GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.     

重氮掺杂GaP中NN3束缚激子与声子的耦合

通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.     

GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰.     

重氮掺杂GaP中NN_3束缚激子与声子的耦合

通过光致发光谱研究了在19～48K范围内掺氮浓度为0.12%时的GaPN的NN3束缚激子与声子的耦合.直接计算了NN3束缚激子的LO,TO和TA声子伴线的黄昆因子S,除了LO声子外,得到了TO和TA声子伴线的S因子在该温度范围内对温度的依赖关系.计算表明,NN3的LO,TO和TA声子的S因子均与温度无关,说明NN 3的LO,TO和TA声子伴线与它们的零声子线具有相同的温度依赖关系,符合黄昆的多声子光跃迁理论.     

ZnS1-xTex混晶的压力光谱

研究了ZnS1-xTex(0.02≤x≤0.3)混晶的静压光致发光谱.每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰,来源于束缚在Ten(n≥2)等电子陷阱上的激子复合发光,且随压力(0～7.0GPa)而蓝移.发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小,随着Te组分的增加而减小,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大.由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量,与发光峰有关的吸收效率降低,发光峰积分强度随着压力增加而减小.据此估算了Ten等电子中心的Stokes位移.发现Stokes位移随着Te组分的增加而减小.     

ZnS_(1-x)Te_x混晶的压力光谱

研究了 Zn S1 - x Tex(0 .0 2≤ x≤ 0 .3)混晶的静压光致发光谱 .每块样品都观察到一个峰值比相应混晶带隙低很多的发光峰 ,来源于束缚在 Ten(n≥ 2 )等电子陷阱上的激子复合发光 ,且随压力 (0～ 7.0 GPa)而蓝移 .发光峰的压力系数比相应混晶带边的都要小 ,随着 Te组分的增加而减小 ,与混晶带隙压力系数的差别也越来越大 .由于压力下与发光峰对应的吸收能量逐渐接近并超过激发光的能量 ,与发光峰有关的吸收效率降低 ,发光峰积分强度随着压力增加而减小 .据此估算了 Ten 等电子中心的 Stokes位移 .发现 Stokes位移随着 Te组分的增加而减小     

GaP：N液相外延层中杂质对PL谱的影响

借助低温光致发光方法测量了ＧａＰＮ双液相外延材料ＰＬ谱，结果表明：辐射复合效率高的材料ＰＬ谱基本上由孤立Ｎ和ＮＮｉ等束缚激子尖锐峰组成；发光效率较低的ＰＬ谱含有ＤＡ对辐射跃迁的钟形谱上迭加ＮＮｉ峰．分析了谱峰的性质，阐明了提高ＧａＰＮ外延片发光效率的制备工艺途径     

低N含量GaAsN材料的共振喇曼散射及其带边以上的光致发光光谱

利用显微光致发光技术,观测到了N含量为0.1%,0.22%,0.36%和0.62%的GaAsN合金的E0,E0+△0和E+能级的光致发光峰.共振喇曼散射谱进一步证实了这些发光峰来源于所研究材料的本征能级,而不是来源于GaAsN合金中的一些局域激子发射.随着N组分的增加,E0+△0和E+能级分别向低能和高能方向移动并在N组分为0.16%时发生交错.文中提出了一种少量等电子掺杂和显微光致发光谱相结合的方法来直接观测半导体材料带边以上的跃迁能级,尽管光致发光谱通常没有用来观测这些能级位置.     

混晶GaAs1—xPx：N（x=0.4）中的Nx和NГ发光带的研究

本文采用变温条件下的光致发光谱和选择激发发光谱对混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中的Ｎｘ和ＮГ发光带进行了研究。在选择激发条件下,实验未观察到混晶ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．４）中ＮГ→Ｎｘ的带间能量转移现象。从变温光致发光谱得到在温度Ｔ〈５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）＝５．８ｍｅＶ和Ｅａ（Ｎｘ）＝１１．２ｍｅＶ;在温度Ｔ〉５０Ｋ时,ＮГ和Ｎｘ的激活能分别为Ｅａ（ＮГ）     

等电子施、受主杂质共掺的磷化镓发光特性和能量转移

本文研究了液相外延生长的不同掺Bi,N浓度GaP∶(Bi_7N)材料的低温光致荧光光谱,观察到了N谱线“猝灭”和Bi束缚激子发光增强的现象.这可以解释为束缚激子由等电子受主N向等电子施主Bi隧穿能量转移的结果.变激发密度下各中心发光强度的变化关系以及与GaP∶(Bi)材料的实验结果比较,为这一能量转移过程提供了进一步的论据.     

