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用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长了高质量的ZnSe/ZnSxSe1-x(x=0.12)超晶格结构,通过X射线衍射谱和光致发光谱,对其结构特性和光学特性进行了研究。结果表明:在4.4K温度下,超晶格样品显示较强的蓝光发射,主发光峰对应于阱层ZnSe的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁,而且其峰位相对于ZnSe薄膜的自由激子峰有明显蓝移。从理论上分析计算了由变就和量子限制效应引起的自由激妇峰位移动,理论和实验结果相吻合。 相似文献
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用分子束外延方法在 Ga As(10 0 )衬底上生长了高质量的 Zn Se/ Zn Sx Se1 - x(x=0 .12 )超晶格结构 ,通过 X射线衍射谱和光致发光谱 ,对其结构特性和光学特性进行了研究 .结果表明 :在 4 .4 K温度下 ,超晶格样品显示较强的蓝光发射 ,主发光峰对应于阱层 Zn Se的基态电子到重空穴基态的自由激子跃迁 ,而且其峰位相对于 Zn Se薄膜的自由激子峰有明显蓝移 .从理论上分析计算了由应变和量子限制效应引起的自由激子峰位移动 ,理论和实验结果相吻合 相似文献
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本文用半经验紧束缚法计算了ZnSe/GaAs(001)超晶格的能带结构,研究了其能隙与有效质量随层厚的变化.计算了(ZnSe)_5/(GaAs)_5超晶格中与杂质有关的芯态激子,其结果能说明相应异质结中束缚在Ga上的激子峰.本文还提出了该材料中导带底存在界面态. 相似文献
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测量了ZnSe0.92Te0.08/ZnSe超晶格量子阱材料在77K时0-7.8GPa静压下的光致发光谱。观察到ZnSe0.92Te0.08阱层中Te等电子陷阱上的束缚洋鬼子发光,发现它的压力系数比ZnSe带边发光的压力系数小的约50%,表明Te等电子陷阱对激子的束缚势是相当局域的。还观察到了激子在ZnSe0.92Te0.08阱层中的Te等电子陷阱能级与相邻(CdSe)1/(ZnSe)3短周期超晶格之间的转移现象。 相似文献
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ZnSe/ZnS超晶格激子能级的计算及实验研究 总被引:2,自引:1,他引:1
从理论和实验上研究了ZnSe/ZnS超晶格的激子能级,采用LCAO理论和Kronig-Penney模型计算了超晶格中电子、空穴和激子能带随垒宽的变化,测量了垒宽为5.8nm超晶格的低温吸收光谱和发光光谱,实验结果与理论一致。 相似文献
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利用光致发光和吸收光谱测量研究了ZnSe—ZnS 多量子阱(MQW)应变层超晶格(SLS)的激子特性,这种 MQW SLS 是用低压有机金属化学汽相沉积技术在(100)ZnS 和 GaAs 衬底上制备的。用氮分子脉冲激光器增加激发强度,发现主要的激子带向更高光子能量的方向偏移。为了了解激子的分离机制,测量了温度与线宽及强激发下发射强度的关系。根据激子散射所起的作用,从三个方面分析了线宽与温度的关系;这三种激子散射分别与 LO、声预声子和施主杂质有关。激子热释放的激活能量约为71meV,该值非常接近于4E_B,D(块状 ZnSe的结合能 E_B,D=19meV)。 相似文献
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用分子束外延方法在GaAS(100)衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe/Znse(x=0.16,x=0.14)超晶格结构.用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究.当超晶格的总厚度大于其临界厚度时,超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数.此时,在(100)平面内,ZnSe阱层受到张应变,而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变,从而,导致其喇曼光谱中,ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动.当超晶格总厚度小于其临界厚度时,超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数,此时,ZnSe阶层不再受到应变,而Zn1-xMn 相似文献