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大气中含水汽的多少.常用湿度来表示。要控制湿度,就要对湿度进行检测,关键元件就是湿敏器件。湿敏器件的性能指标有湿度量程、灵敏度、温度系数、响应时间、湿滞回差、感湿特征量——相对湿度特性曲线等。例如作为湿敏器件之一的湿敏半导体陶瓷,按其阻值随环境湿度的变化规律,又可分为两大类:负感湿特性的半导体陶瓷。其阻值随环境湿度的增加而减小;正感湿特性的半导体陶瓷,其阻值随环境湿度的增加而增加。从结构上分,又可分为烧结型、涂覆膜型、多孔氧化物型、结型和MOS型半导体湿敏器件等。湿敏器件的应用是一种非电物理量的电气测量。湿敏电阻即其中的一种。它在一定的电源驱动下,将湿度量转换成电量,然后直接通过仪表读出或调节控湿 相似文献
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介绍了利用硅作衬底的陶瓷钛酸镧锶(SrLaTiO3)材料的半导体元件,独特的MIS结构元件,既具有光的特性,又可以测量湿度信号。利用光、湿敏特性元件设计成光、湿敏传感器。 相似文献
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从高度分散的ZrO2溶胶出发,制备了ZrO2/聚苯乙烯磺酸钠(NaPSS)有机-无机复合湿敏元件,研究了NaPSS掺入量对湿敏元件性能的影响,并采用复阻抗谱分析了湿敏元件的感湿机理。结果表明:加入适量的NaPSS有利于改善湿敏元件的灵敏度和线性,当NaPSS与ZrO2的质量比为1:100时,所制复合湿敏元件的性能最好,其湿滞小(2%RH),响应-恢复时间短(吸附时间:2 s,脱附时间:15 s);复阻抗谱分析说明湿敏元件对湿度的电响应经历了一个从低湿下的电荷转移到高湿下的离子扩散导电的过程。 相似文献
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<正> 电子科技大学研制的EP-1湿度探测元件,1989年12月在成都通过技术鉴定。EP-1湿度探测元件系电子聚合物薄膜电容式湿敏传感元件,采用了新型耐高温PI基敏感材料与特殊敏感器件结构工艺技 相似文献
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采用共沉淀法制备SnO2-LiZnVO4系湿敏材料,研究了LiZnVO4的掺杂量对材料湿敏电容的影响。结果表明:LiZnVO4的掺杂量,环境的相对湿度(RH)、测试信号频率对湿敏电容有较大影响。当x(LiZnVO4)为10%时,可使材料具有合适的低湿电容和灵敏度。在100Hz下,当环境的RH从33%上升到93%时,SnO2-LiZnVO4系湿敏材料制备的湿敏元件的电容增量可达起始值的2300%,显示出较高的电容湿度敏感性。湿敏元件的电容响应时间约为54s,恢复时间约为60s。湿滞约为RH6%。 相似文献
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本文介绍了一种新型钙钛矿型陶瓷湿敏元件的制作工艺和特性。对铬酸镁半导瓷和钙钛矿型半导瓷不同的湿敏特性进行了微观结构分析,同时还分析了元件的频率特性。 相似文献
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《电子元件与材料》2015,(12):14-19
以商业氮化镓(GaN)粉末为原料,经简单超声辅助的方法成功制备出氧化镓(Ga_2O_3)纳米棒。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和透射电子显微镜(TEM)等对其结构、形貌及成分进行表征分析。结果表明材料为纳米棒状多孔结构,直径和长度范围分別在100 nm和2μm左右,并且Na~+和K~+被成功地掺杂。湿敏材料旋涂在预先涂覆有Ag-Pd叉指电极的Al_2O_3陶瓷基片上制作成湿敏测试元件。对其湿敏性能进行测试,結果表明:Ga_2O_3纳米棒传感器的阻抗随着湿度的变化曲线表现出良好的线性响应和稳定性,在100 Hz频率下,当环境中的相对湿度(RH)从11%到95%变化时,该湿度传感器阻抗变化超过四个数量级,响应和恢复时间分別为1 s和6 s,其最大湿滞为3%RH。优异的湿敏特性可能源于一维Ga_2O_3纳米结构和离子掺杂的协同效应。 相似文献
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湿敏半导体陶瓷阻–湿特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
定量分析了多孔半导体陶瓷低湿度范围内的湿敏机理,通过理论推导,得出电阻与相对湿度关系的解析表达式。湿度较低时,半导体陶瓷中起主要作用的是电子电导。假定吸附表面态由吸附氧离子构成,表面态吸附水分子后,向体内发射电子,用统计理论对这一过程进行推演,得出了阻–湿关系表达式。结果表明:在低湿度区(x<10%),表达式与文献提供的TiO2材料的实验数据吻合良好。 相似文献
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湿敏陶瓷材料表面特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
湿敏陶瓷材料通常可分为电子(空穴)电导型和离子电导型。其感湿主要是通过多孔的表面对水分子的化学吸附和物理吸附,使表面能态发生改变,从而提供导电载流子。载流子的性质与陶瓷表面的化学成分,瓷体的导电类型,气孔率高低,孔径大小有着密切的关系。 造成湿敏陶瓷老化的原因在于组成湿敏陶瓷的过渡金属元素在晶体中以离子的形式存在,易吸附极性杂质,能与具有弧对电子的杂质形成络离子。同时在吸湿与脱湿的过程中,感湿离子存在溶解、析晶和蒸发、凝结的现象,使晶粒表面活性降低。 相似文献