影响全息光刻图形质量的因素

使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行了数值模拟计算,讨论了记录介质显影前后特性的改变和再现时全息掩模复位精度对光刻图形质量的影响,并找出了影响图形质量的主要因素.在此基础上设计了实验系统,最后得到了分辨率基本上只受初始光掩模分辨率限制的光刻图形.     

全息片质量对原子全息光刻图形影响的模拟研究

全息片质量是影响原子全息光刻再现图形质量的关键因素，然而其制作工艺复杂，工序繁多，质量难以控制，模拟研究有助于把握全息片制作工艺中的关键环节，提高全息片的质量。详细模拟了全息片的三个主要质量指标：刻透率、分辨力以及薄膜厚度对再现像质的影响，结果表明：刻透率控制在90％左右即可满足要求，分辨率应优于0．1μm，膜层应尽量均匀。     

全内反射全息光刻技术

介绍了全内反射（ＴＩＲ）全息光刻技术的发展情况、基本原理以及其中的关键技术。     

激光全息光刻技术及其应用

论述了激光全息光刻技术的基本原理、发展状况和在制备衍射光栅及场发射平板显示器等光电子器件方面的应用。     

全息显示屏制做过程中的质量因素分析

对影响重络酸盐明胶（DCG）干版性质、曝光记录及后处理过程中的有关质量因素进行了分析,通过实验研究,给出了解决问题的方法。     

全息微光刻中全息掩模衍射特性的理论研究

通过耦合波理论分析，使用矩阵转换方法，对全息光刻中全息掩模衍射效率进行数值模拟计算，得出了影响全息掩模衍射特性的因素主要是显影前后记录材料平均介电常数的改变、介质的膨胀与收缩以及非共轭再现等，为实验研究提供了理论依据．     

基于计算全息的斜面和曲面光刻

斜面和曲面微结构元件在微电子学、微光学、微流体学等领域有着重要的应用,为了实现快速、低成本的斜面和曲面光刻,提出了利用基于液晶空间光调制器的纯相位计算全息技术投影目标图案到斜面和曲面进行曝光的方法。生成了斜面和球面全息光场,对光场进行消散斑和杂散光去除的处理,完成了斜面和球面光刻实验验证。实验结果表明:该方法加工效率高、设计灵活多变,不受单一结构限制,是一种极具潜力的三维微纳加工方法。     

全息光刻可以制造三维光子晶体

拟用于可见和红外区的三维光子晶体的制造，较其二维晶体困难得多。其制造技术包括常规光刻与全息光刻。已发展出各种方法以制造三维晶体，包括聚合物球的自装配和光刻图样层的堆叠。但是，用第一种方法制出的晶体头一个样品和下一个无法重复；第二种方法则要求逐层制作图样。现在，牛津大学Andrew Tuberfield和Bob Denning领导的一个组将全息光刻扩展至三维，在一次曝光中产生的三维晶体厚度可达80层。研究者使用发射355 nm光的Q开关三倍频Nd:YAG激光曝光厚10~60 mm的环氧树脂型光刻胶层。光刻胶旋涂到熔凝石英盘上，盘的折射率与厚玻…     

全息微光刻中全息掩模衍射特性的理论研究

通过耦合波理论分析,使用矩阵转换方法,对全息光刻中全息掩模衍射效率进行数值模拟计算,得出了影响全息掩模衍射特性的因素主要是显影前后记录材料平均介电常数的改变、介质的膨胀与收缩以及非共轭再现等,为实验研究提供了理论依据.     

光瞳滤波光刻图形质量影响因素分析

在阐述投影成像光刻光瞳滤波技术原理与滤波器设计的基础上,详细分析研究了滤波成像光刻图形质量影响因素。指出影响图形质量的因素除了滤波器设计本身存在误差,主要还存在滤波器的制作误差、滤波器在成像光路中放置的位置误差和光刻工艺条件等因素。实验表明只有注意控制好这些影响因素,才能很好挖掘该技术提高光刻分辨力、增大焦深的潜能。     

Direct Holographic Patterning of ZnO

Zinc oxide thin films are holographically patterned on submicronic scale by direct photodissolution method. The photodissolution process in solution is highly sensitive in the UV range (355 nm). 1D and 2D nanostructures are successfully obtained by this photoresist‐free process. The kinetic of the reaction is studied by recording the transmitted intensity through the evolution of the ZnO film thickness along the reaction time. Application of an electrical potential strongly increases the dissolution rate (1.5 μm min^?1) and decreases the pattern formation time. As a first demonstration of the potential of all‐in liquid direct ZnO heterostructuring, selective growth of ZnO nanorods is performed by chemical bath deposition using holographically patterned ZnO films as a substrate.     

