半导体桥（SCB）雷管

本发明介绍的是用半导体桥点火器起爆高密度猛炸药材料的低能雷管,半导体桥点火器由与半导体桥连接的一对导电区组成,半导体桥作用时或者直接与爆炸材料接触,电流通过半导体桥时使爆炸材料起爆。与导电区连接的头部导线和头部的电引线与电流通过SCB的方向同轴,即与SCB的长度同轴。     

半导体桥BNCP雷管的研究

我们介绍了使用半导体桥（SCB）起爆BNCP雷管的实验情况。我们分别试验了两种雷管，一种用于国防部（DOD），一种用于能源部（DOE）。这些试验包括：DOD雷管在不同发火条件下的试验；两种装有不同颗粒BNCP炸药的DOD雷管的试验；DOE雷管用－50μF电容放电元件（CDU）发火装置在24V全发火条件下试验。     

新型桥形状飞片雷管

型桥飞片雷管在基片上有一对隔开的导电区，隔开的导电区之间是桥，桥呈曲线型且有一空腔，飞片盖在桥上。     

半导体桥火工品在油气井中的应用

分析了半导体桥的结构特点和起爆机理,针对油气井的特点,从安全性与可靠性方面综述了半导体桥技术的应用情况,提出半导体桥雷管在石油行业有良好的应用前景.     

复合层芯片飞片雷管

芯片飞片雷管包括基片、基片上的粘合层、粘合层上的导电层，导电层由二个焊盘以及连接二个焊盘的桥组成，导电层上有一层缓冲材料(缓冲层)，缓冲层上还有一个保护层，保护层只覆盖住两个焊盘，桥上没有保护层，只有飞片。缓冲层可防止保护层材料移动(migration)到导电层材料中去，反过来也防止导电层材料移动到保护层中去，同时还可更好地将飞片与桥粘接在一起。     

爆炸薄膜桥裂变飞片雷管

爆炸薄膜桥裂变飞片雷管由汽化沉积了桥层的基础层组成，例如，用喷涂方法。桥层由导电材料组成，包括与桥层大面积互联的桥部分。汽化沉积刚性裂变材料的无机绝缘层，例如喷射到桥层上。将飞片汽化沉积在绝缘层上，使飞片层与桥层电绝缘和／或热绝缘。直接将飞片层喷涂在桥部分上，喷涂的量至少是飞片层部分的量，桥的爆炸足以使相关绝缘材料由此而裂变，从而导致受主炸药(即二次炸药)冲击起爆。使用期间，有足够大的电流通过桥部分使桥部分快速汽化，桥部分汽化产生的膨胀气体和磁场使绝缘层和飞片层部分从由于桥下的汽化而裂变了的绝缘层组件中爆炸，并以足以使放置在离飞片一定距离的二次炸药材料爆轰的速度从基础层快速加速。通常，这个分离距离由叠加在装置上的带孔的飞片来保持，该飞片通常称之为隔板。     

半导体格装置

该雷管由一个壳体组成，壳体中装入一定量的混合炸药，半导体桥装在与混合炸药一端毗邻的地方并且与火花间隙和有电容器以及分流电阻器的具体装置电连接，一个导线与火花隙和半导体桥连接，为向半导体桥传递电荷提供了一种手段。该雷管还包括一个射频衰减器，例如，铁氧体磁珠，将电导线通过该衰减器。雷管壳的端部可以用适当的方式密封。     

半导体桥爆炸装置

本发明介绍了一种利用半导体桥作为点火元件的电爆装置的制作方法。半导体桥通过一个与桥的延伸部分相连的、很小的低阻抗连接区、以及绝缘硅基片和由金属电极塞上的金镀层与硅所形成的共晶结合(eutectic bond),与金属电极塞之间形成电连接。桥电路的第二个电极通过导线式连接区,连接到一个或两个导通管脚上,导通管脚穿透电极塞并通过包覆在管脚周围的玻璃与电极塞相互绝缘。在与电极塞绝缘的两个导通管脚和半导体桥的一个电极之间建立起来的冗余连接(redundant connection),允许在装置组装完成后对线路连接的完整性进行试验,从而提高了装置的可靠性。     

