28.5kev的~(125)IX射线的计数率(探测效率),为此采用了圆锥型台面结构,这一方面可以适当增加探测器样品的厚度,另一方面在相同工作电压下可提高探测器对电荷的收集电场。对GaAs探测器来说,必须提高探测器的电荷收集性能,为此采用了样品的减薄技术和制备欧姆接触的热处理技术。使GaAs探     

荧光玻璃、热释光和光释光探测器性能比较

介绍了荧光玻璃探测器、热释光探测器和光释光探测器基本原理和近期发展,并总结了荧光玻璃、热释光探测器、光释光探测器的优缺点.荧光玻璃最大优点是长期稳定性好和可多次读取.热释光和光释光探测器具有灵敏度高、低探测阈、较好的稳定性和能量响应、环境适应性强等优点.但与LiF:Mg,Cu,P相比,α- Al2O3:C光释光探测器对...     

高纯锗核辐射探测器

本文综述X和γ射线能谱分析用的高纯锗探测器,阐述探测器对原始材料的要求,介绍制备、结构和性能参数,并与硅X射线探测器、锗锂γ射线探测器和碘化钠γ射线闪烁探测器进行了对比。     

α粒子测量仪器现状与发展趋势

综述了可用于α粒子测量的常用α探测器(气体探测器、闪烁探测器和半导体探测器)、特种α探测器(原子核乳胶和固体径迹探测器)、α强度测量仪(闪烁计数仪、α活度测量仪、α表面污染仪和低本底α测量仪)、α能谱测量仪和α磁谱仪的主要性能指标及其现状,并对其发展趋势与应用前景进行了展望.     

10 cm×10 cm Bulk Micromegas探测器的研制

Bulk Micromegas探测器是一种新型微结构气体探测器。利用光蚀刻技术制作了有效面积为10 cm×10 cm的多通道Bulk Micromegas探测器。对探测器的各通道进行了电容测试,显示探测器具有较好的均匀性。在Ar+10%CO_2气体中,使用~(55)Fe放射源和自主研制的基于APV25前端卡的数字化电子学,对制作的有效面积为10 cm×10 cm的探测器进行了测试,其结果显示探测器性能良好,能得到清晰的二维事件分布图。该探测器目前全部工艺国产化,并能进行批量生产,成品率接近100%。     

中子小角散射谱仪探测器标定测试方法

介绍了用于中子小角散射谱仪上的二维位敏探测器标定测试方法。通过对MK-640N-1类型二维位敏探测器的3个重要指标:探测器效率、探测器分辨率和探测器单元均匀性的测试和计算,得到了重要的数据指标,对实验的数据的准确分析提供了支持。     

高阻硅和化合物半导体探测器的研制和应用(英文)

叙述了高阻硅和化合物半导体探测器的研制和它在核医学中的应用;着重分析了高阻硅探测器和GaAs探测器为满足在核医学中的应用以及探测器在制备中所必须解决的几个关键技术。对高阻硅探测器来说,必须提高对能量为28.5keV的~(125)IX射线的计数率(探测效率),为此采用了圆锥型台面结构,这一方面可以适当增加探测器样品的厚度,另一方面在相同工作电压下可提高探测器对电荷的收集电场。对GaAs探测器来说,必须提高探测器的电荷收集性能,为此采用了样品的减薄技术和制备欧姆接触的热处理技术。使GaAs探测器在加上适中的反向偏压后,可得到一全耗尽的探测器,并可得到较低的正向导通电压和一较薄的弱场区。解决了这几个技术关键后,探测器对28.5keV的~(125)IX射线的能谱响应和计数特性均有了明显的提高,在相同测试条件和本底计数的情况下,探测效率提高了三到五倍。     

基于中子位置灵敏探测器对点源的三维定位方法研究

使用中子法对密封容器内的放射源进行定位具有重要的现实意义。本研究使用4根矩形分布的中子位置灵敏探测器对探测空间内AmLi源进行定位,首先使用蒙特卡罗方法设计了探测器的慢化屏蔽体;然后设计了延迟电路加到探测器的一端,根据探测器两端探测到中子信号的时间差来确定源y轴（探测器轴向）的位置坐标,并对每个探测器的轴向位置函数进行了刻度;利用探测器围绕密封容器搭建测量空间,使用相邻探测器探测到中子计数率的比值来确定x轴和z轴（另两个方向）的位置坐标并进行了函数刻度。测量时,首先选择计数率最大的探测器来确定源的轴向坐标,再根据与此探测器相邻两根探测器计数率的比值来确定源的另两个方向的坐标,实现了对源的定位。使用该方法测量了点源在探测器空间内的5个不同位置,每个坐标轴上的定位偏差均在1.5 cm之内,并对造成偏差的原因进行了分析。该方法验证了使用中子位置灵敏探测器对放射源进行定位的可行性,并为进一步测量核设施工艺设备内核材料的位置打下了良好的基础。     

位置灵敏微条气体室

本文介绍了位置灵敏气体探测器的最新发展，讨论了影响探测器性能的各种因素，然后把微条探测器与多丝室作了比较。     

室温半导体探测器的发展和应用

重点阐述了室温半导体核辐射探测器的发展和现状,详细讨论了常见化合物半导体探测器材料的性能指标、应用范围和进展情况,简单介绍了新型Si半导体探测器的进展情况。旨在为读者选择、使用室温半导体探测器提供参考。     

BGO探测器制冷保温系统的制作和应用

采用蒸汽压缩式制冷方法制作了BGO探测器真空保温系统,并探讨了温度对BGO探测器能量分辨率的影响.结果显示,使用该制冷保温系统能使探测器周围的温度保持在实验所要求的范围内,从而减小了温度对探测器的影响.     

BGO探测器制冷保温系统的制作和应用

采用蒸汽压缩式制冷方法制作了BGO探测器真空保温系统，并探讨了温度对BGO探测器能量分辨率的影响。结果显示，使用该制冷保温系统能使探测器周围的温度保持在实验所要求的范围内，从而减小了温度对探测器的影响。