Patterning Colloidal Crystals and Nanostructure Arrays by Soft Lithography

As one of the most robust and versatile routes to fabricate ordered micro‐ and nanostructures, soft lithography has been extensively applied to pattern a variety of molecules, polymers, biomolecules, and nanomaterials. This paper provides an overview on recent developments employing soft lithography methods to pattern colloidal crystals and related nanostructure arrays. Lift‐up soft lithography and modified microcontact printing methods are applied to fabricate patterned and non‐close‐packed colloidal crystals with controllable lattice spacing and lattice structure. Combining selective etching, imprinting, and micromolding methods, these colloidal crystal arrays can be employed as templates for fabrication of nanostructure arrays. Realization of all these processes is favored by the solvent swelling, elasticity, thermodecomposition, and thermoplastic characteristics of polymer materials. Applications of these colloidal crystals and nanostructure arrays have also been explored, such as biomimetic antireflective surfaces, superhydrophobic coatings, surface‐enhanced Raman spectroscopy substrates, and so on.     

激光全息法制备二维硅基图形衬底

理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光和湿法腐蚀图形转移技术,在n型(100)硅衬底上制备出了周期在亚微米量级的均匀二维图形阵列.该方法适合大面积硅基图形阵列的制作.     

激光全息法制备二维硅基图形衬底

理论上模拟了全息光刻法制备二维硅基图形阵列的光强分布和显影过程,通过改变激光波长及入射光与样品表面的夹角即可得到不同周期的二维图形.在此基础上,采用三束光一次曝光和湿法腐蚀图形转移技术,在n型(100)硅衬底上制备出了周期在亚微米量级的均匀二维图形阵列.该方法适合大面积硅基图形阵列的制作.     

电子束直写中X射线光刻掩模的热形变研究

对X射线掩模电子束制备图形过程建立三维有限元模型,提出用热流密度等效法简化瞬态热应力计算,得到了X射线掩模在电子束直写过程中的瞬态热形变.结果表明,掩模面内形变在直写过程中出现振荡变化,最大值为8.24 nm,方向背离电子束光照中心,掩模面外形变最大值为9.75μm,方向沿图形窗口法线方向,并出现在电子束束斑中心.     

A Universal Scheme for Patterning of Oxides via Thermal Nanoimprint Lithography

Direct patterning of oxides using thermal nanoimprint lithography is performed using either the sol‐gel or methacrylate route. The sol‐gel method results in resists with long shelf‐life, but with high surface energy and a considerable amount of solvent that affects the quality of imprinting. The methacrylate route, which is limited to certain oxides, produces polymerizable resists, leading to low surface energy, but suffers from the shorter shelf‐life of precursors. By combining the benignant elements from both these routes, a universal method of direct thermal nanoimprinting of oxides is demonstrated using precursors produced by reacting an alkoxide with a polymerizable chelating agent such as 2‐(methacryloyloxy)ethyl acetoacetate (MAEAA). MAEAA possesses β‐ketoester, which results in the formation of environmentally stable, chelated alkoxide with long shelf‐life, and methacrylate groups, which provide a reactive monomer pendant for in situ copolymerization with a cross‐linker during imprinting. Polymerization leads to trapping of cations, lowering of surface energy, strengthening of imprints, which enables easy and clean demolding over 1 cm × 2 cm patterned area with ≈100% yield. Heat‐treatment of imprints gives amorphous/crystalline oxide patterns. This alliance between two routes enables the successful imprinting of numerous oxides including Al₂O₃, Ga₂O₃, In₂O₃, Y₂O₃, B₂O₃, TiO₂, SnO₂, ZrO₂, GeO₂, HfO₂, Nb₂O₅, Ta₂O₅, V₂O₅, and WO₃.     

影响航空图像质量的主要因素分析

航空图像覆盖范围广,包含巨大的信息量。预先了解影响图像质量的各种原因,有针对性地进行图像质量判别,可以减少信息冗余,提高运算速度。而且,大多数航空图像都没有参考图像,属于绝对图像质量判别范畴。有资料表明,在当前的技术状态下,只有预先了解引起图像降质的原因,对无参考图像进行质量判别才是可行的。本文对影响航空图像的主要因素进行了分析和归纳,并指出了各种因素对图像质量造成的影响,为进行航空图像质量判别提供了方向。