三菱电机公司强化国外生产16Mb DRAM

日本三菱电机公司加强设在国外的半导体工业，计划在1996年上半年把16MbDRAM的产量提高到月产330万块。特别引人的地区是欧洲和亚洲。在欧洲，设立在德国的三菱半导体欧洲公司（MSE）新建生产16MbDRAM的203mm前道生产线。新生产线的生产能力：16MbDRAM月产为150万块。并从1997年第1季度开始批量生产。另外，1994年11月在台湾合资成立功率芯片半导体公司，从1996年第二季度起开始批量生产16MbDRAM。三菱16MbDRAM的产量到1994年底月产为200万块。现在，西杂工厂152／203mm生产线正生产，因仅能满足需要约50％（平林庄司常务语），…     

1995年16Mb DRAM将出现不足

美国DataquestInc．预测了DRAM的供需情况，16MbDRAM的需要到1994未超过供给，1995年第一季度的需要超过供给20％。1994年下半年在购买16MbDRAM时，价格方面是非常有利的，加速4MbDRAM转向16MbDRAM，增加了16MbDRAM供给，但仍满足不了需求。1994年末的价格比当初预计的要高。根据预测，作为DRAM主要用途是个人计算机需要量增加。1994年的销售台数比1993年增加15％，每台个人计算机等装载DRAM的平均容量从1993年的5．SM字节到1995年将增加到SM字节。1995年16MbDRAM不足将为几个月，如果时间长的话，将会延续到1995年全年…     

韩国各半导体公司的16M DRAM产量急增

韩国各半导体公司正在建立半导体生产的体制。三星电子公司已于1994年9月完成月产360万块16MDRAM专用生产线。月产36O万块的工厂也将于1995年下半年建成。为此，与目前正在运行的生产线加在一起月生产16MDRAM的能力可扩大到1100万块。现代电子产业公司计划到1995年年底16MDRAM的生产能力月产可达999万块。1994年9月月产360万块的生产线已开始运行，到1995年底月产360万块的工厂即可完成。金星电子公司月产30O万块的生产线从1994年下半年已开始正式运行。另外，已设计1条新的生产线，到1994年年底可有3条生产线。因此，16MDRAM月生…     

三菱电机公司在欧洲的投资约300亿日元建造16Mb DRAM批量生产工厂

日本三菱电机公司增强MSE（MitsubishiSemicomductorEurope），开始批量生产16MbDRAM。MSE1989年11月在德国阿尔斯特尔布市设立该公司欧州的半导体生产点，目前，承担组装4MbDRAM并进行测试的任务。1994年，随着微机ASIC工业的发展，在MES中也设立了微机设计技术点。ig95年设备费用的投资约为300亿日元。由于引入前道工序，开始批量生产。另外，作为产品的重点是批量生产16MbDRAM。生产线采用ZO3mm片子，日产量为15O万块（同时还有4MbDRAM，日产100万块）。1995年2月开工，预计从1997年第一季度开始进行。现在，由于欧州市…     

东芝公司在四日市工厂建立新的半导体生产线

东芝公司为了适应（8X2．54cm）、0．35Pm工艺，64MbDRAM批量生产建立新的生产线，在今后的3年中约投资1000亿日元。新工厂的建筑面积为6万m2，1995年2月动工，并从1996年起开始正式运行。满负荷工作时的生产能力以64MbDRAM换算月产600万块。产品以64MbDRAM为主，而最早也生产16MbDRAM。从业人员约900名。该公司在四日市工厂建立64MbDRAM批量生产点的理由：①在短时期内，在立即批量生产所必需的DRAM商务中，能够建立容易集中资源的有效生产体制。②四日市工厂具有（8X2．54cm）生产线的16MbDRAM批量生产的实绩，基础设施较…     

