巨磁电阻磁耦合线性隔离器

介绍巨磁电阻(GMR)效应的1种新应用——磁电隔离器。叙述新型器件的基本结构与电路，主要优点及应用。最后，谈谈高性能产品开发的方向。     

巨磁电阻传感器的特性测试与应用前景分析

介绍了巨磁电阻效应的发现、发展和应用情况，在自制实验平台上，分别测试了深圳华夏公司和美国NVE公司传感器的静、动态特性。结果表明，NVE传感器在线性区间、静态灵敏度、线性度、磁滞等方面优于华夏产品。在测试结果的基础上，对NVE公司巨磁电阻传感器的应用前景进行了探讨，给出了该传感器应用于电力系统母线大电流测试时的具体方案，并对方案实现过程中可能遇到的问题进行分析。     

巨磁电阻材料及应用开发

GMR(giant magneto resistance,巨磁电阻)材料是指磁场微弱变化时,会导致某些物体电阻率突然改变的现象,具有极高的磁电阻效应。1988年,首次在纳米结构的Fe／Cr多层膜中发现它的磁电阻效应比铁磁性坡莫合金(磁电阻相对变化室温值约2—3％)大一个数量级．     

巨磁电阻薄膜及巨磁电阻随机存储器

介绍了一种基于巨磁电阻效应的全新的磁电子学器件──巨磁电阻随机存储器。     

巨磁电阻传感器的特性测试与应用前景分析

介绍了巨磁电阻效应的发现、发展和应用情况,在自制实验平台上,分别测试了深圳华夏公司和美国NVE公司传感器的静、动态特性.结果表明,NVE传感器在线性区间、静态灵敏度、线性度、磁滞等方面优于华夏产品.在测试结果的基础上,对NVE公司巨磁电阻传感器的应用前景进行了探讨,给出了该传感器应用于电力系统母线大电流测试时的具体方案,并对方案实现过程中可能遇到的问题进行分析.     

巨磁电阻传感器的特性测试与应用前景分析

介绍了巨磁电阻效应的发现、发展和应用情况,在自制实验平台上,分别测试了深圳华夏公司和美国NVE公司传感器的静、动态特性。结果表明,NVE传感器在线性区间、静态灵敏度、线性度、磁滞等方面优于华夏产品。在测试结果的基础上,对NVE公司巨磁电阻传感器的应用前景进行了探讨,给出了该传感器应用于电力系统母线大电流测试时的具体方案,并对方案实现过程中可能遇到的问题进行分析。     

巨磁电阻材料的研究进展

由于巨磁电阻效应在基础研究上的重要意义广泛的应用前景,寻找既具有低饱和场,又具有高GMR效应的薄膜材料,已成为当前国际上磁性材料的研究热点之一。本文总结了巨磁电阻材料各类体系的研究方法,分析了其发展方向与研究趋势。     

基于巨磁电阻传感器的油管转动圈数检测系统

为了更好的实现对油管转动圈数的隔离检测,采用巨磁电阻传感器,MSP430系列单片机以及低功耗信号处理器件组件检测系统,同时在结构上采用4个巨磁电阻传感器芯片均匀分布与内管的方式提高系统的可靠性,实际使用情况表明该系统具有体积小,构建简单和可靠性高等优点。     

巨磁电阻传感器

利用材料的巨磁电阻 (GMR)效应 ,可制得新一类磁电阻传感器—— GMR传感器。与传统的磁阻传感器相比 ,GMR传感器具有灵敏度高、可靠性好、测量范围宽、抗恶劣环境、体积小等优点 ,有广泛的应用前景。本文就目前已商业化的几种 GMR传感器的工作原理作一评述     

巨磁电阻传感器

熔体快淬巨磁电阻材料具有高的输出特性、良好的温度特性、小的体积和高的重复性。由其制作的巨磁电阻传感器具有广泛的用途。     

磁电子学与巨磁电阻效应的发展和应用

本文在论述磁电子学兴起的基础上,对磁电阻效应的发展历史进行了简要描述。同时,对磁电子学的理论基础进行了重点阐述,并概括了巨磁电阻效应的应用现状。     

La0.67Ca0.33MnO3—δ薄膜中的巨磁电阻效应

采用直流磁控溅射法在ＺｒＯ２（００１），ＳｒＴｉＯ３（００１），ＬａＡｌＯ３（００１）和ＮｄＧａＯ３（００１）等单昌衬底上成功地制备了Ｌａ０．０７Ｃａ０．３３ＭｎＯ３－δ薄膜。Ｘ－射线衍射结果表明薄膜具有良好的外延性。低温、磁场下的电输过测量上加磁场后，电阻急剧下降，出现负巨磁阻现象，磁阻比ＭＲ＝在室温一为５０％，２２５Ｋ这高达２０００％以上。文中还对径向磁电阻和Ｈａｌｌ电阻的温度和磁场依赖关系作     

光照下巨磁电阻氧化物的室温响应性质

实验测量了巨磁电阻锰氧化物的光吸收谱,研究了在波长为０．６３μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光和波段λ＝８￣１４μｍ的红外辐射条件下,薄膜在室温下的光响应性质。通过分析光响应与高制频率、偏置电流的关系,讨论了光响应机理。     

宽空气间距巨磁电阻齿轮转速传感器

本文设计了一种宽空气间距齿轮转速传感器。所研制的齿轮转速传感器选用巨磁电阻作为敏感元件,外加永磁体提供偏置磁场,通过信号处理电路采集齿轮转动过程中所产生的磁场变化信号,经过信号处理实现齿轮转速的测量。所研制的齿轮转速传感器不仅具有频率性能好,灵敏度高,体积小等优点,测量间距可超过4mm,解决了传统转速传感器测量间距小的问题。     

Ni过渡层对Co/Cu/Co三明治膜微结构及巨磁电阻性能的影响

本文利用原子力显微镜对具有不同厚度Ｎｉ过层的Ｃｏ５．０ｎｍ／Ｃｕ３．５ｎｍ／Ｃｏ５．０ｎｍ三明治在各个制备阶段样品的表面形貌进行了系统的研究,并结合Ｘ射线衍射的结果,发现Ｎｉ过渡层可以使Ｃｏ／Ｃｕ／Ｃｏ三明治的界面平整,并形成强的（１１１）织构,从而导至瓣巨磁电阻值增大和矫顽力减少。电阻率的分析是表明过厚的Ｎｉ过渡层由于分流效应的存在会削弱材料的巨磁电阻值。     

巨磁电阻随机存取存储器

用巨磁电阻(GMR)材料制成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域成功地获得应用。对巨磁电阻用于计算机随机存取存储器的工作原理、性能特点及研究现状和发展趋势作了阐述。     

微弱磁场测量的各向异性磁电阻传感器

该文介绍了一种利用半导体标准工艺制作的Ni Fe薄膜AMR传感器,并着重对电阻变化率关于0磁场对称特性进行了研究。论文详细介绍了利用两次磁控溅射获得传感器的四层结构,并对其进行了在变化磁场下电阻变化率的测量,通过对比未加入barber电极的对照组,由测试结果得出采用了barber电极的传感器成功改善了传感器在微弱磁场下的线性度,使其在-15-15Oe大小的磁场下的R2值为0.9976,使器件具有与集成电路芯片集成的性能。