双极RF功率管的深阱结终端

给出了双极 RF功率管新的深阱结终端结构 .模拟分析表明 ,具有优化宽度、优化深度且填充绝缘介质的深阱结终端结构能使雪崩击穿电压提高到理想值的 95 %以上 .实验结果表明 ,深阱结终端结构器件 DCT2 6 0的BVCBO为理想值的 94 % ,比传统终端结构器件高 14 % ;与传统结构相比 ,在不减小散热面积的情况下 ,该结构还减小集电结面积和漏电流 ,器件的截止频率提高 33% ,功率增益提高 1d B     

深阱RF功率双极晶体管雪崩击穿特性的模拟分析

本文提出一种能有效提高ＲＦ功率晶体管雪崩击穿电压和频率特性的晶体管结构深阱ＲＦ功率双极晶体管,并且采用ＭＥＤＩＣＩ分析软件研究了影响器件特性的一些因素：深阱阱壁的宽度与深度、阱壁填充介质、界面电荷以及场板．采用这种技术的功率晶体管（ＶＨＦ,线性输出功率１５Ｗ）的结构参数为ＮＣ＝７０×１０１５ｃｍ－３Ｎ型外延层,集电结结深ＸＪＣ＝０３μｍ,未掺杂多晶硅填充深槽．典型的器件雪崩击穿电压为ＢＶＣＢＯ＝７２Ｖ,截止频率１６ＧＨｚ;并且该晶体管具有较小的漏电流（～２０μＡ）．这初步显示了深阱结构在ＲＦ功率晶     

采用深阱结构的耐压技术

讨论了基于深阱结构的提高器件击穿电压的技术。采用深阱结构的结终端技术，消除了平面工艺所产生的曲面结，从而使器件的击穿电压接近理想平行平面结的击穿电压。同时，该结终端技术还具有占用器件面积极小的优点；通过向阱中填充低介电常数的物质，深阱结构还能抑制工艺上的横向扩散，并能承受比硅材料更大的峰值电场。     

具有新平面终端的高压双极晶体管

1 引言在达到双极功率技术的最大性能之前仍需做许多工作。但是随着离子注入和微细光刻之类的半导体工艺的发展,功率器件技术已取得了许多进展。不断地改进了双极功率晶体管的维持能量,电流分散和开关速度。为满足功率电子学产业的需要,在耐久性,维持电压和工作频率方面也取得了进展。     

硅材料功率半导体器件结终端技术的新发展

综述了硅材料功率半导体器件常用结终端技术的新发展.介绍了场板、场限环、结终端延伸、横向变掺杂、深槽、超结器件的终端等一系列终端技术发展中出现的新结构、新原理和新数据,并对其优缺点与适用范围进行了说明.     

一种800 V深阱多浮空场环终端结构设计

在多浮空场环理论的基础上,采用深阱多浮空场环技术,在200 μm的终端长度上实现了一种击穿电压为931 V 的VDMOS终端保护环结构。此终端硅表面各环电场均匀,最大表面电场强度为2.42e5 V/cm,在相同条件下,该终端结构的耐压比普通多浮空场环终端结构提升了34.15%,有效提高了终端效率。     

一种新型4H-SiC BJT结终端结构研究

设计了一种应用于4H-SiC BJT的新型结终端结构。该新型结终端结构通过对基区外围进行刻蚀形成单层刻蚀型外延终端,辅助耐压的p+环位于刻蚀型外延终端的表面,采用离子注入的方式,与基极接触的p+区同时形成。借助半导体数值分析软件SILVACO,对基区外围的刻蚀厚度和p+环的间距进行了优化。仿真分析结果表明,当刻蚀厚度为0.8μm,环间距分别为8,10和9μm时,能获得最高击穿电压。新结构与传统保护环(GR)和传统结终端外延(JTE)相比,BVCEO分别提高了34%和15%。利用该新型终端结构,得到共发射极电流增益β>47、共发射极击穿电压BVCEO为1 570V的4H-SiC BJT器件。     

一种提高硅双极器件频率和功率的新技术

提出了一种能同时提高硅双极器件频率和功率的新技术－具有深阱终端结构的新型梳状深阱结构技术。采用ＭＥＤＩＣＩ模拟分析表明,该技术可交双极器件的击穿电压ＢＶＣＢ０提高到平行平面结的９０％以上;可减小寄生效应和漏电流,有助于提高小电流β０;可适当的增加集电区掺杂浓度,减小τｄ,同时提高ＩＣＭ和Ｐｏ。     

非外延集电区的超高压锗硅异质结双极晶体管

介绍了在0.18 μm逻辑工艺平台上全新设计的超高压锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),该器件改变了外延的一维纵向集电区,而采用了通过离子注入掺杂的“L形”二维集电区结构,集电区包括本征基区下方的纵向集电区和场氧底部横向集电区.该器件可在同一工艺中通过版图中横向集电区长度的变化实现不同的击穿电压,因此可制作超高压...     

GaN-Based RF Power Devices and Amplifiers

The rapid development of the RF power electronics requires the introduction of wide bandgap material due to its potential in high output power density, high operation voltage and high input impedance. GaN-based RF power devices have made substantial progresses in the last decade. This paper attempts to review the latest developments of the GaN HEMT technologies, including material growth, processing technologies, device epitaxial structures and MMIC designs, to achieve the state-of-the-art microwave and millimeter-wave performance. The reliability and manufacturing challenges are also discussed.     

MOS型硅功率器件的耐压与终端处理

本文介绍了MOS型硅功率器件常见的平面结击穿电压的基本理论和提高击穿电压的基本方法以及终端处理技术发展中所面临的课题。     

500V VDMOS功率器件终端结构设计

本文论述了VDMOS器件的一种场板-分压环结合的终端结构。对1.5A/500V功率器件进行了分析和设计,并给出了终端电场分布的模拟结果。投片试制结果与设计预期参数相符。     

一种具有变深槽电容的横向功率p-MOSFET

提出了一种含介质深槽的横向p沟道功率MOSFET(p-MOSFET)。深槽内填充了线性组合的高介电常数(high-k)介质和二氧化硅,以调变寄生的深槽电容(CDT),使CDT充电电荷增大且使该充电电荷沿纵向接近均匀分布。在深槽一侧,通过提高p型漂移区剂量来提供负极板充电电荷,在深槽另一侧,通过增设n型区来提供正极板充电电荷。两侧漂移区的电荷补偿效应均得到增强,器件性能获得提高。仿真结果表明,当击穿电压VB为450 V时,器件的比导通电阻RON,SP为9.5 mΩ·cm²,优值达21.3 MW/cm²,优值为现有器件的2.7倍。该项研究成果为功率集成电路提供了更优的器件选择。     

RF MEMS器件面面观

RF-MEMS器件的出现,适应了现代光刻技术和硅IC技术、无线通讯技术的发展的需要,因此很快引起学术界和工业的巨大的重视。可以预言,RF-MEMS器件将很快从实验室走向生产实际,在国民经济的各个方面包括通讯、航天航空技术、交通技术、生物医学领域以及国防工业中发挥重要作用。     

MOS型硅功率器件平面终端结构

本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。     

高速双极器件制造中的离子注入技术

本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。     

高性能硅双极器件的发展

以ECL电路为主,讨论了硅双极器件近期的发展。简述了VLSI中ECL电路结构和性能之后,着重讨论双极器件的按比例缩小、结构的改进以及相关的工艺技术的发展,最后分析了双极器件的低温工作性能。