用平面磁化膜改进磁光盘读出分辨率

对磁光盘高密度记录来讲，我们已经研究了一种新方法，即使用ＧｄＦｅＣｏ读出层和ＤｙＦｅＣｏ记录层所组成的一种介质未增强表面上的光分辨率。被设计的读出层的磁化方向，在室温时是平面的，而在高温时变成垂直取向。所以这种介质只有在读出光束加热区域才有极性克尔角效应。其它区域则由于平面磁化方向而被屏蔽掉了。使用这种介质发现，读出束斑点中心的位不会与相邻位发出串扰。计算了以上高分辨率读出方法的函数，和通过对磁光性质的研究是相一致的。     

单层膜孤立垂直磁化环形头读出过程的详细分析

本文认为孤立垂直磁化介质中存在退磁场，并建立了近似的数学模型．推导了读出波形电压表达式。分析了头盘结构参数对读出过程的影响。     

可编程控制器与工控机的通信实现

本文简要介绍了可编程控制器的性能、特点，实现了可编程控制器与工控机的通信和程序设计，介绍了电缆自动生产线监控系统中应用时的程序设计方法，解决了通信中数据的正确读出和可靠读出。     

量子点红外焦平面读出电路接口研究及选择

目前InGaAs等材料的短波红外探测器读出电路已经较为成熟，其输入级接口电路也因不同公司和项目需求有着相对成熟的选择，但是在量子点短波红外探测器读出电路输入级接口电路的选择上，现有可查阅的公司及团队也并没有对输入级接口电路的选择进行研究，为了解决量子点探测器与读出电路输入级接口的匹配问题，对量子点探测器所使用的主流读出电路输入级结构进行研究，如CTIA、BDI,通过建立其电路等效模型并进行详细分析，以注入效率为切入点进行公式的研究与推导，将量子点探测器测试所得IV、CV分别结合不同输入级电路结构进行计算及对比，选择出一个更适合量子点探测器的读出电路输入级结构，最终选择CTIA型电路作为量子点短波红外探测器读出电路的输入级接口，其注入效率大于99%。     

磁盘文件的加密与解密

本文通过剖析ＤＯＳ的拷贝功能，描述了一种通过修改ＤＯＳ的ＦＡＴ，使ＤＯＳ不能正常读出磁盘文件的加密方法；然后通过修改ＢＩＯＳ的磁盘服务功能中断调用，将加密文件正确读出的解密方法。     

高道密度垂直磁记录单极头读出过程的理论分析

本文对高道密度垂直磁记录单极头的读出过程进行了理论分析，考虚到垂直磁记录方式的记录位长远小于单极型磁头厚度，在不计及漏磁的情况下，用镜像法简化地推导了双层膜窄道宽垂直磁记录单极头读出波形电压表达式，由此可以看出影响垂直磁记录单极头磁记录系统实现高道密度的因素。     

电脑读写的背后

电脑工作时，中央处理器（CPU）从存储器中读取数据，完成计算后再将数据写入存储器。电脑的工作，就是一个持续不断读出和写入数据的过程。数据在CPU和存储器之间穿梭来往，实现了纷繁复杂的计算和控制功能。你是否想了解，数据是如何写入和读出，而存储器又是如何记忆的呢？     

国外磁鼓存储器晶体管读写电路综述(下)

读电路 (一)概述数字磁记录装置的读出过程就是纪录信息的磁性载体经过读出磁头产生电脉冲信号。由于读出过程是弱磁场作用于读出线圈,故有人,把这一过程作为线性系统处理。利用互易原理(Reciprocity principle)及迭加原理(Superposition principle)研究出了记录磁场的静态分布与读出电压波形     

新型CCD磁场摄像器

本文介绍了一种类似于光电二极管线阵扫描ＣＣＤ摄像器的磁场摄像器，其中磁信号是以电流方式被收集并象普通ＣＣＤ那样读出。磁摄像器采用埋入通道及ＣＣＤ读出电路，使摄像器像素要以实现最佳化，其灵敏度高达１０９．７Ｔ。     

一种新型128*128非制冷红外焦平面阵列、读出电路设计

本文从整体介绍了非致冷红外焦平面阵列读出电路系统,并着重介绍了一种便于集成的非致冷红外焦平面阵列(IRFPA)读出电路(ROIC),叙述了该读出电路的电路原理及工作时序。     

