还原再氧化型半导体陶瓷电容器材料的研究

通过实验研究了Ｎｄ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｓｍ２Ｏ３添加量对还原再氧化型ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷电容器材料性能的影响，同时优化了烧结工艺，获得了Ｃ＞０．５μＦ／ｃｍ２，ｔｇδ＜３．５×１０－２，ρ＞４×１０１１Ω·ｃｍ，｜△Ｃ／Ｃ｜（－２５～＋８５℃）＜＋３０－８０％，Ｖｂ＞４２０Ｖ的实用半导体陶瓷电容器材料     

焊接在压电传感器组装上的应用

将焊接技术应用于石英制作的加速度计的组装是新开发的一种方法。对于重量百分比为８７．５金－１２．５锗的焊料膜，它们的厚度是０．５×１０＾０６米，１．０×１０＾－６米和２．０×１０＾０６米，是由电子束淀积而成金－锗特有层并具有一定的厚度，从而使这种膜成分相当于易熔万分。金和锗的内部扩散形成了这种焊料。     

高稳定低纹波偏压电源

文章叙述了一台输出电压０一１００Ｖ连续可调，输出电流１００ｍＡ的小型高频锯齿波发生器偏压电源，输出２０—１００Ｖ，电压稳定性优于±３×１０－５，峰－峰值相对纹波电压优于３．５×１０－５     

2.5～4.4Gb／s光纤无中继传输实验系统

本文报导在４×６２２Ｍｂ／ｓ）×１６０ｋｍ等三个常规单模光纤无中继传输实验系统，以及４．３５４Ｇｂ／ｓ×２００ｋｍ常规单模光纤传输实验系统方面的研究成果．带有掺饵光纤功放的高稳定度光发射机输出功率分别＞＋４ｄＢｍ／信道（４×６２２Ｍｂ／ｓ）和１１ｄＢｍ（单路２．５Ｇｂ／ｓ），频率稳定度分别优于６×１０－６和４．１×１０－６．带有掺铒光纤前放的四路光接收机灵敏度达到－４６．８ｄＢｍ（６２２Ｍｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）和－３９．５ｄＢｍ（４×２．５Ｇｂ／ｓ，ＮＲＺ２２３－１ＰＲＢＳ）．系统各信道误码率分别优于４×１０－１２～４×１０－１５．     

高稳定性数控恒流器件

介绍一种数控恒流器件。它具有Ｄ／Ａ转换功能,采用模块结构,最大输出电流ＩＯ可达２Ａ。样管的ＩＯ变化范围０～２Ａ;电流温度系数为（０．１～２．０）×１０－５℃－１;电流稳定度为（０．１～１．０）×１０－４Ｖ－１;起始电压低于０．５Ｖ;体积小、功率损耗低。     

聚合物敷层光纤相位调制器

利用有机聚合物（ＶＤＦ／ＴＥＦ）敷层光纤制备了一种光纤相位调制器，它具有宽带特性（１ＫＨｚ一６０ＭＨｚ）和一定的相移灵敏度（低频区为３．５×１０￣（－２）ｒａｄ／ｖ／ｍ，高频区为５．０×１０￣（－２）ｒａｄ／ｖ／ｍ）．采用独特的镀敷和整形工艺，平滑了频率响应曲线，增加了带宽的利用率。     

二种单频外腔式He－Ne激光器的自稳频原理再分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式Ｈｅ－Ｎｅ激光器，１ｍ激光器的频率非稳定度为６．１７５×１０￣（－９）（τ≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（τ≤１ｓ）；１．８ｍ激光器的频率非稳定度为１．１×１０￣（－８）（τ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（τ≤１０ｓ），所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献［１］，［８］，［９］和［１０］发表后，对这两种激光器的自稳频原理的再分析。     

60元3～5μmHgCdTe线列光导探测器

６０元３～５μｍＨｇＣｄＴｅ线列光导探测器徐国森（上海技术物理研究所上海２０００８３）本文简单报导了研制的６０元ＨｇＣｄＴｅ（３～５μｍ）线列光导探测器的工作性能，探测器灵敏元面积为６０ｐｍ×１００μｍ，在７７Ｋ，平均峰值探测率为９．５×１０￣（１０...     

光控调频效应的实验研究

将双基区晶体管与一光电探测器件相结合首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强发迹频率２．０×１０＾５Ｈｚ和每ｌｕｘ光强改变频率２．８×１０＾５Ｈｚ的实验结果。     

茶溶液中饱和吸收产生热致非线性效应的研究

本利用单光束扫描法研究了在４８８ｎｍ波长下，一种花茶酒精溶液因饱和吸收所产生的热致非线性效应，测得其热光系数ｄｎ／ｄＴ为＝１．２×１０＾－５℃，饱和光强为５．４ＫＷ／ｃｍ＾２。     

低功耗串行16位取样模／数转换器的应用考虑

ＡＤＳ７８１３是一种低功耗、单＋５Ｖ电源、１６位取样模／数转换器。它包含一个完整的基于电容器的１６位ＳＡＲＡ／Ｄ，带有取样／保持、时钟、参考和串行数据接口。此转换器的输入范围是多种多样的，包括±１０Ｖ、±５Ｖ、０Ｖ～１０Ｖ和０５Ｖ～４５Ｖ。它还备...     

