瑞萨发布LFPAK-I上表面散热型封装

日前瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装，作为新的功率MOSFET封装形式．它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性，通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品．现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率     

德州仪器推出面向高电流DC／DC应用、显着降低上表面热阻的功率MOSFET

日前，德州仪器（TI）宣布面向高电流DC／DC应用推出业界第一个通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列。相对其它标准尺寸封装的产品，Dual Cool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将MOSFET允许的电流提高50％，并改进散热管理。     

模拟／电源

TI高电流DC/DC功率MOSFET 德州仪器（TI）宣布面向高电流DC／DC应用推出通过封装顶部散热的标准尺寸功率MOSFET产品系列DualCool NexFET,有助于缩小终端设备的尺寸．同时还可将MOSFET允许的电流提高50％,并改进散热管理。该系列包含的5款NexFET器件,支持计算机与电信系统设计人员使用具有扩充内存及更高电流的处理器．     

焊料突起（solder—bump）形式的封装,显著地降低了功率SOIC的热阻

市场上对于能够处理大电流,并且具有小型封装的高功率MOSFET器件的需求越来越大,从而促使人们去努力开发8引出端封装,使它的热特性能够超过所有其它形式的封装。新开发的封装采用突起的焊料接触点,不需要使用连接线,能够适应现有的和正在开发中的微处理器对于散热的要求。     

三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。     

新产品新技术

功率半导体专家国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出突破性表面贴装功率MOSFET封装技术——DirectFET(双侧直焊)功率封装。它是为高效顶侧冷却而设计的首个SO-8占位的表面贴装封装。 全新封装结合经改善的底侧冷却技术,与SO-8型解决方案相比,可作双面冷却,减少多达60％的MOSFET元件数目,并缩减多达50％的主板空间,从而有效地将电流密度(A/in2)提高一倍。 双面冷却的 DirectFET 芯片组结合一对 MOSFET,     

STV250N55F3：250A功率MOSFET

意法半导体推出250A表面贴装的功率MOSFET晶体管。新产品STV250N55F3整合ST PowerSO-10封装和引线带楔焊键合技术,无裸晶片封装的电阻率极低。采用ST的高密度STrip FET Ⅲ制程,典型导通电阻仅为1,5mΩ。STrip-FET Ⅲ其他特性包括：开关损耗低,抗雪崩性能强。除提高散热效率外,九线源极连接配置还有助于降低电阻。在25℃时,封装的额定功率为300W。     

紧凑型集成MOSFET解决方案

FDMF6708N是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用干大电流、高频率同步降压DC／DC应用。其集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6mm×6mm PQFN Intel DrMOS v4．0标准封装。     

功率LED柔性封装结构的设计与热特性分析

根据功率LED的柔性封装要求,提出了基于贴片式(SMD)封装的功率型LED柔性封装结构。对各层结构进行了优化设计,采用有限元分析(FEA),模拟了柔性封装结构LED的热场分布。对比研究了柔性LED与传统封装结构LED的热特性,并对弯曲状态下柔性衬底材料对芯片的应力进行了分析。结果表明,采用金属Cu箔衬底的柔性封装结构,其散热特性较好;Cu/超薄玻璃复合衬底替代Cu箔衬底,可以减少弯曲的应力,减少幅度达到2.5倍,散热特性基本相同。SMD柔性封装的LED不仅具有较好的热稳定性,且具有柔性可挠曲特性,其应用潜力很大。     

硅谷之声

Vishay推出SUR功率MOSFETVishayIntertechnology子公司Siliconix宣布推出采用反向导引TO-252DPAK封装的新型TrenchFET功率MOSFET系列产品。新系列包括20伏SUR70N02-04P、30伏SUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P以及接通电阻值范围为4mΩ至16mΩ的SUR50N03-16P,可用于DC-DC转换器的同步及控制FET。凭借反向成型的引线,采取“SUR”封装的TrenchFET能使该产品反向安装于PCB上,即将散热器安装于顶部以产生更好的散热效果。由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非PCB上,与采用传统引线的DPAK功率MOSF…     

业界最小的55A、500V MOSFET

散热片安装面积减小,全门充电作为业界最小的55A、500V的功率MOSFET,IXFX55N50 HiPerFET安装在本公司的PLUS247封装中,这     

飞兆半导体推出第二代XSTM DrMOS应用解决方案

飞兆半导体公司（Fairchild Semiconductor）最近推出第二代XSTM DrMOS系列FDMF6708N,这是经全面优化的紧凑型集成MOSFET解决方案加驱动器功率级解决方案,用于大电流、高频率同步降压DC—DC应用。FDMF6708N集成了一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管,采用热性能增强型6x6mm。PQFNIntelDrMOSv4．0标准封装。     

利用TrenchMOS技术把逻辑级器件纳入超小型SMD封装中

Philips Semiconductors自从1996年推出TrenchMOS技术以来已利用这一种先进的硅工艺研制出一系列令人刮目相看的N信道功率MOSFET。TrenchMOS功率MOSFET的接通电阻非常低,这意味著功耗更少,因此可以采用小型的表面安装封装,设备生产商也就可以缩小其产品的尺寸,减轻重量,节省成     

瑞萨发布第二代“集成驱动器MOSFET”

瑞萨科技公司宣布推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器(VR)。样品供货已从2006年12月在日本开始。R2J20602NP符合英特尔公司提议的“集成驱动器MOSFET(DrMOS)”封装标准。它集成了一个驱     

异质栅MOSFET热载流子效应的研究

异质栅MOSFET器件的栅极由具有不同功函数的两种材料拼接而成,能够提高载流子输运速度、抑制阈值电压漂移等.文中比较了异质栅MOSFET和常规MOSFET的热载流子退化特性.通过使用器件数值模拟软件MEDICI,对能有效监测热载流子效应的参数,例如电场、衬底电流和栅电流等参数进行仿真.将仿真结果与常规MOSFET对比,从抑制热载流子效应方面验证了新结构器件的高性能.     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

Power MOSFET系列

Toshiba公司推出了一系列新的功率MOSFET产品,主要用于优化汽车中使用的风机、泵以及其他汽车运动控制应用。新MOSFET系列将导通电阻、输入电容以及封装 设计组合在一起，比以前的汽车MOSFET提供更好的散热和功率性能。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

功率电子封装技术及确定其热阻的实现方法研究

随着用户对功率电子散热效果要求的提高，早先在功率封装上附加散热片的方法实现起来很困难。本文在介绍了功率电子器件的工艺技术后，详细地讨论了封装技术对功率电子的重大影响，并以热增强型封装、热插片封装为例，描述了功率封装的动、静态特性，并给出了计算热阻的处理步骤和测量电路，具有一定的参考价值。     

元器件与组件

提高效率的150V功率MOSFET 两种150V大功率MOSFET由于其导通电阻减小了30％,相当于200V MOSFET。IXFH70N15是以TO-247封装,额定电流70A,导通电阻28mΩ;