南朝鲜各公司急于增产16M DRAM

据《半导体世界》1994年12期报道，目前，南朝鲜的半导体厂家、公司现正在投入大量的人力物力以图确立增产体制。仅以三星电子公司为例，在9月份业已完成了月产量360万块规模的16MDRAM专用生产线。计划在1995年下半年完成月产量在36d万块规模的工厂建设。通过这些新组建的生产线与目前正在运转中的生产线进行组合，预计在1995年末，把16A4DRAM的生产能力扩大到月产量达1100万块能力的大生产线。现代电子产业公司现正在计划于1995年末把16MDRAM的生产能力扩大到月产量达到99O万块。从1994年9月份开始，在使月产量为360万块规模的生产…     

韩国现代电子批量生产64Mb DRAM

韩国现代电子产业在汉城近郊建设生产64MbDRAM的生产线，并于1995年6月开始批量生产16MbDRAM，1996年年底开始批量生产64MbDRAM。投资1兆韩元（1韩元约等于0．12日元）。加上现有生产线，16MbDRAM月生产能力为900万块。韩国三星电子等公司正在调整16MbDRAM的生产体制。韩国现代电子批量生产64Mb DRAM@一凡     

综合信息(1)

日立制作所在德国批量生产16MbDRAM日立制作所在德国新建半导体生产线，投资额为300亿日元。从1998年下半年起，16MbDRAM生产能力提高3倍，月产约300万块，微计算机提高5倍，月产50万个。这主要是欧洲个人计算机和工作站等用的存储器需要增长和通信设备用的微计算机的需要增长所致。一凡译自《日经工》No．652，1996，P．24Philips和Motorola等公司相继在中国建设LSI工厂综合信息据报道，中国正在建设LSI工厂。荷兰PhilpsElectronicsNV与台湾省AdvancedSemiconduetorManufacturingCorp（ASMC）共同投资10亿美元，采用0．5～0．…     

日本的TV用等离子体显示板

日本的ＴＶ用等离子体显示板日本富士通有限公司宣称，１９９６年１０月将生产４２英寸彩色ＰＤＰ，月产１００００块，售价约５０万日元。这家公司已投资２００亿日元，准备再投资４００亿日元增加大规模生产设备，到２０００年形成１０万块ＰＤＰ的月生产能力。日本松下...     

国外平板显示近讯

日本Kyocera1994年12月开始量产对应于SVGA（800×600象素）的26cm（10．4英寸）型彩色STN－LCD，以低价彩色笔记本个人电脑为主要对象进行增产。1994年投资30亿日元建立月产5万台的体制，至1995年末构筑月产7～8万台的体制，1996年则达15万台。增强玻璃基板尺寸300mm×3600mm的生产线，同时正在计划建370mm×470mm基板尺寸的新线。松下电器石川工厂1995年末TFT－LCD生产换算为10英寸级为月产10万只。1995年的投资是一百几十亿日元。鹿儿岛松下电子1994年9月开始生产LCD模件，现在月产10万只，到1996年中期增加至月产40万只。＠日本…     

第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60～65mm~2

据报道，第三代16MbDRAM芯片尺寸非常小为60～65mm2，日立制作所已从1995年3月起开始销售样品。在1块芯片上可制作字结构X1，X4，X8位。从1995年第三季度开始，该公司在那河地区的新生产线也能批量生产。同样芯片面积的16MbDRAM韩国三星电子公司也在开发，预计年内可出售样品。第三代16Mb DRAM芯片尺寸为60～65mm~2@一凡     

三星电子公司与现代电子产业公司将批量生产256MbDRAM

据《日经电子》1995年626期177页上报道，韩国的三星电子公司与现代电子产业公司将分别在1997年末和1998年初开始批量生产256MbDRAM。三星电子公司的生产规模和投资金额尚未定下来，但是，业已向美国的HP公司提供样品。现代电子产业公司在韩国的京几道的主力工场投资约15亿美元并建立生产线，预计于1997年未完成，准备月产500万～6万个电路9三星电子公司与现代电子产业公司将批量生产256MbDRAM@松川     