低阻抗飞片雷管及其插接组件

飞片雷管包括一个装在雷管壳体里的炸药柱,和一个位于由一对印刷电路板限定的凹槽里的桥片。其中一块电路板放在桥片和炸药柱之间,且电路板上有一个中央开孔恰巧位于桥元件上方,使飞片在撞击炸药之前得以加速。这块带有开孔的印刷电路板,还在桥连接垫片和另一块印刷电路板上的金属镀层区域或垫片之间建立了连接,而这后一块印刷电路板上的金属镀层区域或称垫片,又与同一块板上另一面对应的金属镀层区域或垫片相连接。可以将各种不同的输入接头连接到金属镀层垫片上,包括一种能将面对面式连接垫片转变成同心连接垫片、并允许使用同轴连接器的转接器板。飞片雷管可以与插接组件一起使用。插接组件有一个与引信外壳气密式连接的插接简,还有一组可拆卸的、与飞片雷管上的输入接头相配合的输出接头,在对电子起爆器件进行周期性检查测试时,允许将雷管从上面拆下来。     

灵巧炸药点火器

非导电基片上有半导体桥(SCB)和半导体开关。与电连接的开关一旦被触发将导致SCB发火。     

半导体桥装置及制作方法

具有半导体元件（10）的起爆装置（24）由被起爆桥（14c)分隔开的半导体垫片（14a,14b)和置于其上喷镀的金属化电极（16a,16b)构成。金属化电极（16a,16b)具有金属钛的底层（18），钛-钨结构的中间层（20）和钨金属的顶层（22）。这种多层结构应用简便，与半导体（14）之间粘着力强，能提高半导体特性，避免用铝作金属化电极时，在恶化条件实验（不发火试验，超低发火电压或低发火电流等）中可能出现的电荷迁移问题，半导体（14）可用类似于金属化电极（16a,16b)的分层结构的金属幅或盖覆盖。制作半导体桥装置的方法包含钛金属掺杂，钛-钨金属掺杂和钨金属掺杂。这三层金属以适当比例掺杂在半导体层上制成此发明中的金属化电极（16a,16b)和/或盖幅（117）。     

半导体桥起爆黑索今研究

测试了电容放电条件下用高电压激发时半导体桥的爆发特性,结果表明在高电压的情况下半导体桥爆发时也会产生两个电压峰,并经历了升温、熔化、汽化、等离子体形成等4个阶段,半导体桥爆发时的后期放电持续时间也较长。此比外,研究了充电电压和压药压力对半导体桥起爆黑索今的影响,结果表明在一定的条件下可以用半导体桥起爆黑索今。     

一种半导体桥火工品抗静电技术

为提高半导体桥火工品脚壳间的抗静电能力,利用瞬态抑制二极管(TVS)的瞬态电压抑制特性对半导体桥火工品脚壳之间的静电放电进行保护。静电放电试验表明:在静电加载时,大部分的电流从TVS通过,半导体桥火工品未发火,说明TVS能有效地对半导体桥火工品脚壳间起静电防护作用。     

新一代半导体桥起爆器

半导体是一项控制技术（enabling technology)。它不仅改变了起爆器的性能，也冲击了整个武器起爆系统的结构。以半导体桥为基本组件的新型起爆器已经进入市场。与常规热桥丝起爆器相比，它们在定时性和对杂散能的安全性方面有了极大的改进。本文介绍了Ensign-Bickford公司研发的新一代半导体桥起爆器，它们在体积，重量以及制造成本方面有了极大的改进，在战术导弹，灵巧弹药，卫星和运载火箭方面的应用前景很看好。