水热条件对易烧结PZT粉体合成的影响

用水热法合成了低温烧结用PZT[Pb(Zr0 .5 3 TiO0 .47)O3]粉体。探讨了水热条件对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Fe2 + ,Bi3 + ,Cu2 + 等离子化合物 ,经X ray,SEM ,TG DTA及比表面积的测定 ,表明 :当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h ,反应温度 2 0 0℃时合成后的粉体有良好的烧结性。粉体中外加了微量BCW[Ba(Cu0 .5 W0 .5 )O3] ,使PZT陶瓷在 850℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。     

纳米Na0.5Bi0.5TiO3粉体的水热合成研究

以Bi(NO3)3·5H2O、Ti(OC4H9)4为原料,研究和分析了水热条件下Na0.5Bi0.5TiO3(BNT)晶体生长和形成的影响因素.结果表明,在反应温度为160～180℃,保温时间为4～16h,NaOH浓度为4～12mol/L的条件下可制备出高纯度的纳米Na0.5Bi0.5TiO3粉体,其颗粒尺寸约为15～60nm.     

Bi~（3＋）、K~＋、OH~－离子对水热合成PZT结晶末化学性质影响的研究

本文研究了水热条件下Ｂｉ３＋、Ｋ＋、ＯＨ－对水热合成ＰＺＴ结晶粉末化学性质的影响，并用了ＸＲＤ、ＥＰＭＡ和ＳＥＭ及原子吸收光谱分析，对水热合成ＰＺＴ结晶粉末及其烧结体进行了分析     

PZT压电陶瓷液相低温烧结技术的研究进展

阐述了PZF压电陶瓷烧结过程中的液相传质机理及实现液相烧结的主要途径.综述了PZY压电陶瓷材料的液相低温烧结研究方向与进展.     

掺杂Fe^2＋,Bi^3＋,Cu^2＋的PZT陶瓷低温烧结

在利用水热法合成的粉体低温烧结ＰＺＴ「ｐｂ（Ｚｒ０．５３ＴｉＯ０．４７）Ｏ３」陶瓷中,掺杂了ＦｅＡ＾２＋、Ｂｉ＾２＋,Ｃｕ＾２＋等无机化合物,使ＰＺＴ陶瓷在８５０℃温度下即可烧成,密度可达理论值９８％,压电性能测定表明,其Ｋｐ值变化不大,而Ｑｍ值有较大提高。     

水热合成法及其应用

本文综述了水热法的发展过程及其制备 PZT 等铁电体材料方面的研究现状和发展趋势。     

PFW—PZT压电陶瓷性能的研究

用传统固相法制备了PbZrO3-PbTiO3-Pb(Fe2/3)O3(简称PZT-PFW)三元系压电陶瓷.研究了不同含量的Pb(Fe2/3)O3(简称PFW)对PZT-PFW陶瓷的相结构、密度、介电性能和压电性能的影响.另外,还研究了烧结温度对陶瓷电性能的影响.结果表明,PFW的加入可以降低PZT的烧结温度.当加入4.5 mol%Pb(Fe2/3)O3并在1100℃下烧结时,材料具有良好的综合电性能:d33=381pC/N,Kp=0.58,Qm=1025,tanδ=0.015,εr=1323.     

分布式PZT片驱动性能的实验研究

通过将整块压电陶瓷PZT片分成小片用作驱动元件的实验，研究了PZT片大小对其驱动能力的影响，结果表明，减小PZT片的面积既能提高PZT的驱动能力，同时还能降低结构的破坏程度；另外，极化后的PZT片压电效应具有明显的非线性特性。     

PZT及掺La^3＋,Nb^5＋PZT的性能初探和态密度计算

用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ＾３＋，Ｎｂ＾５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ，ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能，从理论上阐述了掺杂Ｌａ＾３＋，Ｎｂ＾５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响，用量子化学计算方法计算了样品的电子态密度，并将计算结果与ＸＰＳ测试结果作比较。     

烧结助剂对氧化铝陶瓷低温烧结的影响

氧化铝(Al_2O_3)陶瓷烧结温度较高,通过添加烧结助剂可以实现Al_2O_3陶瓷的低温烧结。对比分析了不同含量的CuO-TiO_2和MnO_2-TiO_2-MgO复合烧结助剂在不同的烧结温度下对Al_2O_3烧结性能的影响,得到了烧结助剂含量和烧结温度对Al_2O_3陶瓷体积收缩率、体积密度以及内部显微结构的影响规律。实验分析表明,在1 350℃的烧结温度下,添加4%(质量分数) CuO-TiO_2和MnO_2-TiO_2-MgO的烧结助剂,Al_2O_3陶瓷分别能获得高达3. 67 g/mm~3和3. 76 g/mm~3的体积密度,并且在扫描电子显微镜下观察到良好的显微结构。     

