氧分压影响SnO2气敏传感器响应的机理

本文报道了一种ＳｎＯ２气敏传感器感机理的新模型。ＳｎＯ２晶粒表面势垒由３个过程控制：（１）氧吸附（作电子受主）和脱附，（２）还原性气体附（作电子施主）和脱附，（３）表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧化压对气敏传感器响应的影响。     

InSb磁敏传感器的设计与应用

ＩｎＳｂ磁敏传感器的设计与应用徐向东（航天工业总公司第三研究院八三五八所天津３００１９２）本文对ＩｎＳｂ磁敏传感器的应用、设计等方面作了介绍，并给出了器件的电阻率、磁阻灵敏度的要求，对磁敏传感器的短路及尺寸设计给出依据，并对如何提高器件的性能、产量提...     

InSb磁敏电阻及传感器的生产开发及其应用

本文结合我们多年来从事ＩｎＳｂ磁敏电阻及传感器的科研开发工作，并结合在温州经纬实业公司进行的生产实践，就ＩｎＳｂ磁敏电阻及用这种元件为核心部件作成的各种传感器（如磁敏无触点电位器、精密角位移传感器、旋转传感器和图形识别传感器等）的工作原理、结构和性能作些简要介绍。期待通过广大科技工作者们的共同努力，将这些科研新成果尽快地推广应用起来。     

碳纳米管在气敏传感器应用中的研究进展北大核心

以具有大的表面积及特殊的中空结构的碳纳米管（CNT）作为气敏传感器敏感层材料为基础,介绍了CNT在开发不同类型气敏传感器技术方面的最新进展。综述了CNT及以贵金属、金属氧化物、聚合物改性的CNT作为气敏传感器材料的研究现状,并以气敏传感器的灵敏度和响应速度为标准,对比了CNT与三种CNT复合材料作为气敏传感器敏感层的优缺点。总结了每种传感器的设计方法、制作工艺和传感机理,提出了CNT气敏传感器当前面临的技术挑战,并对以后CNT作为气敏传感器材料的发展进行展望。     

进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究

本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期不稳定性的原因．（二）氢离子敏ＦＥＴ传感器的稳定性，随着ＩＳＦＥＴ的制作过程中沉淀条件而变化，这也是ＩＳＦＥＴ不稳定性的另一原因．（三）缓冲溶液的ｐＨ随着测量过程和时间而变化，这也助长了氢离子敏ＦＥＴ传感器的不稳定性，但不是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ本身的不稳定性原因．我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ＩＳＦＥＴ的稳定性．这种改进稳定特性的技术     

纳米氧化钨薄膜改性的大孔硅气敏传感器

通过双槽电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备了大孔硅。然后通过直流对靶反应磁控溅射法在大孔硅表面淀积了纳米氧化钨薄膜。使用场发射扫描电子显微镜（FESEM）观察大孔硅和氧化钨/大孔硅样品的形貌。分别使用X射线衍射（XRD）图谱和X射线光电子能谱（XPS）分析氧化钨晶体结构和钨的化合价。在室温下测试大孔硅和氧化钨/大孔硅气敏传感器的气敏特性。结果表明：氧化钨/大孔硅气敏传感器表现出了P型半导体气敏传感器的气敏特性。它对1ppm的二氧化氮显示了良好的恢复特性和重复性。氧化钨/大孔硅气敏传感器的长期稳定性要好于大孔硅气敏传感器。氧化钨的添加提高了大孔硅气敏传感器对二氧化氮的灵敏度。氧化钨/大孔硅气敏传感器对于二氧化氮的灵敏度要高于其对氨气和乙醇的灵敏度。通过淀积纳米氧化钨薄膜,改善了大孔硅对二氧化氮的选择性。     

探雷技术的发展

探雷技术的发展探雷方法有从简单手工探测到各种电子探测技术，其中包括电磁感应（ＥＭＩ）、热像仪、穿地或探测雷达（ＧＰＲ）、热中子激活（ＴＮＡ）和生物敏传感器。目前正在研究的许多系统采用两种以上类型的传感器，融合它的输出，以达到最好的探测性能和最低的虚警...     

TiO_2薄膜氧敏特性研究

金属氧化物（如ZrO2，TiO2等）随氧分压不同而改变其电导率这一性质被广泛地用来制作氧敏传感器．传统的传感器大多采用体材料或厚膜材料，工作时需加高温．本文描述了TiO2薄膜材料与Pt薄膜形成的肖特基势垒高度随氧分区不同而改变的氧敏现象，测定了该肖特基二极管的氧敏特性，讨论了其敏感机理．     

光谱式MEMS/CMOS兼容气敏传感器

光谱技术是化学分析的终极手段. 将光谱技术与MEMS (micro-electro-mechanical systems）和CMOS技术结合是解决当前气敏传感器灵敏度低、选择性差、体积大、功耗高、不便于阵列化和高度集成以至于无梯度立体矢量探测能力等问题的有效手段. 本文介绍了一种制作于（110）硅片上的集成光谱式MEMS/CMOS兼容气敏传感器,详述了该气敏传感器的工作原理、传感器结构和制造工艺.     

