节省功耗的LED驱动器

一种驱动高亮度LED的方法是采用标准的降压补偿转换器(图1).检测电阻器Rs产生一个反馈电压VFB,它根据公式RS=VFB/ILED设定了需要的LED电流ILED.不幸的是,大多数补偿转换器需要一个1V量级的相对较高反馈电压,这个电压在检测电阻器上的耗电过大(PSENSE=VFB×ILED).     

高功率密度30V功率晶体管

30V表面贴装功率晶体管采用STripFET VI DeepGATE制造工艺,大大提高单元密度,新产品具有出色的导通电阻。首批产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5mm×6mm PowerFLAT封装,单位面积导通电阻达到极低;STD150N3LLH6采用DPAK封装,导通电阻为2．4mQ。     

梯形网络等效电阻的计算机辅助分析

本文简要介绍了梯形电阻网络的概念,对梯形电阻网络等效电阻的求解从理论上进行了分析,并应用Visual Basic 6．0编制了梯形电阻网络的等效电阻分析程序,由分析程序可方便求出在R1、R2、R3、R0、n取不同值时梯形网络的等效电阻。同时得出了无穷梯形电阻网络的等效电阻存在一个定值R（N0）等重要结论。     

面向照明及开关电源应用的功率MOSFET

SuperMESH3功率MOSFET主要用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。620V的STx6N62K3是SuperMESH3系列的首款产品，后续产品有620V的STx3N62K3和525V的STX7N52K3和STX6N52K3。SuperMESH3技术可以降低导通电阻，在620V电压下，DPAK封装的STD6N62K3把导通电阻降低到1．28Ω；在525V电压下，STD7N52K3把导通电阻降低到0．98Ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。     

双SPDT（单刀／双掷）、低压模拟信号开关

AS1747兼具0．4Ω的超低通态电阻与小于0．03Ω的通道间匹配,从而使通道间的信号差异降至最低。另外,AS1747还具有0．25Ω的导通电阻平坦度。综合上述优势,该器件使总谐波失真（THD＋N）降至仅0．01％,可获得优异的音频信号品质。     

具有极低通态电阻的N沟道MOSFET系列

采用SuperSO8和S308（Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS 3 N沟道MOSFET具有极低的通态电阻,40V系列具备最低1．8mΩ的通态电阻,60V系列具备最低2．8mΩ的通态电阻,80V系列具备最低4．7mΩ的通态电阻。这些器件的FOM（品质系数）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%,能够更快速实现开关,同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗,提高功率密度,降低驱动器散热量。     

Vishay推出采用业内最小芯片级MICRO FOOT封装的新款Vishay Siliconix功率MOSFET

Vishay Intertechnology，Inc．宣布．推出采用业内最小0．8×0．8×0．4mm MICROFOOT@封装的CSP规格尺寸，具有业内最低导通电阻的新款12V和20V的N沟道和P沟道TrenchFET功率MOSFET。     

电压反馈和电流反馈运算放大器的比较

从闭环特性、开环特性、输入级、噪声等几个方面，对电流反馈(CFB)放大器和电压反馈(VFB)放大器进行了详细的比较，得出了CFB放大器和VFB放大器的一些基本特性和应用场合。通过对这两种电路的比较，有助于电路设计师在实际应用中选择最适合自己要求的运算放大器。     

反激式开关电源控制芯片中的高精度原边反馈技术

本文提出了一种用于反激式开关电源控制芯片的高精度原边反馈技术,可以自动追踪原边辅助绕组电压的膝电压位置,得到高精度的反馈电压并将其进行模数转换输出反馈量VFB,控制芯片中的数字补偿模块根据VFB的值调节开关管的导通时间,最终实现输出电压的精确调制。本文提出的反馈技术采用csmc0.18 m工艺实现,验证结果显示本设计可以很好的检测到膝电压,实现了精确的原边反馈。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

能测量三个温度区的温度监控器

你可能使用一个ADT7461型单通道温度监控器．一个ADG708型低压低漏电CMOS 8对1多路复用器和三只标准2N3906型PNP晶体管来测量三个独立的远程高温区的温度(图1)。多路复用器的电阻RON与三只晶体管有关；通道匹配和电阻RON的平坦度通常都会引起不同的温度偏移。这一系统使用的ADT7461型温度监控器能自动抵消与外部温度传感器串联的电阻．从而可用作多通道温度监控器。电阻自动抵消后．RON平坦度和通道闻的变化就不会有什么影响。     

两种电流反馈放大器比较

简介 许多工程师由于一些误解,现在仍然拒绝使用电流反馈(CFB)放大器。多数运算放大器电路是执行经典控制理论分析的闭环反馈系统。模拟电路设计者习惯于在闭环系统中使用电压反馈(VFB)运算放大器,并熟悉其理想状态下的近似反馈允许值。这篇文章将阐述如何以同样方式使用CFB运算放大器。一旦理解了闭环的相似之处,就很容易理解多数使用VFB放大器的电     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

高压工艺N阱电阻SPICE模型研究

文章对0.5μm/40V高压工艺中形成的N阱电阻的SPICE模型进行研究。因为高压电路的实际应用,N阱电阻的寄生效应不可忽略,所以精确反应其电学特性的SPICE模型也显得尤为重要。从N阱电阻的测量结果反映其IV曲线的非线性特性和结型栅场效应管JFET输出特性曲线具有相似性,并通过对高压阱电阻与JFET的结构分析认为可以采用JFET的电压电流关系来建立合理的数学模型反映高压阱电阻的这种非线性特性。因此在文中借用JFET的SPICE模型作为基础,用宏模型的方法为高压N阱电阻建立了一套精确的SPICE模型。此模型适用于各类仿真器,具有一定的通用性。     

耳机、前置两用放大器

一．电路原理 本机的放大电路如图1所示。G1用6N11作前级放大,屏极电路进电电压为135V。为展宽频带,屏极负载电阻取30kΩ,阴极电阻调至500Q时,栅负压为1．35V,屏流为2．7mA,保证了本级工作在甲类状态。6N11是双三极管,要确保两边性能对称,     

英飞凌30V车用MOSFET具备全球最低通态电阻

英飞凌科技股份公司近日面向大电流应用的汽车推出一款具备全球最低通态电阻的30V功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。全新的OptiMOS—T230V MOSFET是一款N沟道器件,在10V栅源电压条件下,漏极电流为180A,而通态电阻仅为0．9毫欧。     

Vishay发布应用于国防和航天的新款QPL氮化钽薄膜片式电阻

日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE)宣布,推出通过QPL MIL-PRF-55342测试的新款表面贴装片式电阻——E/H(Ta2N)QPL,保证可靠性达到100 ppm的"M"级失效率。新的E/H(Ta2N)QPL电阻使用耐潮的氮化钽电阻膜技术制造,为国防     

XC9242／XC9243系列：DC／DC转换器

XC9242／XC9243系列产品是输出电流为2A的降压同步整流DC／DC转换器,其内置晶体管的导通电阻小。对应陶瓷电容、内置0．11Ω（TYP．）P沟道MOS驱动晶体管及0.12Ω（TYP．）N沟道MOS开关晶体管。     

应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.     

电源

电池备份．安全控制器DS3600,可提供20A电流的DC／DC控制器LTC3822,集成数字电源监视器的热插拔控制器,集成低噪声LDO的应用微处理器用电源单元,宽压输入隔离稳压器VFB—YMD-5W,传导升压型DC／DC转换器,5～18V输入的高效率大功率LED驱动芯片PT4105.[编者按]