热处理PZT对PZT/PVDF复材电性能的影响

用高温处理PZT陶瓷粉末与PVDF制成压电复合材料,研究了高温处理PZT对复合材料的微观结构、极化特性、压电和介电性能的影响．结果表明：高温处理PZT制备的复合材料孔隙少,其剩余极化明显提高,提高了复合材料的压电系数和介电常数。     

PZT及掺La~（3＋）、Nb~（5＋）PZT的性能初探和态密度计算

用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ、ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能。从理论上阐述了掺杂Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响。用量子化学计算方法计算了样品的电子态密度．并将计算结果与ＸＰＳ测试结果作比较。     

添加剂对偏铌酸铅压电陶瓷烧结性能的影响

纯偏铌酸铅压电陶瓷虽然具有一系列的优良性能,但难以烧结,从而限制了它的应用,通过对纯偏铌酸铅的掺杂改性,使得该材料具有良好的烧结性能及机电性能。通过X射线结构分析和扫描电镜、透射电镜对材料进行了结构分析。     

Sr和Mg掺杂对PZT压电陶瓷工艺与性能的影响

对 Sr2 、Mg2 掺杂后的 PZT制备工艺和性能进行了比较研究。结果表明 :掺锶 PZT的烧结温度降低 ,在 115 0℃致密度最高 ,而掺镁 PZT在相同温度下 ,致密度偏低。掺 Sr降低了 PZT的矫顽场 ,易于极化 ;而掺镁 PZT的电滞回线不对称 ,这可能是由于 Mg掺杂使 PZT的自发极化具有各向异性造成的。     

GeO2掺杂(K0.5-x/2Na0.5-x/2Lix)NbO3陶瓷的制备及电性能研究

以Na2 CO3、K2 CO3、Li2 CO3、Nb2 O5和GeO2为原料,通过常规固相反应法制取掺杂0.5wt％GeO2的(K0.5-x/2 Na0.5-x/2 Lix)NbO3(KNLN)(x=0.05、0.055、0.06、0.065、0.07、0.075、0.08、0.085)无铅压电陶瓷.采用X射线衍射(X...     

水热合成甲烷催化燃烧催化剂条件探讨及优化

用正交实验的方法对水热合成甲烷燃烧催化剂制备条件进行了研究和分析.结果表明,在起燃阶段催化剂活性组分是主要影响因素,在中期和完全燃烧阶段所有被考虑因素均对催化剂活性有重要的影响.正交实验分析优化的反应条件为以Co(NO3)2为前驱反应物,尿素加入量为反应所需物质的量的4.5倍,反应温度160 ℃下保持反应4 h, 120 ℃干燥15 h后500 ℃焙烧3 h.正交实验15号样品T99%最低,为549 ℃,在最优条件下合成所得17号样品活性得到大幅度提高,其中T99%为447 ℃.XRD和BET实验结果表明,催化剂在500～800 ℃焙烧后为同一晶体结构,随温度的升高晶体粒径增大,比表面积下降,从而导致催化剂活性下降.     

二次烧结对KNN-LS-Bi(Mg0.5Ti0.5)O3无铅压电陶瓷性能的影响

采用传统固相烧结法和二次烧结工艺制备了xBi(Mg0.5Ti0.5)O3-0.95K0.5Na0.5NbO3-0.05LiSbO3(xBMT-KNN-LS)无铅压电陶瓷,研究了二次烧结工艺对xBMT-KNN-LS陶瓷性能的影响。结果表明:采用传统的陶瓷烧结工艺所得到的性能为压电常数d33=220 pC/N、平面机电耦合系数kp=39.6%、介电损耗tanδ=6.38%。而采用二次陶瓷烧结工艺得到的最佳性能为d33=254 pC/N、kp=37.8%、tanδ=4.81%,因此,二次烧结对该体系的压电性能有显著的影响。     

微孔硅酸钙的水热合成与表征

以二氧化硅、氧化钙及碳酸钠为原料,通过水热过程于220℃、保温24 h制备出了直径约1μm、厚度低于100 nm、孔洞低于100 nm的多孔片状硬硅钙石(Ca6Si6O17(OH)2)材料。800℃锻烧1 h后,通过硬硅钙石的分解可得到单斜晶相的多孔硅酸钙材料。温度对多孔硅钙材料形成影响的结果说明,温度对多孔硅钙材料的影响并不明显,而碳酸钠的质量分数增至15%时,所得多孔硅钙材料仍为片状多孔结构,而尺寸明显增加。     

原料粉末对碳化硼烧结性能的影响

研究了原料粉末对碳化硼陶瓷常压烧结性能的影响，试验表明增加原料粉末的比表面积和纯度能显著地促进烧结过程，且提高其烧结的质量密度，当比表面积大于16m^2/g时，可使烧结体的相对密度达到98.7%以上，抗弯强度达到456MPa，硬度HV达到为2790。制品的性能接近热压制品的水平。