压力注浆成型大规格ITO靶材坯体研究

以ITO粉体为原料,使用压力注浆成型技术制备了ITO靶材坯体。研究了浆料粘度、固含量、加压时间、真空处理等因素对ITO靶材坯体结构的影响。结果表明,使用3步加压时,通过变单孔注浆模具为双孔模具,可显著提高注浆效率,同时解决坯体空心的问题;适当延长中压保压时间和提高浆料固含量可使大规格坯体密度得到不同程度的提高;所得高密度坯体在1 590℃烧结,可制备出相对密度达99.87%的较大规格ITO靶材。     

水基注浆成型碳化硅坯体的研究

运用注浆成型技术制备了亚微米碳化硅陶瓷复杂部件坯体。研究了分散剂、pH值对SiC水基浆料粘度的影响,以及不同固含量的SiC水基浆料和脱气泡处理对坯体密度的影响。结果表明：选用的3种分散剂的分散效果大小顺序为：四甲基氢氧化铵（TMAH）〉聚甲基丙烯酸铵（PMAA）〉聚乙烯亚胺（PEI）,且3种分散剂的最佳加入量分别为：1．8wt％、0．8wt％、0．056wt%,最佳pH值为10。对固含量为55wt%的SiC浆料磁力搅拌抽真空脱气泡处理20min可以注浆得到密度为1.64g／cm^3的碳化硅坯体。     

ITO靶材黑化的因素浅析

本文针对ＩＴＯ导电玻璃生产中的黑化问题进行了分析,并提供一些解决方法。     

ITO靶材的研究现状与发展趋势

概述了ITO靶材的应用范围和日益增大的市场需求;对ITO靶材的加工技术和工艺进行了探讨,对ITO薄膜的特性进行了描述;并讨论了ITO靶材所面临的技术问题及发展趋势     

烧结气氛压力对高性能TFT用ITO靶材结瘤性能的研究

通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35nm降低至0.28nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高。     

ITO靶材的直流磁控溅射镀膜工艺研究

对ITO靶材的直流磁控溅射工艺进行研究,通过正交试验方法确定制备ITO薄膜的最优工艺参数,并明确了溅射温度、氧氩比、溅射气压和溅射功率密度对ITO薄膜电阻率和可见光透过率的影响规律。最优工艺参数为溅射温度370℃,氧氩比0.5/40,溅射气压0.4 Pa,溅射功率密度0.17 W/cm~2。薄膜电阻率受各因素影响的主次顺序是:氧氩比溅射温度溅射气压溅射功率密度。薄膜可见光透过率受各因素影响的主次顺序为:溅射温度溅射气压氧氩比溅射功率密度。     

陶瓷注射成型混料工艺及坯体产生缺陷研究

采用保形性较好的聚苯乙烯粘结剂体系和ZrO2-3%Y2O3(摩尔分数)粉末混合制备喂料。研究了加料顺序对喂料性能的影响,通过研究混料时间对喂料均匀性的影响确定合适的混料时间,分析了注射成型和脱脂过程产生缺陷的成因。结果表明,当先混合ZrO2粉末、聚苯乙烯(PS)与油,再加入硬脂酸(SA)和邻苯二甲酸二丁酯(DBP)时,所制备的喂料更均匀、性能更好;混料时间为63min时,喂料均匀。     

ITO靶材在溅射过程中结瘤行为的研究

本报导了ITO靶材溅射时，靶材表面的时效变化和靶材表面结瘤物的组成及其微结构；探讨了结瘤物生成的原因和减缓瘤子生成的方法，对改善ITO膜质有较好的参考价值。     

气化粉与湿法粉制备ITO靶材过程及性能对比研究

分别以ITO气化粉和湿法粉为原料,在相同工艺条件下,经过球磨、造粒、成型等工序制备了ITO靶材,研究了ITO气化粉和湿法粉制靶中间品及最终靶材的主要性能。结果表明:模压和CIP后,湿法粉坯体密度均低于气化粉的,但由于ITO湿法粉原料粒径细而均匀,烧结活性更高,故在较低的烧结条件下可制备出更高密度的靶材。     

ITO靶材第二相In_4Sn_3O_(12)的结构及其对靶材性能的影响

以自制的纳米ITO气化粉为原料,采用注浆成型工艺制备了不同SnO_2含量的ITO靶材,并采用不同烧结温度对SnO_2含量为10%(质量分数)的靶材进行了烧结,通过SEM分析了不同SnO_2含量ITO靶材的组织及第二相在靶材中的数量、形貌、分布。结果表明,在1 575℃烧结温度下,随着SnO_2含量的增加,靶材晶粒得到细化,晶界交汇处第二相数量明显增多;当烧结温度提高至1 600℃时,晶界处第二相发生分解,并向母相中转移。采用王水对1 575℃烧结的SnO_2含量为10%的靶材进行腐蚀,提取第二相,并通过EDS、XRD、TEM、TGA分析了第二相的组分、物相结构及热重情况。研究表明,10%SnO_2含量ITO靶材晶界交汇处形成的第二相为六方结构的In_4Sn_3O_(12),且靶材的氧含量与In_4Sn_3O_(12)有关。通过对不同SnO_2含量ITO靶材在密度、电阻率和热扩散系数方面的分析,间接研究了第二相对靶材性能的影响,发现SnO_2含量的增加有利于靶材密度的提高,同时使靶材电阻率增大、氧含量增高、热扩散系数减小。     

