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相似文献
 共查询到20条相似文献，搜索用时 18 毫秒
1.
优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...  相似文献   

2.
１２位６００ｋｓ／ｓ数字式自校准流水线型算法Ａ／Ｄ转换器＝Ａ１２－ｂ６００ｋｓ／ｓｄｉｇｉｔａｌｌｙｓｅｌｆ－ｃａｌｉ－ｂｒａｔｅｄｐｉｐｅｌｉｎｅｄａｌｇｏｒｉｔｈｍｉｃＡＤＣ［刊，英］／Ｌｅｅ，Ｈａｅ－Ｓｅｕｎｇ∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌ．Ｓｔａ，Ｃｉ...  相似文献   

3.
适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...  相似文献   

4.
用聚酰亚胺膜选择ＣＶＤ－Ｗ在局部互连中的应用＝ＵｓｅｏｆｓｅｌｅｃｔｉｖｅＣＶＤ－Ｗｗｉｔｈａｐｏｌｙ－ｉｍｉｄｅｍａｓｋｆｏｒｌｏｃａｌｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ［刊，英］／Ｃｏｌ－ｇａｎ，Ｅ．Ｇ．／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ，Ｓｏｃ，－１９９３...  相似文献   

5.
薄膜ＳＯＩ／ＣＭＯＳ器件结构的设计考虑＝Ｄｅｓｉｇｎｃｏｎｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓｆｏｒｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩ／ＣＭＯＳｄｅｖｉｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［刊，英］／Ａｏｋｉ．Ｔａｋａｈｉｒｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，－１９８９．５...  相似文献   

6.
一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...  相似文献   

7.
Ａ／Ｄ转换器高阶△－Σ调制的稳定性分析＝Ｓｔａｂｉｌｉｔｙａｎａｌｙｓｉｓｏｆｈｉｇｈ－ｏｒｄｅｒｄｅｌｔａ－ｓｉｇｍａｍｏｄｕｌａｔｉｏｎｆｏｒＡＤＣ＇ｓ［刊，英］／Ｂａｉｒｄ，Ｒ．Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｉｒｃ．ａｎｄＳｙｓｔ．－Ⅱ：Ａｎａ...  相似文献   

8.
适用于１６位数字信号处理接口的集成连续时间平衡滤波器＝Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ－ｔｉｍｅｂａｌａｎｃｅｄｆｉｌｔｅｒｓｆｏｒｌ６－ｂＤＳＰｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ［刊．英］／Ｄｕｒｈａｍ，Ａ．Ｍ，…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ...  相似文献   

9.
Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...  相似文献   

10.
适合工艺计算机辅助设计的半导体圆片表示＝ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｗａｆｅｒｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎｆｏｒＴＣＡＤ［刊，英］／Ｇｉｌｅｓ，Ｍ．Ｄ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ．Ａｉｄ．Ｄｅｓ．Ｉｎｔ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｓｔ．－１９９４，１３（１）．...  相似文献   

11.
过采样△－Σ鉴频器＝Ａｎｏｖｅｒｓａｍｐｌｉｎｇｄｅｌｔａ－ｓｉｇｍａｆｒｅｑｕｅｎｃｙｄｉｓｃｒｉｍｉｎａｔｏｒ［刊，英］／Ｂｅａｒｄｓ，Ｒ．Ｄ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ·Ｃｉｒｃ．ａｎｄＳｙｓｔ．－Ⅱ：ＡｎａｌｏｇａｎｄＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰ...  相似文献   

12.
具有扩展的无乱真动态范围的１６位Ｄ／Ａ转换器＝Ａ１６－ｂＤ／Ａｃｏｎｖｅｒｔｅｒｗｉｔｈｉｎｃｒｅａｓｅｄｓｐｕｒｉｏｕｓｆｒｅｅｄｙｎａｍｉｃｒａｎｇｅ［刊，英］／Ｍｅｒｃｅｒ，Ｄ．∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌ．Ｓｔａ．Ｃｉｒｃ．－１９９４，２９（１０）．...  相似文献   

13.
ＭＣＭ基板测试的多探针方法＝Ａｍｕｌｔｉ－ｐｒｏｂｅａｐｐｒｏａｃｈｆｏｒＭＣＭｓｕｂｓｔｒａｔｅｔｅｓｔｉｎｇ［刊．英］／Ｙａｏ，Ｓ．Ｚ…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃｏｍｐ，Ａｌｄ．Ｄｅｓ，Ｉｎｔ．Ｃｉｒｃ．Ｓｙｓｔ．－１９９４．１３（１）－１１０～１２...  相似文献   

14.
一种１０位流水线开关电流Ａ／Ｄ转换器＝Ａ１０－ｂｉｔｐｉｐｅｌｉｎｅｄｓｗｉｔｃｈｅｄ－ｃｕｒｒｅｎｔＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔ－ｅｒ［刊，英］／Ｍａｃｑ，Ｄ．∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－ｃｕｉｔｓ．－１９９４，２９（８）．－９６７～９７２...  相似文献   

15.
用选择氧化物沉淀的７次掩模ＣＭＯＳ工艺＝Ａ７－ｍａｓｋＣＭＯＳｐｒｏｃｅｓｓｗｉｔｈｓｅｌｅｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ［刊，英］／Ｈｏｒｉｕｅｈｉ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ，１９９３．４０（８），－１４５５～～...  相似文献   

16.
带Ａ／Ｄ转换和可编程校正的智能传感器接口＝ＳｍａｒｔｓｅｎｓｏｒｉｎｔｅｒｆａｃｅｗｉｔｈＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒ－ｓｉｏｎａｎｄｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅｃａｌｉｈｒａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｍａｉｃｏ－ｖａｔｉ，Ｐ…∥ＩＥＥＥＪ．ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＣｉｒｃ...  相似文献   

17.
极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...  相似文献   

18.
１．３μｍｈｉｇｈ－ｐｏｗｅｒｓｕｐｅｒｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔｄｉｏｄｅＬＩＵＭｉｎｇｄａ；ＳＨＩＪｉａｗｅｉ；ＭＡＤｏｎｇｇｅ；ＪＩＮＥｎｓｈｕｎ；ＬＩＳｈｕｗｅｎ（Ｄｅｐｔ．ｏｆＥｌｅｃ．Ｅｎｇ．，ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕ...  相似文献   

19.
ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的跨导＝Ｔｒａｎｔｃｏｎｄｕｃ－ｔａｎｃｅｏｆｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒＭＯＳＦＥＴ＇ｓ［刊，英］／Ｃｏｌｉｎｇｅ，Ｊ．Ｐ∥ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．Ｌｅｔｔ．－１９８５．６（１１）．－５７３～５７４用背栅偏压作...  相似文献   

20.
带片上ＰＬＬ和硬件指示器的３２０ＭＨｚＣＭＯＳ三－８位ＤＡＣ＝Ａ３２０ＭＨｚＣＭＯＳｔｒｉｐｌｅ８ｈｉｔＤＡＣｗｉｔｈｏｎ－ＣｈｉｐＰＬＬａｎｄｈａｒｄｗａｒｅｃｕｒｓｏｒ［刊，英］／Ｒｅｙｎｏｌｄｓ，Ｄ／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－...  相似文献   

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