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品     

GaP:N(Te)发光谱上的声子双伴线

根据GaP∶N(Te)的光致发光和喇曼光谱,提出了GaP∶N发光中的光学声子双伴线可能分别由LO~г和它的束缚态LO_(XN)~г对所产生的初步设想.另外,尝试对Te的声学声子翼中所含的组合声子作出判别.     

Photoluminescence of CdSe nanoparticles in porous GaP

The photoluminescence properties of porous GaP films nanostructured with CdSe particles (d = 2.8 nm) are studied. It is shown that deposition of the CdSe nanoparticles onto the porous GaP films shifts the photoluminescence spectrum of the nanoparticles covered with a surface-active medium. to shorter wave-lengths. It is established that violation of integrity of the surface-active coating of the CdSe nanoparticles results in the formation of at least two fractions of nanoparticles different in dimensions. These fractions of nanoparticles are responsible for well-resolved photoluminescence bands with peaks at 508 and 560 nm.     

Raman Spectra of AlP／GaP Short—period Superlattice

The samples of (AlP)n/(GaP)n short-period superlattics(period number n=4,6)grown by MOVPE and the sample of n-GaP(100)single crystal substrate are measured and analyzed by Raman spectrum.In the three kinds of samples,the double-phonon modes of first-order Raman scattering peaks are all existent.Moreover,the second-order Raman scattering peaks are observed to exist.     

SiGe/GAP合金的高温退火特性

对SiGe/GaP合金进行的退火研究发现,当这种合金经受了高温-低温-高温三步骤退火后,材料的温差电功率因子(α~2σ)得到了进一步的改善。     

Photoluminescence Spectra of Post-heat-treated Porous Silicon

Porous silicon prepared by pulse electro-etching is heat-treated in O2 atmosphere with an enhancement of its PL peak and an improvement of its PL stability. The PL peak of a sample porous silicon treated in O2 atmosphere at 1000℃ presents itself a three-peak structure and, compared with an un- heat-treated sample, there exists blue shift of ～ 40nm.     

Photoluminescence of quasi-direct transitions in disorderedIn1-xGaxP/graded GaP alloys

We have examined the photoluminescence and photoluminescence kinetics of a series of In_1-xGa_xP alloys in an effort: 1) to elucidate the electronic structure of the conduction band versus alloy composition, especially near the direct-indirect crossover; 2) to determine precisely the composition of the direct-indirect crossover, and its temperature dependence; and 3) to understand the nonradiative decay mechanism and its temperature dependence. We find that the fundamental bandgap is only determined by the Γ_1c and X_1c states in samples with Ga-compositions ranging from 0.58 to 0.75, and that the 2-K direct-indirect crossover from Γ_1c, to X_1c occurs at x=0.69 and is not strongly temperature-dependent. Further, we find, in agreement with our spectroscopic ellipsometry measurements at room temperature, that the mixing near crossover is rather complicated and leads to the previous observation of quasi-direct transitions. Our combined photoluminescence and spectroscopic ellipsometry measurements have therefore clearly resolved the controversy regarding the bandgap crossover. This has strong implications for the realization of InGaP-based efficient light-emitting devices with emission at higher energies     

半绝缘砷化镓的PL谱及其质量表征

对多批不同束源的LEC SI-GaAs进行了15K及变温、变激发光强的光致发光PL测量,并对不同PL峰值能量下PL强度随样品位置的变化进行了一维线性扫描和二维空间扫描。对三个能谱区的分析和讨论表明,PL测量可作为高性能微波GaAs FET及GaAs IC用衬底的无损评价方法。