集成电路制造用溅射靶材

溅射靶材常用于半导体产业、记录媒体产业和先进显示器产业。在不同产业中,半导体集成电路制造业对溅射靶材的质量要求最高。对用于集成电路制造的溅射靶材的材质类型、纯度要求、外形发展进行了阐述,并讨论了溅射靶材微观组织对溅射薄膜性质的影响,以及靶材中夹杂物、晶粒尺寸、晶粒取向的控制方法。     

钌金属溅射靶材烧结工艺研究

采用热压、放电等离子烧结及直接热压等粉末冶金工艺制备了钌金属溅射靶材,通过对致密度、晶粒度与氧含量分析研究了工艺过程对钌金属靶材制备的影响,并对比分析了三种方法制备钌靶的特点。结果表明:通过工艺优化利用三种方法均能制备出相对密度达到99%以上的高密度钌靶;随着制备温度的升高,钌靶氧含量降低,晶粒尺寸增大;热压工艺制备周期最长,钌靶表面有晶粒粗大层;放电等离子烧结与直接热压工艺都具有快速、近净成形的特点。     

溅射靶材综述

本文主要对各领域的应用溅射靶材及其制备方法，并对薄膜镀膜方法和其应用领域作了介绍。     

金属钨溅射靶材制备及性能研究

本文着重从金属钨靶的成型烧结工艺和轧制处理工艺两个角度来探讨金属钨靶的的综合性能,通过显微分析和性能测定来确定金属钨靶的最优工艺。     

难熔金属溅射靶材的应用及制备技术

应用于微电子、集成电路、光伏电池、平面显示器、装饰镀膜玻璃等行业的溅射靶材需求量逐年增大,这些行业对溅射用难熔金属靶材的纯度、致密度、尺寸精度、微观组织、结晶取向等性能提出了更高的要求。综述了磁控溅射用W、Mo、Ta、Nb靶材的主要应用研发生产单位和制备技术,介绍了靶材组织、纯度等因素对薄膜性质的影响。     

TFT-LCD制造用钼薄膜溅射及其靶材

薄膜晶体管作为关键器件直接影响薄膜晶体管液晶显示器的性能,钼作为电极和布线在薄膜晶体管的制造中具有重要应用价值。本文在简要介绍薄膜晶体管液晶显示器的结构和原理基础之上,重点讨论了钼在其生产过程中的应用、钼薄膜的磁控溅射制备方法和工艺参数要求以及钼靶材的研究现状。     

Cr-Si合金溅射靶材

平面型Cr-Si合金溅射靶材是上海有色金属研究所受复旦大学委托采用粉末冶金法研制而成的。该靶材经复旦大学使用,制成高电阻率的Cr-Si薄膜已成功地应用于该校承担的“六五”国家科技攻关项目—12bit     

集成电路用钨溅射靶材制备技术的研究进展

钨靶材是溅射沉积制备集成电路中栅极和布线层的重要原材料,在芯片制造领域扮演着重要的角色。随着芯片的制程越来越小,对沉积薄膜的性能要求越来越高,这就对钨靶材提出了更高的要求,钨靶材制备工艺的优化已成为国内外研究的热点。集成电路对钨靶材的性能指标,如纯度、致密度、晶粒尺寸及均匀性、织构等,均具有严格的要求;这些指标亦是评价钨靶材优劣的重要依据。本文主要归纳了钨靶材主要的制备手段(以热等静压和热轧为主的各种热机械工艺的组合),并分析了各工艺路径的特点,最后预测了钨靶材制备技术的发展趋势,认为进一步控制钨靶材制备过程中的晶粒尺寸和降低钨薄膜的电阻率将成为未来重要的研究内容。     

钼靶材溅射沉积效果差异原因分析

采用粉末冶金法制备了不同晶粒度的钼棒并加工出靶材,通过金相技术、显微硬度测试和力学性能测试等方法对产品的微观组织、力学性能进行分析,研究了产品在涂层制备过程中溅射沉积钼效果存在差异的原因。研究结果表明,钼靶材组织的晶粒均匀细小,晶界所占面积率越大,钼靶材溅射沉积效果越好。钼靶材抗拉强度、伸长率、硬度随晶粒尺寸的减小呈上升趋势。     