连铸坯裂纹主要影响因素及对策研究

文章分析了各主要因素对连铸坯产生裂纹的影响,探讨性地提出了防止连铸坯产生裂纹的对策方向。     

纳米ITO粉体制备中试剂及影响因素的研究

铟锡氧化物(Indium tin oxide)是一种优良的透明导电氧化物材料.叙述并对比了目前制备ITO粉体的几种方法的优缺点.对其中的化学共沉淀法和化学滴定法,讨论了从铟锡化合物的物理化学性质来选择原料和沉淀剂,分析了制备过程中各种离子的浓度、沉淀时的温度、终点pH值、煅烧温度的范围及时间、分散剂等影响因素.     

纳米ITO粉体制备中试剂及影响因素的研究

铟锡氧化物（Indium tin oxide）是一种优良的透明导电氧化物材料。叙述并对比了目前制备ITO粉体的几种方法的优缺点。对其中的化学共沉淀法和化学滴定法，讨论了从铟锡化合物的物理化学性质来选择原料和沉淀剂，分析了制备过程中各种离子的浓度、沉淀时的温度、终点pH值、煅烧温度的范围及时间、分散剂等影响因素。     

PEG对陶瓷凝胶注模成型坯体表面起皮的抑制作用研究

在凝胶注模成型的丙烯酰胺单体溶液中加入适量的聚乙烯乙二醇(PEG),可有效克服在空气气氛下单体聚合形成凝胶网络的氧阻聚问题,从而消除陶瓷坯体的表面起皮现象,使坯体的尺寸得以精确控制.研究了加入PEG对碳化硅粉体的分散性、浆料的流变学特性、素坯的强度以及微观结构等的影响,并初步讨论了PEG对单体凝胶化过程中氧阻聚效应的抑制作用机理.     

成型工艺对片式PTCR素坯及瓷片性能的影响

将注凝成型、注浆成型与轧膜成型应用于片式PTCR的制备,研究了不同成型工艺对片式 PTCR素坯及瓷片性能的影响。研究发现,用注凝成型和注浆成型工艺制备的素坯比用轧膜成型更加均匀, 其陶瓷颗粒与粘结剂分布规则。在3种成型工艺所得的瓷片中,注凝成型瓷片晶粒生长最均匀,注浆成型瓷片晶粒生长较均匀,而轧膜成型瓷片晶粒生长不均匀。注凝成型和注浆成型工艺所制备瓷片的 PTC性能稍优于轧膜成型。瓷片的耐电压性能与成型工艺有较大的依赖关系。     

ITO靶材在黑化过程中面电阻波动的原因分析及解决方法

一般来讲在镀ＩＴＯ导电膜玻璃时，靶材在使用过程中当积算时间达到１００～１２０ｋＷｈ时，黑化过程结束，虽然各项技术指标变差，但达到相对稳定的阶段。而在靶材黑化过渡过程中，（以ＵＬＶＡＣ公司的ＳＤＰ８５０－ＶＴＭ镀膜设备和Ｄ＝９２％的靶材为例），当积算时...     

塑料模具成型零部件尺寸影响因素及计算方法研究

成型零部件是直接与塑料熔体接触、构成塑料模具模腔的零部件。本文分析了塑料模具成型零部件工作尺寸的影响因素,比较了模具成型零部件工作尺寸的计算方法,经过实践检验,发现经验计算法的结果在公式法的结果范围内符合模具设计要求,且操作简单、提高了设计效率。     

较大规格SnO_2坯体的凝胶注模成型及抑制其卷曲变形的工艺研究

在凝胶注模成型制备平板状陶瓷坯体的过程中,坯体在固化后极易发生卷曲变形,严重制约了该技术在平板陶瓷成型领域的应用。本文使用SnO2粉体,通过制备高固含量、低粘度的浆料,并在此基础上改变凝胶注模成型工艺中固化剂的引入方式,从而制备出较大规格无卷曲变形的平板SnO2坯体。     

真空室压力对低压等离子喷涂成形钨靶材显微组织及性能的影响

采用低压等离子喷涂成形技术制备片状及回转体钨靶材,分析真空室压力对钨靶材致密度、氧质量分数、微观结构、显微硬度及抗拉强度等性能的影响,并对片状钨靶材的磁控溅射镀膜进行研究。结果表明:随着真空室压力由1.3×104Pa增大至3.9×104Pa,钨粉充分熔化铺展,未熔W颗粒减少,钨靶材氧含量稍有提高,致密度,显微硬度和抗拉强度分别增大至97.2%,377.8HV0.025及201.1MPa。然而,当真空室压力进一步增大至6.5×104Pa后,钨靶材层片结合界面形成絮状的W3O夹杂层,氧含量增大至0.71%,其各项性能反而有所降低。低压等离子喷涂成形片状钨靶材(3.9×104Pa真空室压力)可磁控溅射沉积出平整、致密、连续的钨薄膜,镀膜厚度约为300nm。XRD结果表明,钨薄膜为体心立方结构,沿(110)方向择优生长。磁控溅射离子的均匀轰击导致钨靶材表面快速溅射及均匀减薄,溅射表面及截面较为平整、光滑,溅射凹坑接近纳米级。