共查询到18条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
提出了一种新型结构的硅光电负阻器件———光电双耦合区晶体管(photoelectricdualcoupledareatransistor,PDUCAT) ,它是由一个P+ N结光电二极管和位于两侧的两个纵向NPN管构成的.由于两个NPN管到光电二极管的距离不同,使得它们对光生空穴电流的争抢能力随外加电压的变化产生差异,同时两个NPN管电流放大系数相差较大,最终导致器件负阻现象的出现.文中对PDUCAT进行了工艺模拟和器件模拟,围绕着负阻的形成机理和影响器件性能的主要参数进行了讨论,初步建立了器件模型. 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
硅光电负阻器件的构成原理与分类 总被引:1,自引:0,他引:1
郭维廉 《固体电子学研究与进展》2002,22(1):120-126
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法 相似文献
7.
光电负阻晶体管的初步研究 总被引:11,自引:1,他引:11
本文对“λ”双极晶体管型光电负阻晶体管,首次给出了完整的等效电路,并以此等效电路为基础,用PSPICE电路模拟程序,对PLBT的Iph-VcE特性进行了模拟。模拟结果与从PLBT实验性器件实测的Iph-VCE特性吻合得很好,初步研究还表明,此器件除了作为光探测器外,还具有光生振荡和光控调频等功能。 相似文献
8.
9.
将硅光电负阻器件与发光二极管封装在一起,利用硅光电负阻器件的双稳和自锁特性,制成了一种新型的非线性阈值可调光传感器。研究表明,该光传感器不仅可实现对信号的光电耦合,还可实现设定阈值,比较判断和输出驱动等一系列信号处理功能;同时它结构简单,调整方便。 相似文献
10.
11.
提出并研制成一种新型硅三端负阻器件。该器件由一n沟耗尽型MOS管、一横向pnp双极晶体管和一个电阻集成而得。它具有“双负阻”特性和正阻区阻值易于控制等特点。由理论计算出的器件I_c—V_(CB)特性和负阻参数与实验结果符合良好。 相似文献
12.
双管S型负阻器件的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
模拟电路实验证明用两个同极性的晶体管以多种电路接法都能获得具有S型负阻特性的两端器件。在此实验基础上研制得到一种双向两端S型负阻器件(TBNRD器件)。本文还对该器件产生负阻的原因进行了理论分析。 相似文献
13.
给出一种利用等效负电阻实现阻抗增加的方法.利用该方法,文中所提出的电流源可在不增加电源电压的前提下显著提高其输出阻抗.基于0.6μm的CMOS工艺模型,仿真所得电流源的输出阻抗可达109Ω,同时,该电流源频带宽度为1.04GHz,在-40~145℃之间,电流源的温度系数只有10.6ppm/℃. 相似文献
14.
15.
双向负阻器件的数值模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
本文通过对双向负阻器件进行数值模拟,分析了其产生负阻的内部图象,模拟结果表明,高阻集电区厚度的减小或衬底杂质浓度的增加使负阻曲线的摆幅增大,而基区掺杂浓度的提高将使负阻曲线的峰值减小。 相似文献
16.
17.
18.
研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT.超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证.双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件.双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性.3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT的高速高频特性和负阻器件的双稳、自锁、节省器件的优点. 相似文献