纤锌矿CdSe量子椭球的电子结构和光学性质

在有效质量包络函数理论的框架下，经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算，给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释，对量子椭球发光的偏振性给出了解释，分别讨论了晶格分裂场，温度和短轴半径对偏振度的影响，最后计算了长短轴对能带的影响。     

纤锌矿CdSe量子椭球的电子结构和光学性质

在有效质量包络函数理论的框架下,经过坐标变化给出了椭球形纤锌矿结构CdSe量子点的哈密顿量并对其电子结构和光学性质进行了计算.给出了电子和空穴能级随椭球横纵比变化的图形并对其做出了解释.对量子椭球发光的偏振性给出了解释.分别讨论了晶格分裂场,温度和短轴半径对偏振度的影响.最后计算了长短轴对能带的影响.     

CdSe量子棒的线偏振光学性质

用有效质量包络函数理论研究了CdSe量子棒的线偏振光学性质,考虑了形状和磁场的影响.发现CdSe量子球具有负的线偏振因子(xy-平面内的线偏振发射),而小半径长量子棒具有正的线偏振因子(z-方向的线偏振发射).z-方向就是晶格c-轴方向.因六角晶格对称性和晶格场劈裂能的影响,大半径长量子棒具有负的线偏振因子.线偏振因子随着z-方向磁场的增加而减小,可能由正变负,即z-方向的线偏振发射相对xy-平面内的线偏振发射减小了.     

ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合

采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合.观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象.改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响.在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.     

量子点量子阱中束缚态的能级结构

在有效质量近似下，考察了一个特殊量子点量子阱体系中的电子与空穴束缚态能级结构，以CdS/HgS和ZnS/CdSe构成的量子点量子阱为例进行了数值计算。结果显示，束缚态的本征能量对量子点量子阱的尺寸依赖曲线存在一些拐点，这一结果与均匀量子点体系明显不同；对某个固定的量子点量子阱结构，随量子数n的增加，CdS／HgS量子点量子阱体系中的束缚电子态的能级间隔不是单调增加的，在某些量子数n处存在峰值，而znS／CdSe量子点量子阱体系中的空穴束缚态的能级间隔则是单调增加的，这是由构成量子点量子阱的材料的有效质量比率不同造成的。     

半导体量子点的电子结构

半导体量子点是一种具有显著量子尺寸效应的介观体系。文中从固体能带理论出发，对箱形量子点、球形鼻子点、巨型鼻子点以及磁场中量子点的电子结构进行了讨论。     

ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构中的激子复合

采用MOCVD方法制备了ZnCdSe量子阱/CdSe量子点耦合结构,利用低温(5K)光致发光光谱和变密度发光光谱研究了该结构中的激子隧穿和复合. 观察到在该结构中存在由量子阱到量子点的激子隧穿现象. 改变垒层厚度会对量子阱和量子点的发光产生显著影响. 在垒层较薄的阱/点耦合结构中,隧穿效应可以有效地抑制量子阱中的带填充和饱和效应.     

CdSe量子点的制备与荧光特性研究

主要讨论了CdSe量子点的制备及荧光特性。CdSe量子点由化学方法制备，通过选择不同的反应时间得到不同尺度的量子点样品。用荧光方法研究了量子点样品在石英衬底和有机溶剂中的荧光特性。实验表明，这些量子点都有良好的荧光特性。还用无限深球方势阱模型分析了量子点样品的电子态，并根据荧光参数估算了量子点的尺度．各样品荧光峰具有一致的半峰宽，表明CdSe量子点的成核过程在反应开始时同时完成。     

反应条件对水溶性CdSe量子点光学性能的影响

以巯基乙酸(TGA)为配位剂合成了水溶性CdSe量子点,研究了反应时间、溶液pH值及前驱体溶液中镉元素与硒元素的摩尔比对量子点光学性能的影响。以L-半胱氨酸(L-cys)、巯基乙酸和巯基乙胺(CA)为配位剂在优化的pH值条件下合成了系列水溶性量子点,研究了配位剂的种类对量子点光学性能的影响。结果表明:当以TGA为配位剂时,反应条件对量子点的粒径分布及光学性能有重要的影响;为获得粒径分布窄的量子点溶液,宜采用的最佳反应条件为pH值为10～12,Se与Cd的摩尔配比为2∶3,量子点的粒径随时间延长而增大;此外,利用不同的配位剂可有效改变水溶性量子点的表面物理化学特性,且量子点的尺寸大小因所用配位剂不同依以下顺序递减:巯基乙酸L-半胱氨酸巯基乙胺。     