敏感元件及传感器失效率（寿命）分布类型与分布参数的研究

以Ｈａｌｌ磁敏传感器为研究对象，研究了探讨了通常确定传感器失效分布类型和分布参数的方法，并确定出Ｈａｌｌ磁敏元件的失效率（寿命）分布类型与分布参数数值。其方法和结论可作为今后开发可靠性工作特别是数据处理和确定产品失效分布类型和分布参数时参考。     

基于PI湿敏薄膜的分布式光纤Bragg光栅湿度传感器

研究了基于聚酰亚胺（PI）湿敏薄膜的分布式光纤Bragg光栅（FBG）湿度传感器。传感器利用PI薄膜湿膨胀效应,将湿应变作用于Bragg栅区,从而改变光纤FBG湿度传感器中心波长的原理,实现了对26-98％RH范围内环境相对湿度的监测。通过改进PI湿敏薄膜的制备及涂覆工艺,有效提高了FBG湿度传感器性能,并采取了相应温...     

集成型二氧化锡纳米棒酒精传感器的自组装研制

为了有效提高酒精传感器的探测灵敏度,通过热蒸发SnO2和活性炭的混合粉末的自组装方式直接在Cd-Au梳状交叉电极上制备了一层SnO2纳米棒气敏层,从而构成了SnO2纳米棒气敏传感器,经测试,此传感器对于超低浓度范围（2×10^-6～10×10^-6）的酒精具有0．83～1．33的高探测灵敏度。继而从气敏机制、自组装制备方式、SnO2纳米棒的比表面特性及SnO2纳米棒的尺度（低于得拜长度）等角度解释此传感器对超低浓度酒精具有高气敏特性的原因。     

一种新型的钌系粘结浆料

一种新型的钌系粘结浆料陶文成，苏功宗，李同泉，杨雯（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）随着工业迅速发展，废气、毒气、可燃性气体的排放与泄漏越来越严重。所以气敏传感器的研究和应用也越来越广泛，发展异常迅速。目前国内外的气敏报警器基本上采用金浆来粘结铂丝...     

射频反应磁控溅射掺杂MWCNTs的SnO2薄膜NO2气敏传感器的研究

采用射频反应磁控溅射方法制备了氧化锡/多壁碳纳米管（SnO2/MWCNTs）薄膜材料,并在此基础上研制NO2气敏传感器。采用X射线衍射仪（XRD）、X光电子能谱仪（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）来研究WO3/MWCNTs材料的表面形貌、表面化学状态、表面化学元素等材料特性,研究结果表明MWCNTs已经掺杂进SnO2材料,合成的SnO2/MWCNTs气敏传感器表现出对低浓度（甚至低于10ppb）的NO2气体有较高的灵敏度和较好的反应-恢复特性,并解释了该传感器的工作机理是基于pn结（P型MWCNTs和N型SnO2)作用的结果。     

ISFET的设计制造和封装技术

本文介绍了ＩＳＦＥＴ（离子敏场效应管）的结构原理、设计考虑、制造工艺和封装技术，提出了背接触封装结构，提高了ＩＳＦＥＴ型ＰＨ传感器的可靠性和使用寿命。     

用于非接触测量的单片机数据采集与处理系统

文章介绍了一种基于光学三角测量原理的非接触式的测量系统，该系统利用８０９８单片机对位敏传感器（ＰＳＤ）的输出进行数据采集和处理，最后我们对测量结果进行分析     

基于半圆柱增敏结构的柔性光纤压力传感器设计

为了进一步增强光纤压力传感器的灵敏度,提出了一种基于半圆柱结构设计的柔性光纤压力传感器。此结构使用聚二甲硅氧烷（PDMS）作为该传感器柔性基底,传感器外部受力时,首先PDMS发生形变,从使得光纤发生形变,最终光纤发生轴向拉伸。利用光频域反射计（OFDR）测量光纤的轴向应变,对所提出的增敏结构传感器和改进前的传感器进行Abaqus有限元仿真分析和实验验证。结果表明,该半圆柱增敏结构可以有效提高传感器的灵敏度。在0~100kPa的测压范围内,灵敏度从未改进前的1.09 /kPa提高到1.69/kPa。     

离子敏PH传感器的研究

本文介绍了一种采用硅键合ＳＯＩ材料作衬底的离子敏场效应管（ＩＳＦＥＴ）型ＰＨ传感器。这种结构减小了衬底泄漏电流，改善了ＰＨ传感器的温漂特性和时漂特性。本文提出的结构为ＰＨ传感器的实用化开发了新的途径。     

美信推出集成七个传感器的IC,可检测RGB、红外线等

美国美信集成产品公司推出了将7个传感器集成到1枚芯片上的传感器IC＂MAX44005＂。集成的7个传感器分别是红色光传感器、绿色光传感器、蓝色光传感器、环境光传感器（ALS）、温度传感器、环境光检测用红外线传感器、接近检测用红外线传感器。     

石英晶体谐振器声负载敏感性的分析

针对石英晶体谐振器（ＱＣＲ）的声负载敏感性，在一种三层结构力学模型的基础上，导出了具有广泛适用意义的谐振电阻及谐振频率随谐振器表面参数变化的公式。结合石英谐振式气、湿敏传感器的理论分析表明，ＱＣＲ的谐振幅值与谐振频率均可作为传感器的检测参量。谐振幅值主要反映了表面阻尼情况，谐振频率则在反映表面质量负载情况的同时，受到表面阻尼的影响，在传感器研制中应引起足够的重视