500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

SiHP16N50C等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。     

英飞凌推出第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220FullPAK封装的第二代SiC（碳化硅）肖特基二极管。新的TO-220FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ!TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,     

碳化硅肖特基二极管，帮助降低电源转换系统成本

第三代thinQ!SiC肖特基二极管具有极低的器件电容,可在高开关频率和轻负载条件下提升整个系统的效率,从而帮助降低电源转换系统成本。该二极管系列提供多种封装形式,不仅包括TO-220封装（真正的双管脚版本）产品,还包括面向高功率密度表面贴装设计的DPAK封装产品。目前,第三代thinQ!SiC肖特基二极管提供采用TO-220和DPAK封装的600V（3A、4A、5A、6A、8A、9A、10A和12A）产品和采用TO-220封装的1200V产品（2A、5A、8A、10A和15A）。     

安森美推出业界首款10A超级电容LED闪光驱动器

英飞凌科技股份公司推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600V CoolMOS C6系列。有了600V CoolMOS C6系列器件,诸如HPFC（功率因数校正）级或PWM（咏宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装,电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、     

TO-220F封装电子器件的开发与制造

介绍了制造TO-220F封装器件的核心技术,给出了TO-220F封装产品的工艺技术、制造设备的控制要点。解决了TO-220F全包封类型电子器件绝缘性能不稳定的问题。     

兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET

英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装,电阻仅为99mΩ）在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。     

VT1080/2080/3080S/VT1080/VT2080/3080C:肖特基整流器

Vishay推出6款单芯片和双芯片80V TMBSTrenchMOS势垒肖特基整流器.这些整流器采用4种功率封装,具有10A～30A的电流额定范围. 该件包括单芯片的V(B,F,I)T1080S、V(B,F,I)T2080S、和V(B,F,I)T3080S,以及双芯片的V(B,F,I)T1080C、V(B,F,I)T2080C和V(B,F,I)T3080C.每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装.     

新型eSIP封装优化器件散热和尺寸

日前,Power Integrations（以下简称PI）推出采用创新的eSIP-7C环保单列直插封装的TOPSwitch-HX系列AC／DC功率转换IC。 新型封装的优势首先体现在热性能和尺寸方面。据PI产品营销主管Nazzareno Rossetti介绍,eSIP封装具有与传统TO-220封装相同的低热阻抗,但在PCB板上的装配高度却不到10mm,是已有45年历史的TO-220封装设计的一半。连接eSIP封装的散热片位于器件的源极,因而无需使用绝缘垫片即可实现电气上的安静,这也极大地降低了系统EMI及装配成本。     

IR推出采用T0-220fullpak封装、坚固可靠的车用功率MOSFET

国际整流器公司（International Rectifier，IR）推出采用坚固耐用TO-220fullpak封装的车用功率MOSFET系列，适合包括无刷直流电机、水泵和冷却系统在内的各类汽车应用。     

IR推出采用新型WideLead封装的车用MOSFET系列

可减少50%引线电阻,同时提高30%电流 国际整流器公司（IR）推出采用新型WideLead TO-262封装的车用MOSFET系列,与传统的TO-262封装相比,可减少50%引线电阻,并提高30%电流。     

TO—3P（N）IS裸铜引线框组装工艺研究

本文对高反压大功率管组装过程中，使用裸铜TO-3P（N）IS引线框进行了研究和探索。     

IR推出新型HOSFET

国际整流器公司（IR）日前发布了最新的HEXFET系列N沟道型功率MOSFET,该产品具有较低的通态电阻（RDS（on））,采用TO-247封装,其典型应用包括：同步整流、有源ORing、大功率直流电机驱动,直-交逆变器、电动工具等。     

国内提供与支持的电源及电源管理产品

可为各节能灯厂家、电源厂家提供优质廉价三极管MIE13003,TO-126封装,其性能优良可靠,在满足出口的同时也满足国内客户的需求。同时还提供各种进口优质场效应管,封装形式有TO-3P、TO-220,TO-92及贴片系列。电话:0471-693 3157     

IR新型12 V/100A有源ORing参考设计可有效减少50%的元件数量和电路尺寸

国际整流器公司（International Rectifier，简称IR）近日推出一款针对＋12V、100A有源应用的参考设计IRAC5001。长期以来，在12V大电流系统中，有源ORing以其更完善的系统效率和成本优势成功地取代了二极管ORing。与市面上采用TO-220元件的其他方案相比，IR新推的IRAC5001解决方案可进一步将所需场效应管的数量减少50％。     

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

正东芝公司旗下的半导体存储产品公司日前宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650 V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。SBD适合各种应用,包括光伏发电系统用的服务器电源和功率调节器。此外,它还可作为开关电源中的硅二极管的替换件,能够将效率提升50%(东芝调     

车载IGBT器件封装装片工艺中空洞的失效研究

IGBT芯片在TO-220封装装片时容易形成空洞,焊料层中空洞大小直接影响车载IGBT器件的热阻与散热性能,而这些性能的好坏将直接影响器件的可靠性。文章分析了IGBT器件在TO-220封装装片时所产生的空洞的形成机制,并就IGBT器件TO-220封装模型利用FEA方法建立其热学模型,模拟结果表明:在装片焊料层中空洞含量增加时,热阻会急剧增大而降低IGBT器件的散热性能,IGBT器件温度在单个空洞体积为10%时比没有空洞时高出28.6℃。同时借助工程样品失效分析结果,研究TO-220封装的IGBT器件在经过功率循环后空洞对于IGBT器件性能的影响,最后确立空洞体积单个小于2%,总数小于5%的装片工艺标准。     

英飞凌推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC肖特基二极管

英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO-220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! TM SiC肖特基二极管的优异电气性能,而且采用全隔离封装,无需使用隔离套管和隔离膜,使安装更加简易、可靠。独具特色的是,新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准     

两款超级封装设计适用于大型半导体芯片——具备业界标准封装面积和引线间距而容纳更大半导体芯片

国际整流器公司两款创新的功率半导体封装设计,Super-220及Super-D2Pak,具备业界标准的封装面积和引线间距(lead spacing),却可容纳体积更大的半导体芯片,承受更高的电流。 Super-220封装与TO-220封装具有相同的面积,但硅含量却高出两倍多(相当于业界标准的TO-247封