CdSe量子棒的线偏振光学性质

用有效质量包络函数理论研究了CdSe量子棒的线偏振光学性质,考虑了形状和磁场的影响.发现CdSe量子球具有负的线偏振因子(xy-平面内的线偏振发射),而小半径长量子棒具有正的线偏振因子(z-方向的线偏振发射).z-方向就是晶格c-轴方向.因六角晶格对称性和晶格场劈裂能的影响,大半径长量子棒具有负的线偏振因子.线偏振因子随着z-方向磁场的增加而减小,可能由正变负,即z-方向的线偏振发射相对xy-平面内的线偏振发射减小了.     

Electronic Structure and optical Properties of Wurtzite CdSe Ouantum Ellipsoid

In the framework of the effective mass envelop function theory, we got the amiltonian of the quantum ellipsoidafter a coordinate transition. The energies wave functions are calculated as functions of the aspect ratio. With an overallconsideration of the transition matrix element and the Boltzmann distribution, we explained why the polarization factorincreases with increasing e and approaches a saturation value which tallies quite well with the experiment reported. The effects of the crystal field splitting energy temperature and transverse radius to the polarization are also considered. We discussed the band gap variation with the size and shape of the quantum ellipsoid at last.     

纤锌矿GaN光电性质的第一性原理研究

利用平面渡赝势密度泛函的方法,结合广义梯度近似,对纤锌矿GaN的光电性质进行了研究.对纤锌矿GaN的能带结构、态密度分布、复介电函数和吸收光谱进行了计算.文中分析了纤锌矿结构GaN晶体可能的跃迁及其对应的吸收光谱.结果显示GaN晶体的光学性质与晶体的电子结构直接相关.计算结果为进一步理解和改进纤锌矿GaN的光电性质提供理论基础.     

耦合GaN/AlxGa1-xN量子点的非线性光学性质

在有效质量和偶极矩近似下,考虑了由于压电极化和自发极化所引起的内建电场和量子点的三维约束效应,对纤锌矿对称Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N/GaN/Al_xGa_(1-x)N圆柱型应变耦合量子点中激子非线性光学性质进行了研究。计算结果表明,内建电场使吸收光谱向低能方向移动,发生红移现象,并且使吸收峰强度大大减小。量子限制效应使光吸收峰强度随着量子点尺寸的减小而增强,并且随着量子点尺寸的减小,吸收光谱发生蓝移现象。     

Diameter Dependent Electronic,Optical and Transport Properties of CdSe Nanowire: Ab-Initio Study

Semiconductors - We report the Density functional theory (DFT) based investigations of diameter dependent electronic and optical properties of CdSe nanowire (CdSe-NW) in its wurtzite phase. The DFT...     

LiH电子结构与光学性质的密度泛函计算

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法计算了LiH晶体的电子结构和光学性质,给出了电子态密度、介电函数、吸收系数、复数折射率等计算结果,并对计算结果进行了分析.介电函数的虚部、吸收光谱、折射率等的峰值位置存在一一对应关系,这表明它们之间存在着内在的联系,与电子从价带到导带的跃迁吸收有关.

Abstract：

Electronic structure and optical properties of LiH crystal were investigated by using plane-wave ultra-soft pseudopotential method based on density functional theory. Electronic state density, dielectric function, absorption coefficient, and the complex reflectivity index of LiH crystal were calculated and analyzed. The peaks of the imaginary part of dielectric function, absorption spectra and complex reflectivity index of LiH crystal are corresponding with each other. Such results are related to the transition absorption of electrons from valence band to conduction band.     

GaN/AlN量子阱中的准受限声子

采用基于宏观介电连续模型的传递矩阵方法研究了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子，得出了任意层纤锌矿量子阱中的准受限声子的本征模解、色散关系；对GaN／A1N单量子阱和耦合量子阱中的准受限声子的色散关系进行了数值计算和讨论。实验发现在阱内的受限行为导致了波矢qe,j的量子化，并且准受限声子的色散随量子阶数m的减小而增强，由色散曲线组成的带随m的增加而变窄。