NEC彩色PDP发展计划,总投资850亿日元

NEC计划从1996年下半年起规模生产彩色PDP，用于挂壁式TV和多媒体市场。该公司从1992年起研究彩色PDP，并已成立了彩色PDP事业发展总部。该公司预测彩色PDP市场规模1998年为1100亿日元，2000年为2600亿日元，2002年可增长为7600亿日元。其根据是挂壁式TV需求的扩大和全球性多媒体新市场的开辟。其发展目标是50cm～150cm的大尺寸PDP以及与LCD相对应的30cm，33cm的中、小尺寸PDP．今年在川崎投资50亿日元的月产1000块的生产线已开始建设，1996年计划投产．1997年计划再投产100亿日元建设月产1万块的生产线。到2000年计划投资为850…     

全球继电器市场最新动向

2004年国际继电器巨头几乎都增大了在华投资，外商独资化倾向趋强，力图掌控中国继电器产业发展主导权。欧姆龙电子部件（深圳）有限公司二期工程已正式落成，新增40条功率继电器和通信继电器生产线，新增月产能力1550万只。目前总建筑规模已从最初的4万平方米增加至8．7万平方米。2004年公司销售收入达5．82亿元，比2003年猛增64．1％，     

公司要闻

华虹明年将月产芯片3.4万片 华虹NEC公司从7月份开始正式承接中外客户的各类芯片代加工业务。在明年年底以前将完成月产芯片3—4万片的扩产目标。 代加工体制全面启动后,华虹NEC将进行全面调整,适应从过去大批量、品种单一的DRAM生产,到多样化、小批量的各类芯片加工业务的转变。力争在年内把非DRAM产品     

日本NEC公司在英国建造64M DRAM的新工厂

据报道，日本NEC公司在英国建造64MDRAM的新工厂。新工厂建在英国苏格兰的NEC半导体UK的场地内。1995年4月开始动工，将于1996年3月峻工，并从1996年10月开始运行。生产线采用200mm0．35Pm工艺技术。200。m硅片的月生产能力为1万片，根据市场需求，约在2年内月产将达2万片。第一期工程投资80O亿日元，其中建房投资200亿日元，设备投资600亿日元，要达到月产1万片的能力需投资500亿日元，月产提高到2万片，投资追加300亿日元。生产品种以64MDRAM为主，但若市场需要也生产16MDRAM和微型计算机及ASIC。第二期工程投资将考虑引入0．…     

日本半导体存储器的输入中韩国占40.7%

据日本大藏省贸易统计，在1994年1～8月的半导体存储器输入总量2．5902亿块中，韩国有1．05亿块，占整个输入量的40．7％，上年同期为35．6％。从韩国进口的品种大多为4MbDRAM。美国DR／＾iM需要看好，而在日本却正在减少。现列第二位占37．3％，再者新加坡占12．5％，台湾占5．3％。日本半导体存储器的输入中韩国占40.7%@一凡     

三星电子公司批量生产16Mb闪光存储器

韩国三星电子公司从1994年11月起已开始批量生产NAND16Mb闪光存储器，采用0．6Pm工艺，生产规模为月产10万枚。三星电子公司1992年与日本东芝合作进行NAND型闪光存储器的开发。世界闪光存储器市场，1995年为20亿美元，2000年为80亿美元，三星电子公司正在加快研究步伐。三星电子公司批量生产16Mb闪光存储器@一凡     

16M DRAM的第三代芯片问世

据报道，16MDRAM第三代芯片的样品已开始销售，日立制作所，NEC，韩国Sams－ungElectronicsCo．等公司将于1994年至1995年初开始销售。芯片尺寸为70mm2，使用64M技术的缩版（Cut－down），例如，日立公司把64M单元的鳍型叠层结构用于6M的第三代版中。另外，64M方面，在已销售样品的NEC公司月产为数千个，达到使用阶段。同步版也问世。富士通公司从1994年8月开始销售样品。0．35μm样品的芯片面积为232mm2。16M DRAM的第三代芯片问世@一凡     

2008年中国集成电路产业发展回顾与展望

受金融危机迅速蔓延的影响,2008年中国集成电路产多年来首次出现负增长的状况,全年产业销售额规模同比增幅由2007年的24．3％下滑到-0．4％,规模为1246．82亿元。集成电路产量则仍有小幅增长,规模为417．4亿块,同比增长2．4％,详见图1。