基于列共用多采样技术的ＣＭＯＳ图像传感器读出电路设计

针对CMOS图像传感器中相关多采样(correlated multiple sampling, CMS)技术在抑制噪声的同时使读出速度受影响的问题,设计了低噪声读出电路。读出电路采用列共用多采样技术,能够在不影响读出速度的情况下,抑制时域噪声和列固定模式噪声(Fixed Pattern Noise, FPN),改善CMOS图像传感器的成像质量。列共用多采样技术采用开关控制读出电路和像素的连接关系,以多列共用的读出电路对像素依次进行时序错开时间缩短的多次采样,完成所有像素量化的总时间保持不变。基于列共用多采样技术读出电路的降噪效果在110nm的CMOS工艺下进行了仿真和验证。随着采样数M从1到4变化,读出时间没有增长,瞬态噪声仿真得到整个读出链路的输入参考噪声从123.8μV降低到60.6μV;加入列FPN进行仿真,输入参考失调电压由138μV降低到69μV。     

红外焦平面阵列的CMO S读出电路结构评述

红外焦平面阵列是获取景物红外光辐射信息的重要光电器件。读出电路是其关键部件,良好的读出电路性能在红外焦平面阵列中发挥着重要的作用。列举了一些最新的CMOS读出电路单元结构,并对它们各自的特点作了简要的比较,给出了一些结构对应芯片上的主要参数,最后,简单介绍了读出电路的未来发展方向。     

一种新型128*128非致冷红外焦平面阵列、读出电路设计

本文从整体介绍了非致冷红外焦平面阵列读出电路系统,并着重介绍了一种便于集成的非致冷红外焦平面阵列(IRFPA)读出电路(ROIC),叙述了该读出电路的电路原理及工作时序.     

垂直磁记录单极型磁头读出过程的计算机仿真研究

本文对单极头垂直磁记录系统的读出过程进行了计算机仿真。分析了头盘结构参数对垂直磁记录的读出过程的影响。     

高道密度垂直磁记录环形头读出过程的理论分析

本文从理论上对高道密度垂直磁记录环形头读出电压进行了计算，并对道间串扰进行了分析。     

铁电存储器的基本单元及其工作模式

按照铁电储存器的破坏性读出和非破坏性读出的这两种基本工作模式及其所对应的铁电随机存取存储器FRAM和铁电场效应晶体管肿FFBT两种结构形式的分类，分别介绍了1T／1C，2T／2C结构和铁电场效应晶体管金属-铁电-半导体（MFS）结构的基本铁电存储单元的结构及其工作模式。     

低温红外面阵读出电路中的高性能缓冲器设计

使用chrt 0.35μm 3.3V CMOS工艺设计了用于制冷型红外面阵读出电路的高性能输出缓冲器,该缓冲器能在红外读出电路5M/s的读出速度下驱动约25pF的负载电容,在输出幅度为2V的条件下,建立时间为40ns,平均功耗为3.94mA。给出了修改chrt 0.35μm后的模型参数的仿真结果与最后的测试结果,基本满足红外读出电路的设计要求。     

单管单元MOS随机存储器的外围电路

采用单管和一个存储电容组成的MOS动态存储器的单元面积可以在2平方密耳以下。有用的读出信号非常小,通常采用平衡读出。在确定总面积、价格、性能和测试难度的时候,这种读出放大器和芯片上除存储矩阵之外的电路就变得越来越重要了。本文讨论了一个实际的4K随机存储器(RAM)设计中所用的一些关键的外围电路,该设计着重考虑了这些因素。在组成所用的读出放大器时,设计了“边缘校验”的可能性,它可以用来测试单元的存储电平和读出放大器的偏移,以此来保证存储器中适当的信号余量。     

光读出红外传感器

本文介绍新型光读出红外敏感器,主要介绍它的基本工作原理、结构和光读出系统,也介绍了器件的热弯曲特性。     

垂直磁记录环形头读出过程的计算机仿真研究

本文对环形头垂直磁记录系统的读出过程进行了计算机仿真。分析了头盘结构参数对垂直磁记录的读出过程的影响,同时也绘出了该系统的频谱曲线。