电子系统中感应雷的防护

介绍了电子设备、精密仪器可能遭受感应雷击的几种形式。提出了把屏蔽线两端接地或把屏蔽线一端接地 ,金属包层两端接地的方法对系统防雷很有效果 ,但根本解决系统防雷的办法是使用信号防雷器。     

必须加强对感应雷的防范

感应雷大致可分为两种:第一种是由于雷云对大地的静电感应,致使大地的局部带上高压静电荷,当雷云闪击放电时,云层电荷迅速消失,而地面上某些小局部来不及放电,残留电荷引起放电火花;第二种是由于闪击放电强大脉冲电流的电磁感应作用产生     

天气雷达塔楼感应雷防护

分析湛江当地的地理环境、气候条件、雷暴规律等,根据雷达系统的雷电防护原则,介绍塔楼防雷分类与等级的确定,新一代天气雷达塔楼的感应雷防护措施,包括接地装置、接地线的设计与施工,雷达机房的屏蔽、电涌保护器的设置等。     

建筑物的感应雷保护设计及其电涌保护器的选型

针对建筑物防雷保护中的感应雷保护进行分析，并初步介绍了抑制感应雷的电涌保护器的选型。     

高层建筑直击雷防护设计应用探讨

立足于《建筑物防雷设计规范》（GB50057-94）,针对高层建筑的直击雷防护,运用滚球法分析指出了高层建筑直击雷防护工程容易出现的疏漏,提出了符合实际工程需要并易于施工的设计实施方案。     

太阳能热水器的雷电防护

通过分析太阳能热水器遭雷击的方式,针对目前太阳能热水器防雷安全隐患较大的现状,从防直击雷、防雷电感应及电磁波脉冲等方面进行了论述,并提出了有效防护的措施,以减少雷电灾害对太阳能热水器的使用造成的危害。     

架空配电线路感应雷过电压仿真分析

架空配电线路绝缘水平较低,因此雷电感应过电压引起的雷击跳闸率很高。为了分析配电线路感应雷过电压的特性,介绍了感应过电压的计算方法,使用二阶时域有限差分法(FDTD)计算感应过电压,以实际线路为例,分析了线路结构、雷电流参数、大地电导率及负载对感应过电压的影响。结果表明,线路高度的增加会使感应过电压增大;雷电参数对感应过电压计算结果影响较大;当大地电导率小于,其对感应过电压的影响不可忽略,计算分析时应予以考虑;需要对短时呈容性的设备做好防雷保护工作。     

古建筑直击雷防护设计浅见

古建筑通指古人遗留下来的具有一定年代的宫殿、塔、寺庙、庭院、民宅等建筑,它是人类文化遗产的瑰宝,是不可再生的资源,也是研究古建筑年代社会政治经济、文化艺术、宗教信仰的历史资料。由于古建筑多为土木结构,火灾荷载较大,一旦遭雷击,极易引起火灾,     

直击雷的防护

1 直击雷的产生和破坏雷电形成于大气运动过程中,其成因为大气运动中的剧烈摩擦生电以及云块切割磁力线。雷雨云中电荷呈非均匀分布,造成的电场强度不是处处相同。当云中电荷密集度的电场达到25～30kV-·rn-1时,会由云向地开始形成下行先导。当先导通道接近地面时,就会诱发由地面向上的上行先导,地面的物体形成向上闪流,二者相遇即形成了从云到地面的电离通道,这时就出现了强烈的电闪雷鸣,这就是雷电的主放电阶段,雷电的大部分能量都在这个阶段得到释放。一次雷击主放电一般为几万安培到十几万安培。     

微量掺铝工艺对氧化锌压敏特性的影响

研究了 Al2 O3预掺入氧化锌半导体材料中对压敏特性的影响 ,阐述了Al3+进入氧化锌晶格中引起其电性能的变化。说明 Al2 O3的掺入对氧化锌非线性电阻片是不可缺少的 ,并在理论上做了简要分析。     

ZnO-Bi_2O_3系MLCV稳定性的研究

研究了不同温度(900～1040℃)下烧结的ZnO-Bi2O3系叠层片式压敏电阻器(ML-CV)的热稳定性和8/20μs电流脉冲冲击稳定性,发现1000℃烧结的MLCV试样的稳定性最好,其压敏电压变化率的温度系数低于1.67×10-4/K,电脉冲冲击后压敏电压和分线性指数的变化率分别仅为0.25%和4.27%。然后分析了烧结气氛对MLCV在1 mA直流负载作用下压敏电压稳定性的影响,发现当垫料中添加剂的质量百分比比试样中添加剂质量百分比高20%时,MLCV试样压敏电压的稳定性最高。     

SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响

笔者介绍了SnO2掺杂对SrTiO3环形压敏电阻性能的影响。电性能测试结果表明,掺杂SnO2的摩尔分数X(SnO2)在0.5%～1.0%的范围内,随掺杂SnO2摩尔分数的增加,试样的压敏电压从8.0V下降到4.0V,电容量从68nF增大到112nF,非线性系数α和介质损耗tanδ基本保持不变。试样的焊接变化率和高低温及温度循环试验特性均满足技术要求,但温度系数偏大。     

提高ZnO电阻片电性能的研究

ZnO电阻片电气性能的提高对金属氧化物避雷器的运行可靠性起着重要的作用。采用振动磨加搅拌球磨及行星高能球磨工艺后,ZnO电阻片的烧成体积密度提高了0.97%,梯度提高了约30V/mm,U5kV/U1mA降低了0.1左右,600A/2ms方波全部通过。采用药膜04作为粘结剂,优化了成型粒料匹配,流动性提高了39s,坯体的微观结构均匀,ZnO电阻片方波通过率有所提高。应用纳米材料于有机绝缘层中,D5ZnO电阻片的筛选合格率从92.3%提高到98.5%,D6ZnO电阻片的筛选合格率从91.2%提高到98.3%,D7ZnO电阻片的筛选合格率从90.1%提高到97.8%。4/10大电流耐受能力也明显提高,!30ZnO电阻片4/10大电流耐受能力达65kA。     

ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶界对残压的影响

ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。     

ZnO非线性电阻内部的微裂纹在老化中的作用

Zn O非线性电阻内部的气隙和微裂纹构成了其表面与环境联系的复杂通道 ,将内部能延缓 Zn O电阻老化的氧原子不断扩散到大气中 ,导致 Zn O非线性电阻内部的稳定因素氧原子减少而引起性能发生老化。另外微裂纹有可能是潮气进入 Zn O非线性电阻内部的通道 ,潮气将形成电阻通道而导致电阻片性能变差。     

稀土氧化物对ZnO-Bi_2O_3系压敏陶瓷晶粒分布及电气性能的影响

研究了稀土氧化物Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3对ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷晶粒尺寸和电气性能的影响,结果表明,稀土氧化物可有效地抑制ZnO晶粒的生长,掺杂Ce2O3、Gd2O3、La2O3、Y2O3后,晶粒的主要分布分别为0～18μm、0～14μm、0～11μm、0～16μm;平均晶粒尺寸下降,其中掺杂Gd2O3后晶粒尺寸最小,为6.2μm。ZnO晶粒分布的标准方差明显下降,改善了晶粒尺寸分布的均匀性。掺杂稀土氧化物后,电位梯度显著提高,E1mA达到了427.5V/mm,改善了ZnO压敏陶瓷的电气性能。     

掺杂纳米级Bi_2O_3对ZnO压敏陶瓷性能的影响

从样品制备,烧结过程,纳米级Bi2O3添加量及电性能测试等方面介绍了掺杂纳米级Bi2O3对生产高热容量、大通流能量ZnO压敏电阻片性能的影响。试验结果表明:采用纳米级Bi2O3(x(Bi2O3)≥0.61%)代替普通Bi2O3,提高了老化及工频耐受性能,使烧成温度降低到1075℃,同时还降低了生产成本;并使电阻片的其它电气性能有所提高或保持原有的水平。     

烧成气氛对氧化锌压敏电阻器电性能的影响

在氧化锌压敏电阻器Zn-Bi系配方中,根据电性能的需要几乎均存在着大量的低熔点物质,如Bi2O3、Sb2O3、B2O3等,在高温烧结过程中,由于低熔点物质的挥发,造成产品性能的劣化。本文通过对烧成气氛的研究,提出了解决该问题的方法,改善了产品的一致性     

Co2O3在ZnO压敏陶瓷中的改性作用

研究了金属氧化物Co2O3含量对ZnO压敏陶瓷中晶粒生长和电学性能的影响。分析了Co2O3含量对ZnO半导体陶瓷各种性能的改善,以及所产生缺陷类型。实验结果表明:随着Co2O3含量在0郾6%~0郾2%(质量分数)范围内的减少,ZnO压敏陶瓷的平均晶粒大小降低,工频耐受力提高,非线性系数增大,在一定程度上掩盖了ZnO晶粒本征缺陷对ZnO陶瓷电导率的影响,使半导体的电导率获得可控性。为获得产品优良的重复性和稳定性,以及降低成本起到十分重要的作用。