两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质

２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。     

用光电灵敏度法研究a—Si：H中的电荷放大效应

测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度,撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法,由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益,在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下,高达４．３×１０＾３、本文从能态图讨论了ａ－Ｓｉ：Ｈ中电荷放大效应的产生过程。由测量的增产佃值计算了电子迁移率与寿命之积。     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

小型高温中高压铝电解电容器的研制

系统地总结了影响小型高温中高压铝电解电容器电性能的主要因素，分别从原材料、零部件、生产工艺和工作电解液等方面入手，采取了解决相关问题的相应措施，收到了较为满意的效果。重点介绍研制以乙二醇、γ－丁内酯作溶剂，苯甲酸铵、壬二酸氢铵、硝基丙烷、硼酸为溶质，适用于小型高温中高压铝电解电容器的工作电解液，制成１６０Ｖ－４．７μＦ（Φ１０ｍｍ×１２ｍｍ）和４００Ｖ－３３μＦ（Φ１９ｍｍ×３５ｍｍ）１０５℃铝电解电容器。     

高效率的传播介质

型号ＡＬＡ－３ＡＬＡ－５ＡＬＡ－９扬声器ＬＦ：１０英寸（×２）ＨＦ：１英寸（×２）ＬＦ：１５英寸（×２）ＨＦ：１英寸（×２）ＬＦ：１５英寸（×２）ＨＦ：１英寸（×２）覆盖角度Ｈ：６０°Ｖ：１０°Ｈ：６０°Ｖ：１０°Ｈ：６０°Ｖ：１０°频率响应６５Ｈｚ～１７．５ｋＨｚ±３ｄＢ５０Ｈｚ～１７．５ｋＨｚ±３ｄＢ４５Ｈｚ～１７．５ｋＨｚ±３ｄＢ最大输出电平平均１２７ｄＢ峰值１３８ｄＢ平均１３２ｄＢ峰值１３８ｄＢ平均１３６ｄＢ峰值１４３ｄＢ承受功率／ＷＬＦ：６００／２４００ＨＦ：１５０／６００ＬＦ：９００…     

高储能密度玻璃-陶瓷电容器内电极的研究

采用Na2O-PbO-Nb2O5-SiO2体系玻璃-陶瓷作为绝缘介质,以磁控溅射镀膜技术先在玻璃-陶瓷层表面形成金属膜,再用丝网印刷技术在金属膜上涂覆银浆形成组合式内电极,制备出多层结构高储能密度玻璃-陶瓷电容器,对比了单层内电极结构电容器的性能参数。结果表明:多层内电极结构既保证电容器电极面积不会因银浆烧结形成微孔而减小,又能从原理上有效提高电容元件的击穿强度,其储能密度提高到约8 J/cm3。     

银—金—钯独石电容器电极浆料

<正> 一、前言独石陶瓷电容器是陶瓷电容器的一个重要分支。由于它具有体积小、结构坚固、容量范围宽、可靠性高等优点,使它在集成电路和一般电路方面都得到了普遍的应用。独石陶瓷电容器主要由四个部份组成一陶瓷介质、内电极、外电极和包封壳。本文讨论的电极浆料适于作高烧结温度独石电容器的内电极浆料。它是由金属粉末、无机粘结剂和有机溶剂所组成。其中金属粉末通常     

1.52μm红外光电探测器

利用ＰｔＳｉ与Ｐ－Ｓｉ接触，研制成功肖特基势垒红对光电探测器（简称ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ）。在液氮温度（７７Ｋ）下，对１．５２μｍ红外光，它的灵敏度为２．６９×１０－２Ａ／Ｗ，量子效率为２．４％，反偏４Ｖ时的漏电流为５×１０－５μＡ。此外，对ＰｔＳｉ／Ｐ－ＳｉＩＲ－ＳＢＤ的量子效率进行了计算机模拟计算。     

超级电容器综述

超级电容器发展简史 双电层电容器是建立在双电层理论基础之上的,1879年Helmholz发现了电化学界面的双电层电容性质;1957年,Becker申请了第一个由高比表面积活性炭作电极材料的电化学电容器方面的专利（提出可以将小型电化学电容器用做储能器件）;1962年标准石油公司（SOHIO）生产了一种6V的以活性碳（AC）作为电极材料,以硫酸水溶液作为电解质的超级电容器,1969年该公司首先实现了碳材料电化学电容器的商业化;