高纯溅射靶材回收研究现状

高纯溅射靶材在晶圆代工企业和液晶面板企业作为耗材使用。高纯溅射靶材利用率低,一般平面靶利用率低于30%,旋转靶难超过70%,回收溅射后的残靶具有非常高的经济价值和环保意义。本文综述了贵金属、ITO、钛、钽、铝、铜等高纯靶材的回收研究现状,总结了靶材回收过程中面临的共同问题。目前在高纯靶材的残靶回收中还存在金属回收率低、回收的纯度不高、工艺流程长等问题需要攻克和改善,作者展望了开发较短的流程、环境友好的工艺、探索高价值的用途,是未来高纯残靶回收技术改进和发展的方向。     

光记录介质反射膜用铝合金薄膜及其溅射靶材

扼要介绍了光记录介质反射膜的发展。指出了纯铝及早期的铝合金光记录介质反射膜及其靶材存在的问题。最后介绍了几类新型铝合金反射膜及其靶材。     

钛铝合金溅射镀膜靶材的研究进展

综述了钛铝合金靶材的制备技术及存在的问题。热等静压烧结法,成本较高,不适合广泛推广。热压烧结法工艺效率高,制备的靶材致密度好,成本较低,适合产业化生产。     

高纯钨溅射靶材制取工艺研究

微电子技术、光电技术对钨的纯度要求越来越高，熔炼钨纯度高但尺寸规格小且加工难度大。仅对采用粉末冶金法制取高纯钨材工艺试验过程中，重新氨溶，中和结晶的除杂效应进行了一些探讨，对经高真空高温处理后的钨方坯加工性能进行了加工试验，证明采用重新氨溶、中和结晶、超高真空高温脱气工艺可有效地去除杂质。高纯钨材质优良、性能稳定、放气量小。     

溅射靶材的应用及制备初探

随着电子及信息产业突飞猛进的发展，世界溅射靶材的需求越来越多，本文介绍了靶材的发展概况、分类和应用情况，以及靶材的特性要求．探讨Ni-Cr合金靶材的制备工艺，结果表明，产品能满足靶材特性要求。     

高纯钽溅射靶材制备工艺进展

目前高纯钽溅射靶材的制备方法,主要为熔炼铸锭法和粉末冶金法,文章对两种方法制备钽靶材性能的特点进行了详述,同时对粉末冶金法制备高纯钽靶材的试验结果进行分析。针对目前国内外生产状况,展望了未来高纯钽溅射靶材的发展方向。     

半导体溅射靶材用超高纯铝及合金研究与展望

介绍了超高纯铝及合金材料在半导体溅射靶材上的应用,总结了制备超高纯铝及合金的提纯和铸造的主流工艺,指出了半导体溅射靶材行业对超高纯铝及合金的技术和品质的特殊要求,并对未来半导体溅射靶材用超高纯铝及合金的发展趋势做了预测。     

高纯铜溅射靶材的发展及现状

简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势；并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观组织控制做了简单的阐述。     

高纯铜溅射靶材的发展及现状

溅射靶材主要应用于电子及信息产业，如集成电路、信息存储、液晶显示屏、激光存储器、电子控制器件等，也应用于玻璃镀膜领域和耐磨材料、高温耐蚀、高档装饰用品等行业.由于集成电路、信息存储及平面显示器等产业规模越来越大，这些高技术产业对各种超高纯金属及合金溅射靶材的需求也愈来愈多。本文简要介绍了高纯铜溅射靶材目前的市场情况、现状、应用领域和未来高纯铜溅射靶材发展趋势；并对高纯铜溅射靶材的特性要求以及微观组织控制做了简单的阐述。     

钼溅射靶材的应用、制备及发展

随着平面显示器行业和光伏行业的迅速发展,钼溅射靶材的需求量越来越大。本文就钼溅射靶材的特点,从其应用、市场、制备工艺以及发展趋势等方面进行了总结和讨论。